关于电容的去耦和旁路的问题

fffshao

  去耦：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量。去耦电容还可以为器件     供局部化的DC电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。
/ Q) V: S, t8 b" n% \1 s旁路：从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分，另外还可以提供基带滤波功能（带宽受限）。
  我一直有个疑问，还有一种说法是去耦是要降低电源阻抗把高频的噪声拉到地上从而不影响其他级电路的工作。另一说法是是给局部器件提供一个电压源能够相应器件电流的变化，抑制噪声这两种有什么区别的？大电容还可以起到局部电荷池的作用，可以减少局部的干扰通过电源耦合出去，那么去耦电容作为局部电池时不是电容越大越好么，但是又和降低阻抗相冲突，究竟怎么样区别这几种去耦电容的说法呢。还有去耦电容的谐振频率对去耦效果有什么联系呢？还请各位大虾指点下

xiebill

     ESR是Equivalent Series Resistance的缩写，即“等效串联电阻”。

6 {) U% z4 S4 d( H: i: p     ESR的单位是毫欧（mΩ）。通常钽电容的ESR通常都在100毫欧以下，而铝电解电容则高于这个数值，有些种类电容的 ESR甚至会高达数欧姆。ESR的高低，与电容器的容量、电压、频率及温度都有关系，当额定电压固定时，容量愈大 ESR愈低。同样当容量固定时，选用高的额定电压的品种也能降低 ESR；故选用耐压高的电容确实有许多好处；低频时ESR高，高频时ESR低；高温也会造成ESR的升高。
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2 \5 ]2 ~8 c5 Z3 [8 N! i" v     在通过电容的电流越高的情况下，电容的ESR如果不能保持较小的话，那么就会产生更高的纹波电压。即使是相同的纹波电压，对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。例如对于3.3V的CPU而言，0.2V纹波电压所占比例较小，不足以形成很大的影响，但是对于1.8V的CPU，同样是0.2V的纹波电压，其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。
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    重点是：ESR的高低，与电容器的容量、电压、频率及温度都有很大关系，要看LZ想滤除的频率，一味地用小容量并联，对低频作用不大，一般是大小并用。
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