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USB保护地与信号地的关系

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  • TA的每日心情
    郁闷
    2025-4-28 15:02
  • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II

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    1#
    发表于 2011-10-24 09:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    我看到cypress的设计中推荐保护地与信号地之间接一个1M欧姆大电阻并联2KV/4.7nF高压瓷片这是为何,难道是考虑EMI.有的厂家却是直接连接或者是加了0.1uF电容或磁珠或一个电阻为啥不同厂家建议都不一样到底用那个

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2011-11-10 13:16 | 只看该作者
    接地是个永恒话题~! u  k5 e; a  T% D/ N* ]5 ?
    我的理解如下:) n3 I5 k% B+ ]
    保护地接入了一次电源的PE(Protect Earth);信号地,则是DATA+,DATA-的参考Common,可能是浮地,可能接入了PE,还有可能跟一次侧没有隔离(比如取Neutral线)
    + p1 @, G9 L" Y$ e+ mcypress在USB领域MS蛮资深的奥,它的设计中,保护地、信号地间串1M大电阻,并高压电容,基本就是直流断路,交流短路了。那信号地的上述几种情况,一旦USB接口对接,信号地跟PE之间的电,都能疏导吧。4 u4 r0 ]. S/ [  s% b  @5 T0 `& _
    不晓得对不对,欢迎各位来拍砖
    # V8 S9 [) O' M$ H8 u) P- E

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2011-11-10 16:00 | 只看该作者
    防护静电用

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2011-11-13 13:07 | 只看该作者
    楼上正解

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2011-11-22 09:25 | 只看该作者
    ESD

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2011-12-29 21:48 | 只看该作者
    esd

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2011-12-31 12:20 | 只看该作者
    相信是ESD

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2012-1-7 15:03 | 只看该作者
    esd

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2012-1-11 10:45 | 只看该作者
    esd 不太懂
    7 H9 z9 w/ Y$ O1 z7 z! G" {
  • TA的每日心情
    郁闷
    2025-4-28 15:02
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    [LV.3]偶尔看看II

    10#
     楼主| 发表于 2012-1-12 09:07 | 只看该作者
    我也是一样,不太懂,有哪位高手能详细解释下。

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2012-2-7 16:42 | 只看该作者
    本帖最后由 kafka 于 2012-2-7 16:43 编辑   Z8 a: n6 E) d" R9 N
    ) L% z: R  H1 l- {# G" u( O  {
    我想单单是ESD的话直接用个双向TVS不就好了嘛,貌似还有吸收放电用处。

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2012-2-7 22:15 | 只看该作者
    ESD

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2012-2-11 16:29 | 只看该作者
    我觉得可能给用电设备的外壳有关系!非导体外壳的,保护地和信号地直接相连!导体外壳的,保护地和信号地之间接大电阻加电容!
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