P95S128KSWSP3TF(新型3D铁电存储器)

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新型3D铁电存储器(VFRAM)介绍：

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新型3D铁电存储器(VFRAM)是一款高速度、高耐久、低功耗、低成本的非易失性存储器。

1、新型材料

• 传统铁电材料高污染的缺陷制约了铁电存储器的发展，全球只有两条专用产线；

• 新型铁电材料解决了高污染的问题，能在任何芯片代工厂生产，突破了产能限制。

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2、3D架构

• 创新性的3D架构大幅度提升存储密度；

• 开拓了产品的应用领域，向进口 量巨大的NOR闪存和DRAM市场渗透。

3、自主可控

• 产品打破美国和日本的垄断，实现完全国产化；

• 中国完全自主知识产权。

4、国际领先

• 中国第一款铁电存储器；

• 世界第一款商用新型铁电存储器。

新型铁电存储器(VFRAM)的创新突破：

材料技术创新突破

将传统的铁电存储器中含铅的PZT材料，替换成新开发的High-K材料，解决了强污染性的问题。

存储器架构创新突破

由于High-K材料的使用，可以突破传统的平面架构，实现全新的3D架构，极大提升了存储器密度。
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新型铁电存储器(VFRAM)的核心竞争力：

高速度：速度接近DRAM的级别，为闪存的千倍

高耐久：耐久性可达万亿次读写，为闪存的上亿倍

低功耗：耗电最低的存储器，为闪存的千分之一

低成本：新型铁电材料 +三维存储架构 =>大幅提升存储密度并降低成本

P95S128KSWSP3TF产品描述

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P95S128KSWSP3TF是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为16,384×8位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。

和SRAM不同，P95S128KSWSP3TF不需要电池就可以保持数据。P95S128KSWSP3TF中使用的存储单元可用于1E7次读/写操作，它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM。

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P95S128KSWSP3TF不会像FLASH或EEPROM那样需要很长的数据写入时间，而且它不需要等待时间。

特点

容量：128Kb

接口类型：SPI接口(模式0,3)

工作电压：2.7伏至3.6伏

工作频率：25兆赫兹 (最大33兆赫兹)

功耗：5毫安(最大值＠25兆赫兹,且IO引脚断开)

低功耗：10微安@待机

耐久度：1E7读/写

数据保持：20年@25℃

高速读特性：支持40MHZ高速读命令

工作环境温度范围：-25℃至60℃

封装形式：8引脚SOP封装

引脚分配

串行外设接口（SPI）

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P95S128KSWSP3TF作为SPI的从器件。通过使用配备SPI端口的微控制器可以连接多个器件。使用没有配备SPI端口的微控制器，可以通过模拟SPI总线操作。

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9 ~/ x. ?# H$ X- u% r, ~. A封装种类多