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是不是在CPLD里面无法实现RAM结构?

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1#
发表于 2022-6-2 10:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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是不是在cpld里面无法实现RAM结构?

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2#
发表于 2022-6-2 13:05 | 只看该作者
目前的成熟的cpld应用产品(altera,xilinx)中由于除了基本逻辑资源之外,还有很多LPM(library of parameterized model),简单说,也就是有现成的RAM,PLL,ROM可进行宏调用,显然是可以实现RAM功能的+ w# M+ a* ^" W! g- h

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3#
发表于 2022-6-2 13:12 | 只看该作者
本帖最后由 hgaj 于 2022-6-2 13:19 编辑
5 m* w( @4 c# ~$ M( C' H, U, D0 E! D
! ]% x) B( P/ Z' g4 r2 P# [PLD(programmable logic device,此处是指只有)的逻辑资源是基于乘积项实现的。且输入和输出在同一回路,只能诸如f=f(a,b,c)这种给定逻辑。即单用乘积项只能实现ROM,cpld中可用与或门电路(乘积项)实现寻址,级联D触发器实现数据存储。(1bit rom)。而不能实现RAM。
# \5 r1 {6 N- B7 N- T8 J9 S: u) K
RAM其原理是输入地址,得到相应地址数据。在架构层面上来看的话,其数据通路和地址通路是正交的,而单用乘积项是无法实现两此种两类输入。
2 d" |8 C+ ]+ S3 K1 W5 ]
+ M( f- ^, q3 P2 K5 W& X

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4#
发表于 2022-6-2 13:30 | 只看该作者
1:SPLD,它大概包括以下三种:PLA,(PLA由可编程与或阵列组成)之后是PAL器件(它也是由与或阵列组成,但是只有它的AND阵列可编程,之所以这样做是因为它可以变得变得比PLA更快,但在一定程度上伤逝了一定的灵活性),接下来是GAL器件,不同于PAL和PLA(他们基于熔丝或者反熔丝的OTP片子),GAL采用PROM结构,这使他真正实现了可重复编程。
3 f1 k# L5 R  [  ^, q2:CPLD:CPLD是在SPLD基础上加大规模,把许多SPLD单元(PLA,PAL,或者GAL单元)网格排列在一起,在他们之间插上可编程互联线,可编程IO,和其他附属逻辑,构成了复杂可编程器件,于是得到CPLD这个称谓。
& w6 B! x9 n. O4 L7 r, v+ B$ d, O3:FPGA与CPLD的不同有很多地方,最突出的应该是FPGA在本质结构上有别于PLD器件,它采用了全新的结构查找表,也就是LUT,这个和基于乘积项(实际上就是与或阵列)的PLD器件是本质的区别。这里简单的说一句,配置FPGA实际上是配置SRAM的值,而配置CPLD实际上是对与或阵列进行编程,当然还有其他的逻辑。还有其他FPGA与PLD的区别,已经是烂熟了,在此不作赘述。2 R, B: b3 M, b- S8 W! P. T
4:EPLD可擦除可编辑逻辑器件是一类器件的总称,不管是电檫除或者紫外线可擦除器件都可以称作EPLD,主要是GAL,CPLD。
* k2 T* \) @* G& l- `  b8 P
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