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一、FET-G2LD-C核心板体验" A7 p. d. E/ \+ l. q: t0 z
先介绍下核心板的基础配置:
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CPU:RZ/G2L* i( S+ f$ W9 Q: P, k) l
双核ARM® Cortex®-A55 @ 1.2GHz
0 }1 V+ ^* u" ~# G! l7 f+ e; |% J# e单核Arm® Cortex®-M33 @ 200MHz- L. q0 }6 ]3 Z _: h9 w! K# O6 B
GPU:Arm® MaliTM-G31 @ 500MHz
9 o. a, a9 F a, a4 w; M内存:ddr4-1600(当前版本为2GB大小)
2 u z) h0 X4 C存储:eMMC(16GB)+QSPI Flash(16MB)
2 g2 s8 U. W X& S5 }电源:集成式电源芯片* b9 n0 i+ T- |5 t, h: m/ L+ b8 Y3 y
与底板连接方式:超薄连接器8 A: D6 A. [* W( u' h% J+ U
; X( t. g' @0 {% mFET-G2LD-C核心板基于瑞萨高性能、超高效处理器 RZ/G2L设计开发, 其采用多核异构,搭载Cortex-A55内核,运行频率高达1.2GHz;并集成Cortex-M33 mcu内核,主频达200MHz。 FET-G2LD-C核心板配备500MHz GPU Mali-G31及多种显示接口,功能接口资源丰富,支持多路UART、Ethernet、CAN-FD等, 适用于工业、医疗、电力、交通等多种行业和各类泛工业应用场景。5 `- T; Y8 `0 l
. I0 S8 b% e; ~; s0 A& G7 J
) B! V( {' i: m) z3 K" R
0 A( H6 s, r% |/ e* n; i Q![]()
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. |+ _/ X7 r9 C+ n( G; Y/ w, nFET-G2LD-C核心板正、反面实物图
\" M4 y5 @4 e; Y( {+ Z$ z: K3 M9 \
7 Z4 ?3 u6 w l# h; x 8 k }# U* F6 B' l5 [! o+ b
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FET-G2LD-C核心板正、反面尺寸图
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得益于集成式的电源方案,整个核心板尺寸可以控制得非常小,仅有60mm x 38mm。在板对板超薄连接器的加持下,核心板到底板最高的部分(电感)距底板表面仅有5.6mm。适用于对空间要求苛刻的应用场景。核心板采用沉金加树脂塞孔的工艺,大大提升了焊接的可靠性以及稳定性。并采用无铅工艺,符合环保要求。同时,对信号完整性以及电源完整性进行了严格把控,通过仿真,为系统稳定运行提供理论依据;核心板的4个角预留固定孔位,以应对高强度震动场景;此外还具有更为人性化的防呆设计。
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4 n3 e* Z/ w1 {. V' v( S# r; z8 G6 k0 K* _二、RZ/G2L核心板稳定性测试) s/ P; z- ^8 v& d2 ~* a9 E
1. 电源稳定性测试:
$ Q! T1 q) t& U+ Q. x为了测试电源的稳定性,飞凌将RZ/G2L核心板调到满载,通过示波器抓取各个测试点的波形: t- C% K7 b, _' V/ @
: ]( F, u, ^8 k8 K7 z, @![]()
1 }* y. G5 O6 e8 p核心板TP1波形
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4 ^1 P% x/ X' h. z, D v, Q* U g q0 k1 y( S9 I( I' G
核心板TP2波形* q% l: V. U6 h7 J
, c) F3 X& C1 N0 V: I' a! _& k& O5 V 9 P, c: A! g2 B: S
核心板TP3波形
2 F B4 H& ?& S7 F" V9 `
4 p1 r6 `0 u5 Q8 f% e5 p1 d) x/ M![]()
4 a& X4 r3 d1 B8 }- Z" E8 L; g& L7 o8 L1 u3 \, n" X
核心板TP4波形
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" O, i9 O4 N9 Q$ B0 v! @![]()
" {+ M* e3 L/ z核心板TP5波形% f' B: A$ k! \6 g, p( F7 _2 e
y' K6 A( \9 C" o4 Y
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核心板TP6波形
7 X1 V# y( J% U- s5 R4 Z& M1 r4 Z/ `: z# D! b. @0 g/ q( g: {
% |6 S( O7 p9 ^( i* R
核心板TP7波形- E8 n4 k: Y& x
( P2 @* r6 |$ T1 `9 R0 [ ) s3 g% |! n: n0 ?
核心板TP9波形, G9 N _" W. \& t: i: B! P t
( T; S" A6 b. J# S
% S0 v4 g' O+ o
核心板TP10波形5 q: Y4 p7 \2 Q7 N0 {/ t
% y3 F6 I" Y% z![]()
7 U G8 o! I, o' W: s, z( b1 R: ~8 t1 Z核心板TP11波形
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: u2 Q- ?0 z9 _1 S8 h# \& V* c( S$ p7 T; [# d5 Q
三、内存压力测试:2 y$ v& L& [8 x0 {2 z7 J7 @9 W) B
FET-G2LD-C核心板内存压力测试的结果如下图所示。
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5 E' C1 L5 c" C. d) U , ]$ G0 p8 F' u! G
/ D. ^/ P2 |' G% w; `内存压力测试的结果 g; `- D; x- ]2 G- F4 K& a
可以看出在满载压力测试中FET-G2LD-C核心板表现优秀。
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四、RZ/G2L 开发板初体验5 Z; @) g* i& F% ~& k) }
飞凌嵌入式RZ / G2L 核心板配套开发板的底板布局紧凑,尺寸仅150mm x 130mm。但是接口非常丰富,有双千兆网口、双USB2.0、USB OTG、TF、双路CAN-FD、rs485、MIPI-CSI、MIPI-DSI、音频耳机输出、音频喇叭输出、音频MIC输入、ADC等接口,板载WIFI&BT模块,预留MIPI PCIe的4G模块插槽。
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: C* X6 W# Z9 f- E# q外围接口有相应的防护电路,各个接口排布靠近板边,方便用户自己制作外壳或放置到机箱使用。
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底板尺寸图8 Q5 V. x( n3 E/ h, e2 ^+ H+ b
$ [- s* X2 B) C/ }1、开发板功耗测试" o3 i9 \3 y5 b7 ?
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很多小伙伴对FET-G2LD-C核心板和OK-G2LD-C开发板的功耗比较关心,因此小编针对RZ/G2L系列整套开发板和单独核心板分别进行了初步的功耗测试,测试结果如下图所示:
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; [4 J8 P1 t0 M4 { ! i7 r* q& N. T& j9 C8 L4 t, l' g+ I
; b p ? n2 J( F1 \. x" w8 a核心板在满载状态下,功耗仅为1.8w。得益于如此低的功耗,FET-G2LD-C核心板可以采用无风扇、无散热片的设计(注:核心板处于空气流动良好的环境中,如果是密闭的环境则需要具体情况具体评估)。/ [; g! d1 L9 V
8 R: o( d$ @ _4 M- k2、开发板启动测试" n' I8 p/ I t' N- Y' C
2 C* p3 J$ R' P* ~
OK-G2LD-C开发板支持TF卡烧写,支持SCIF和Flash启动(暂不支持eMMC启动),底板拨码旁边的丝印就是不同状态时的拨码位置,可直接按照丝印进行拨码。如下图所示拨码开关为Flash启动:8 k" D# @, h* a
" P2 M. [5 N1 D! H, a) ] + H. B: g# x* C: I ?; D, F2 e/ g
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0 m- |; E- H* GFET-G2LD-C核心板及配套开发板
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