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线性光耦电路的设计方法及相关参考设计

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发表于 2022-6-22 09:17 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x

6 z9 A8 S- k6 ]2 O  \! G1.线形光耦介绍6 W$ o+ [+ S: T
    光隔离是一种很常用的信号隔离形式。常用光耦器件及其外围电路组成。由于光耦电路简单,在数字隔离电路或数据传输电路中常常用到,如 UART 协议的 20mA 电流环。对于模拟信号,光耦因为输入输出的线形较差,并且随温度变化较大,限制了其在模拟信号隔离的应用。  ^1 i% B- I, b+ h% w! ?( s: E
    对于高频交流模拟信号,变压器隔离是最常见的选择,但对于支流信号却不适用。一些厂家提供隔离放大器作为模拟信号隔离的解决方案,如 ADI 的 AD202,能够提供从直流到几 K 的频率内提供 0.025%的线性度,但这种隔离器件内部先进行电压 - 频率转换,对产生的交流信号进行变压器隔离,然后进行频率 - 电压转换得到隔离效果。集成的隔离放大器内部电路复杂,体积大,成本高,不适合大规模应用。3 @( I# T: F* `
    模拟信号隔离的一个比较好的选择是使用线形光耦。线性光耦的隔离原理与普通光耦没有差别,只是将普通光耦的单发单收模式稍加改变,增加一个用于反馈的光接受电路用于反馈。这样,虽然两个光接受电路都是非线性的,但两个光接受电路的非线性特性都是一样的,这样,就可以通过反馈通路的非线性来抵消直通通路的非线性,从而达到实现线性隔离的目的。, N8 {+ l8 B) L
    市场上的线性光耦有几中可选择的芯片,如 Agilent 公司的 HCNR200/201,ti 子公司 TOAS 的 TIL300,CLARE 的 LOC111 等。这里以 HCNR200/201 为例介绍。
5 N$ u# e( x# D' `' d( g, [2. 芯片介绍与原理说明; E# c8 B1 v3 A0 E" @+ [
HCNR200/201 的内部框图如下所示0 x/ s1 C$ W2 B' S5 ]5 P+ t
1 N1 f3 y" }( K2 L! V* c
    其中 1、2 引作为隔离信号的输入,3、4 引脚用于反馈,5、6 引脚用于输出。1、2 引脚之间的电流记作 IF,3、4 引脚之间和 5、6 引脚之间的电流分别记作 IPD1 和 IPD2。输入信号经过电压 - 电流转化,电压的变化体现在电流 IF 上,IPD1 和 IPD2 基本与 IF 成线性关系,线性系数分别记为 K1 和 K2,即
8 x: I) _: F  r2 {
3 D" T9 a  S2 W4 G0 t0 J- ?2 k5 i0 c% }
    K1 与 K2 一般很小(HCNR200 是 0.50%),并且随温度变化较大(HCNR200 的变化范围在 0.25%到 0.75%之间),但芯片的设计使得 K1 和 K2 相等。在后面可以看到,在合理的外围电路设计中,真正影响输出 / 输入比值的是二者的比值 K3,线性光耦正利用这种特性才能达到满意的线性度的。
7 N: B. c& E2 O- ?    HCNR200 和 HCNR201 的内部结构完全相同,差别在于一些指标上。相对于 HCNR200,HCNR201 提供更高的线性度。) v9 x0 _2 k4 [/ m8 n" N
采用 HCNR200/201 进行隔离的一些指标如下所示:! T1 i, n, n& u0 x4 S+ i7 L2 g
* 线性度:HCNR200:0.25%,HCNR201:0.05%;
! p  U( S9 n" g$ Y6 e* 线性系数 K3:HCNR200:15%,HCNR201:5%;
+ ^  l' t* ]+ X* K1 D* 温度系数:-65ppm/oC;0 C( Y; g, D+ |+ }- j' e
* 隔离电压:1414V;, ]1 o& e: j4 `* e2 V
* 信号带宽:直流到大于 1MHz。
+ {* s8 \3 C5 j6 l$ Z, L- N7 s) e- o    从上面可以看出,和普通光耦一样,线性光耦真正隔离的是电流,要想真正隔离电压,需要在输出和输出处增加运算放大器等辅助电路。下面对 HCNR200/201 的典型电路进行分析,对电路中如何实现反馈以及电流 - 电压、电压 - 电流转换进行推导与说明。
, b8 l9 T3 i# J) u3. 典型电路分析4 o6 J% x& q9 v' z) }6 e( K
Agilent 公司的 HCNR200/201 的手册上给出了多种实用电路,其中较为典型的一种如下图所示:4 A% d! W9 `2 W) ?  [- R( ~

1 N; r( t+ F/ |8 V* u. U6 O + w% o( m; [: N: x# e' w! i
    设输入端电压为 Vin,输出端电压为 Vout,光耦保证的两个电流传递系数分别为 K1、K2,显然,,和之间的关系取决于和之间的关系。/ N4 B" ?% X4 A- ^" l; P
将前级运放的电路提出来看,如下图所示:' ^  I, C' K9 [( ?' z0 n! A
, Z. ]; s: B  _/ L8 ~9 I6 B

