我们常说的MOS管的导通阻抗是指什么状态下的

unfaithful2021

通常我们都会说，NMOS的导通阻抗小，只有几十mohm，PMOS的导通阻抗大，有100mohm多；
那么想问一下，MOS管的三个工作状态：截止区、饱和区、可变电阻区；
3 f$ B( Y5 O; G- d' Z# X' W* f这个我们此时说的导通阻抗，是指的MOS管的什么区？
1 @# Q4 _, e$ u9 r/ i6 b4 ~

whatever_

顾名思义，当然是导通状下的。

I_believe

( q" f- U  Y2 k- V) i& k0 B3 }% S8 A2 m% {rds(on) 是在vgs=10V下测的。
/ J6 A$ q$ E6 l这要看mos管的测试电路。
7 T! V) \4 R5 m8 H不过参考图示仪的电路，应该是个共源电路。
饱不饱和，取决于漏极上面的电阻。
; R5 F9 W; T4 m是不是可变电阻区，取决于vds的电压。

duhe3hfu

开关电路，MOS管工作在截至区和饱和区（忽略过渡过程）
) o- C2 f% L% x; _$ C' M模拟电路，MOS管工作在可变电阻区

we_happiness

看数据手册中关于 Rds(on) 的数值就知道，Rds(on)的大小与Vgs有关，这不正是变阻区的性质嘛

8 _5 L9 q) G( C% J3 G: |, ^, l* ]# W