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三星内存KM3P6001CM-B517数据手册/datasheet

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发表于 2022-6-6 10:02 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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2 F2 [, b+ y- S4 xKM3P6001CM-B517是一种多芯片封装存储器,结合了64GB EMMC和48Gb(16Gb * 3)TDP LPDDR4X SDRAM.SAMSUNG eMMC是采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。 eMMC操作与MMC设备相同,因此是使用行业标准MMC协议v5.1进行的简单读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。 NAND区域(VCC)需要3V电源电压,而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压(VCCQ)。三星eMMC支持HS400以提高顺序带宽,尤其是顺序读取性能。使用eMMC有很多优点。它易于使用,因为MMC接口允许与带有MMC主机的任何微处理器轻松集成。由于嵌入式MMC控制器将NAND技术与主机隔离,因此主机对NAND的任何修订或修正都是不可见的。这将导致更快的产品开发以及更快的上市时间。eMMC的嵌入式闪存管理软件或FTL(闪存过渡层)可管理损耗均衡,坏块管理和ECC。 FTL支持Samsung NAND闪存的所有功能,并实现最佳性能。& N7 A) B/ I- f9 m, n  ]

6 ^( [9 T5 D6 hKM3P6001CM-B517原理框图:
5 V. J0 Y3 E$ o) |* K  f% [
6 ?3 r  C6 M3 N' [9 ?, P1 \+ B5 H4 U# |8 h) t  ?9 g
特点:
8 Y8 N6 [* D5 P: P% G$ E; v% X1、eMMC( C" _3 p) H! H5 Y9 m& K+ v
嵌入式MultimediaCard版本。 5.1兼容。9 h. M( G# C  z! D: C8 z* \
SAMSUNG eMMC支持JEDEC标准中定义的eMMC5.1功能。
  ^+ o" l- b  i) ?( H7 O, T-主要支持的功能:HS400,现场固件更新,缓存,命令队列,增强的选通模式,安全写保护,分区类型。2 ]4 i5 W3 G: y) y$ g. ~$ o, h- F
-不支持的功能:大扇区大小(4KB)。
: f: S, v( q3 a/ z3 Q! m) _- j与以前的MultiMediaCard系统规范(1位数据总线,multi-eMMC系统)向后兼容。
4 K  o! z6 j0 Z, H+ O3 R: R数据总线宽度:1位(默认),4位和8位。
8 _" b2 h2 _1 oMMC I / F时钟频率:0〜200MHz; MMC I / F引导频率:0〜52MHz4 g8 @4 K: U5 i$ m- v0 x$ X
电源:接口电源→VCCQ(1.70V〜1.95V),存储器电源→VCC(2.7V〜3.6V)+ N2 ?+ \3 m- C3 J% V
3 m; N; P/ h  {- s) Z* ~
2、LPDDR4X SDRAM8 P9 \" Z! Q  n; X8 O4 s
•双数据速率架构;每个时钟周期两次数据传输, W( j+ i) G5 I/ p# f
•双向数据选通(DQS_t,DQS_c),与数据一起发送/接收,用于在接收器处捕获数据$ z/ x' w3 L3 J- h6 u. J
•差分时钟输入(CK_t和CK_c)% ~* \; M* N+ U2 ?
•差分数据选通(DQS_t和DQS_c)4 W2 L0 e- d! A- W7 N$ o
•命令和地址输入正CK边沿;数据和数据掩码引用到DQS的两个边缘
. h* \3 i9 o# N9 s4 {- U•每个芯片2通道组成
1 v& R: }& J1 D! h0 _•每个渠道8个内部银行
( `& v* `; G* P0 t" _•DMI引脚:正常的读写操作时为DBI(数据总线反转),DBI关闭时为掩蔽写入的数据掩码(DM); DBI开启时为掩蔽写入计数DQ 1的数量
; ~$ L$ |  z& x•突发长度:16、32(OTF)
, P& u. q: g4 M3 _+ d$ W1 h•突发类型:顺序
" K2 X$ Y- l- _- ?9 q5 l, ^; [) l•读写延迟:请参阅表65 LPDDR4X AC时序表" `5 P- M$ U# D0 n% w
•每个突发访问都有自动预充电选项
: o# z% H5 o$ m6 V+ S3 m) t! k•可配置的驱动强度
+ f: L! n& j4 R  L# h, U# \•刷新和自我刷新模式
5 a5 K! X* N, i. C5 N% g. e•部分阵列自刷新和温度补偿自刷新8 T' |0 A! p6 D& C
•写作练级; Z# n" T! b0 c; |
•CA校准
/ g2 M: v5 S5 q! p& t  o% ?; [! M•内部VREF和VREF培训
6 s3 v+ ]- ?0 l8 ]7 l/ I8 @•基于FIFO的读/写训练
1 R/ c. b8 S7 O2 g0 v7 V  b•MPC(多用途命令)
1 g4 y7 [+ i1 V•LVSTLE(低电压摆幅端接逻辑扩展)IO
- U7 x$ W( |' u0 A: C$ ?% S•VDD1 / VDD2 / VDDQ:1.8V / 1.1V / 0.6V; o) H( g  f+ p# d' G
•VSSQ端接
2 g8 H6 X- W+ v; r. Q& W•没有DLL:CK至DQS不同步
  \- O( t  m+ @& O- t•边缘对齐的数据输出,数据输入中心对齐的写训练刷新率:3.9us
3 X3 j# Z: N% y0 E8 F( p! ?8 ~6 \  P- D& e, i
引脚配置:
: c& j" }  P7 M, ?& B" }. R
' e5 a! F( t1 d2 }* t

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2#
发表于 2022-6-6 11:17 | 只看该作者
只能使用3V的供电电压吗3 |5 X: r. \/ V: q6 W- Y

该用户从未签到

3#
发表于 2022-6-6 11:22 | 只看该作者
(~ ̄▽ ̄)~硬盘颗粒。
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