6 k) n3 q0 i. w4 o, I: S2 r+ X设运放负端的电压为,运放输出端的电压为,在运放不饱和的情况下二者满足下面的关系:
0 U* F' u" j- R& b1 RVo=Voo-GVi (1)9 b! k' X- ]' D; z& E
    其中是在运放输入差模为 0 时的输出电压,G 为运放的增益,一般比较大。" \3 G& L: I( `& E7 `9 c+ J  T
忽略运放负端的输入电流,可以认为通过 R1 的电流为 IP1,根据 R1 的欧姆定律得:
: E2 u- {4 A9 c. m* A+ m7 Z) w7 e' e

* b, R8 f% _# b- x. F通过 R3 两端的电流为 IF,根据欧姆定律得:1 j; I7 j7 P8 G9 d( J
/ P* j! P9 ~) M* b

: S3 V2 M% a7 ~2 ?其中,为光耦 2 脚的电压,考虑到 LED 导通时的电压基本不变,这里的作为常数对待。7 p' c6 D2 m  u8 S% R# `8 I
根据光耦的特性,即
9 k9 ]. t2 x+ M% ?8 Z* WK1=IP1/IF (4)
/ p  V& w) L" M! ]7 C$ V. b: U将和的表达式代入上式,可得:& Y: ]6 e1 G3 o% q. L' g

4 X& j  q3 G# p* P# l- ]1 T- j/ h
上式经变形可得到:
1 {+ t" s- ]. m6 @0 t4 e& m & ~! C% u" s. A

# }0 Q6 }. F( I  w将的表达式代入(3)式可得:. Z8 Q. K+ w& n* Z

% l: l* H7 @: M/ [. E* Z# N
, f8 V) q) r1 j+ H# |7 i+ x% X2 h考虑到 G 特别大,则可以做以下近似:3 a% ]' B. W$ [; `
/ V! h. A! t% O/ W

. ]9 h+ p: W" a& Y* s) n) B这样,输出与输入电压的关系如下:
, z$ ]" B% M: T
7 Z8 [0 b$ f9 T* Y
. J( C) d4 G# @) i! C    可见,在上述电路中,输出和输入成正比,并且比例系数只由 K3 和 R1、R2 确定。一般选 R1=R2,达到只隔离不放大的目的。
; F- Y" z8 j& y* Y3 v' [4. 辅助电路与参数确定
3 C9 K( l* ^/ A4 c  l    上面的推导都是假定所有电路都是工作在线性范围内的,要想做到这一点需要对运放进行合理选型,并且确定电阻的阻值。3 _+ V  p% x9 _& V# K2 g6 j
4.1 运放选型$ A# H0 h! t7 w1 v  c% T6 D: o
    运放可以是单电源供电或正负电源供电,上面给出的是单电源供电的例子。为了能使输入范围能够从 0 到 VCC,需要运放能够满摆幅工作,另外,运放的工作速度、压摆率不会影响整个电路的性能。TI 公司的 LMV321 单运放电路能够满足以上要求,可以作为 HCNR200/201 的外围电路。; o. [8 ~( Q; ?, D2 X( ?& z# G
4.2 阻值确定
; e( z. F( F1 h2 Y    电阻的选型需要考虑运放的线性范围和线性光耦的最大工作电流 IFmax。K1 已知的情况下,IFmax 又确定了 IPD1 的最大值 IPD1max,这样,由于 Vo 的范围最小可以为 0,这样,由于考虑到 IFmax 大有利于能量的传输,这样,一般取最大值。5 D/ i  J) y3 Z
    另外,由于工作在深度负反馈状态的运放满足虚短特性,因此,考虑 IPD1 的限制,这样,R2 的确定可以根据所需要的放大倍数确定,例如如果不需要放大,只需将 R2=R1 即可。, F9 h& D6 `2 v9 m" c1 w9 {
    另外由于光耦会产生一些高频的噪声,通常在 R2 处并联电容,构成低通滤波器,具体电容的值由输入频率以及噪声频率确定。: m: r  D$ A4 c/ l
4.3 参数确定实例5 n, |: F, H* w5 Z- u) ~7 k. L, }
    假设确定 Vcc=5V,输入在 0-4V 之间,输出等于输入,采用 LMV321 运放芯片以及上面电路,下面给出参数确定的过程。
, o# `! E6 c8 A* 确定 IFmax:HCNR200/201 的手册上推荐器件工作的 25mA 左右;
/ v; E4 a0 j* x2 e" i* 确定 R3:R3=5V/25mA=200;
+ _7 f4 |7 R) f5 L2 F* 确定 R1:;$ c/ e! g6 B2 ^, C" g
* 确定 R2:R2=R1=32K。
; U) [1 A+ ]9 s; U4 p% w5. 总结0 Y/ e: C5 a2 C$ x7 c( c
    本文给出了线性光耦的简单介绍以及电路设计、参数选择等使用中的注意事项与参考设计,并对电路的设计方法给出相应的推导与解释,供广大电子工程师参考。

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发表于 2022-6-22 10:01 | 只看该作者
看一看,学一下。

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发表于 2022-6-22 14:17 | 只看该作者
: q$ `3 f, a. n
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