去内卷的MOS管，TO-220封装管代换IRFB31N20D用于48V逆变器前级电路

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如何给48V逆变器前级电路选择MOS管呢？目前国产化趋势已经愈演愈烈了，因此逆变器厂家更应该为自己的产品选择一款好的MOS管在电路中使用，提升产品的质量。

- P0 N- R- q" f! A$ Q5 R那究竟目前国内有哪一款产品是可以替代IRFB31N20D场效应管的参数直接可以使用在48V逆变器前级电路中呢？
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7 E* W: f+ V# a+ _! z/ P; r经过研究开发分析，40A、200V电流、电压的MOS管是比较适合直接替代IRFB31N20D场效应管的参数直接可以使用在48V逆变器前级电路中的。
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对于需求40A、200V、封装TO-220的参数MOS管需要替换型号的，并能替代IRFB31N20D这款场效应管的，我们推荐FHP40N20D这一款场效应管。

FHP40N20D型号的MOS管是由国内已经专注研发20年的MOS管厂家生产，它是纯国产制造，可以替换IRFB31N20D等型号参数的场效应管。
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我们来看看这款优质的FHP40N20D国产场效应管为什么说能比较好的代换IRFB31N20D型号参数在48V逆变器前级电路中使用？
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以参数视角看的话，飞虹这款FHP40N20D的具体产品参数，具有40A、200V的电流、电压， RDS(on) = 65mΩ(max) ，最高栅源电压@vgs =±30 V。

40N20为低压大电流功率MOS场效应管，具有一致性好、高可靠性、雪崩耐量高、开关速度快的特点。
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FHP40N20D的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：40A；BVdss（V）：200V。

& @1 v, |/ V' P- J3 p2 ]7 @$ T9 C" b! O& i内卷化的逆变器生产时代中，场效应管代换建议用飞虹国产型号：FHP40N20D型号参数来替代IRFB31N20D型号。

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+ M4 d/ ~" Y  \: [. n200V、40A 的MOS管代换使用，选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于48V逆变器前级电路行业、电源电路、智能家居、新能源电子等领域，为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们

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很多地方作为开关用，着样就需要看开关频率这个参数

chuchuda

做个样板实际试试最好！