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P95S128KSWSP3TF(新型3D铁电存储器)

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发表于 2022-5-17 10:16 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-5-17 14:28 编辑 ) A7 r5 A; [8 d4 |% `

5 c# a- T9 g6 @
新型3D铁电存储器(VFRAM)介绍:

' V: M' z6 Y5 O
新型3D铁电存储器(VFRAM)是一款高速度、高耐久、低功耗、低成本的非易失性存储器。
; d* B" |( B: F& f5 ~9 T6 V* S
1、新型材料
• 传统铁电材料高污染的缺陷制约了铁电存储器的发展,全球只有两条专用产线;
• 新型铁电材料解决了高污染的问题,能在任何芯片代工厂生产,突破了产能限制。
5 B* ?4 `; Y- Q/ j8 _: U
2、3D架构
• 创新性的3D架构大幅度提升存储密度;
• 开拓了产品的应用领域,向进口 量巨大的NOR闪存和DRAM市场渗透。
( ?! P6 {$ e( t0 f' L: W9 h
3、自主可控
• 产品打破美国和日本的垄断,实现完全国产化;
• 中国完全自主知识产权。

% ]$ d3 h8 R; h2 ~
4、国际领先
• 中国第一款铁电存储器;
• 世界第一款商用新型铁电存储器。
: {3 L8 p# Y4 I! a: a9 Y4 _2 y
新型铁电存储器(VFRAM)的创新突破:
% e: u2 a* x5 D" I) A
材料技术创新突破
将传统的铁电存储器中含铅的PZT材料,替换成新开发的High-K材料,解决了强污染性的问题。
8 X2 I$ q9 A8 Z5 W; C" F
存储器架构创新突破
由于High-K材料的使用,可以突破传统的平面架构,实现全新的3D架构,极大提升了存储器密度。
; C$ T  V5 E5 r4 v. G; ^4 ^# u3 Z  @

& |) y1 @0 ]; `
新型铁电存储器(VFRAM)的核心竞争力:
# M* l) p- _9 G$ b6 e, g
高速度:速度接近DRAM的级别,为闪存的千倍
高耐久:耐久性可达万亿次读写,为闪存的上亿倍
低功耗:耗电最低的存储器,为闪存的千分之一
低成本:新型铁电材料 +三维存储架构 =>大幅提升存储密度并降低成本
; w! S( C; r7 ]6 i
P95S128KSWSP3TF产品描述

; X: M0 n; Y& J$ [. j# g
P95S128KSWSP3TF是FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,配置为16,384×8位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。

# r% @. V( A" m  F; d) G
和SRAM不同,P95S128KSWSP3TF不需要电池就可以保持数据。P95S128KSWSP3TF中使用的存储单元可用于1E7次读/写操作,它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM。

! f" g, W9 x& G. w3 }! t( c% Y
P95S128KSWSP3TF不会像FLASH或EEPROM那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。

" h9 R: H+ m3 ?) O  v; Z
特点
容量:128Kb
接口类型:SPI接口(模式0,3)
工作电压:2.7伏至3.6伏
工作频率:25兆赫兹 (最大33兆赫兹)
功耗:5毫安(最大值@25兆赫兹,且IO引脚断开)
低功耗:10微安@待机
耐久度:1E7读/写
数据保持:20年@25℃
高速读特性:支持40MHZ高速读命令
工作环境温度范围:-25℃至60℃
封装形式:8引脚SOP封装
6 A( o0 g) o; T& n" p
引脚分配
串行外设接口(SPI)

4 E+ U. y  f, w) D
P95S128KSWSP3TF作为SPI的从器件。通过使用配备SPI端口的微控制器可以连接多个器件。使用没有配备SPI端口的微控制器,可以通过模拟SPI总线操作。
6 Z& A4 x) |& r! \& b" @& V

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2#
 楼主| 发表于 2022-5-17 10:18 | 只看该作者
本帖最后由 Heaven_1 于 2022-5-17 14:29 编辑 ; ~! m8 t; r  r% X- `4 d7 k; h
1 r0 d! F) k! ?9 {
封装种类多
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