我们常说的MOS管的导通阻抗是指什么状态下的

unfaithful2021

通常我们都会说，NMOS的导通阻抗小，只有几十mohm，PMOS的导通阻抗大，有100mohm多；
& F9 i9 Y2 ]7 X7 D2 B1 ]/ @那么想问一下，MOS管的三个工作状态：截止区、饱和区、可变电阻区；
这个我们此时说的导通阻抗，是指的MOS管的什么区？
& L. J; m. O  @8 G; q

whatever_

顾名思义，当然是导通状下的。

I_believe

rds(on) 是在vgs=10V下测的。
这要看mos管的测试电路。
不过参考图示仪的电路，应该是个共源电路。
9 z, s+ c% n' G* L4 r饱不饱和，取决于漏极上面的电阻。
是不是可变电阻区，取决于vds的电压。

duhe3hfu

开关电路，MOS管工作在截至区和饱和区（忽略过渡过程）
% W$ ]% N; ]7 s( p# Q2 l" G( ]' f模拟电路，MOS管工作在可变电阻区

we_happiness

看数据手册中关于 Rds(on) 的数值就知道，Rds(on)的大小与Vgs有关，这不正是变阻区的性质嘛

$ u$ d4 a4 x: F# p; q; y8 _