我们常说的MOS管的导通阻抗是指什么状态下的

unfaithful2021

通常我们都会说，NMOS的导通阻抗小，只有几十mohm，PMOS的导通阻抗大，有100mohm多；
- Z' ?; i& F- Q- Q1 H, a7 @那么想问一下，MOS管的三个工作状态：截止区、饱和区、可变电阻区；
, V: R2 Z! F  ~! H: i6 z: W4 o1 L这个我们此时说的导通阻抗，是指的MOS管的什么区？

whatever_

顾名思义，当然是导通状下的。

I_believe

' i  @; ]4 z& P4 d# [0 M
0 U. D8 ~3 E1 @rds(on) 是在vgs=10V下测的。
8 n# T  Y& U- W8 a, S  b这要看mos管的测试电路。
/ h0 t, X6 F3 }3 f( C$ Y% G4 o不过参考图示仪的电路，应该是个共源电路。
饱不饱和，取决于漏极上面的电阻。
4 \) H- m( W$ ~: D是不是可变电阻区，取决于vds的电压。

duhe3hfu

开关电路，MOS管工作在截至区和饱和区（忽略过渡过程）
1 f2 W3 A- n# g( a/ c( M模拟电路，MOS管工作在可变电阻区

we_happiness

看数据手册中关于 Rds(on) 的数值就知道，Rds(on)的大小与Vgs有关，这不正是变阻区的性质嘛
1 f  `/ @/ p3 @. W