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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-5-17 14:28 编辑
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8 o. }2 y- j& d. }1 |新型3D铁电存储器(VFRAM)介绍:
- g! a1 B$ p) |) _/ A; N7 K) J: ]! a新型3D铁电存储器(VFRAM)是一款高速度、高耐久、低功耗、低成本的非易失性存储器。 : F2 _6 [5 E3 K3 f# Y3 o c
1、新型材料 • 传统铁电材料高污染的缺陷制约了铁电存储器的发展,全球只有两条专用产线; • 新型铁电材料解决了高污染的问题,能在任何芯片代工厂生产,突破了产能限制。 5 y4 {$ f$ l9 \3 f
2、3D架构 • 创新性的3D架构大幅度提升存储密度; • 开拓了产品的应用领域,向进口 量巨大的NOR闪存和DRAM市场渗透。 # k5 T8 I- _' O/ h- U2 T
3、自主可控 • 产品打破美国和日本的垄断,实现完全国产化; • 中国完全自主知识产权。 : [6 A, S4 y6 O* U m
4、国际领先 • 中国第一款铁电存储器; • 世界第一款商用新型铁电存储器。 5 q6 H1 l- G- }& e
新型铁电存储器(VFRAM)的创新突破:
7 |6 [) @* T% o$ s: ^材料技术创新突破 将传统的铁电存储器中含铅的PZT材料,替换成新开发的High-K材料,解决了强污染性的问题。 " j7 L* {& n' E
存储器架构创新突破 由于High-K材料的使用,可以突破传统的平面架构,实现全新的3D架构,极大提升了存储器密度。. {+ P3 C/ Y- d* Y# d' n9 x8 l; b
7 X) B/ G1 P# Q, k新型铁电存储器(VFRAM)的核心竞争力: 5 u# A$ d0 x) n
高速度:速度接近DRAM的级别,为闪存的千倍 高耐久:耐久性可达万亿次读写,为闪存的上亿倍 低功耗:耗电最低的存储器,为闪存的千分之一 低成本:新型铁电材料 +三维存储架构 =>大幅提升存储密度并降低成本 - u+ r0 f; s3 w7 `4 `
P95S128KSWSP3TF产品描述
3 }( G0 J$ s3 f4 `# P0 }; K1 @# u! h2 ~P95S128KSWSP3TF是FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,配置为16,384×8位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。
9 N$ p+ N8 @0 L* N4 g6 |和SRAM不同,P95S128KSWSP3TF不需要电池就可以保持数据。P95S128KSWSP3TF中使用的存储单元可用于1E7次读/写操作,它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM。 $ V- e, T- t1 g4 L
P95S128KSWSP3TF不会像FLASH或EEPROM那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。
( {0 H: s" [5 H) k1 d9 e8 e& N特点 容量:128Kb 接口类型:SPI接口(模式0,3) 工作电压:2.7伏至3.6伏 工作频率:25兆赫兹 (最大33兆赫兹) 功耗:5毫安(最大值@25兆赫兹,且IO引脚断开) 低功耗:10微安@待机 耐久度:1E7读/写 数据保持:20年@25℃ 高速读特性:支持40MHZ高速读命令 工作环境温度范围:-25℃至60℃ 封装形式:8引脚SOP封装
5 y, J* b/ j! g5 F7 R5 z引脚分配 串行外设接口(SPI)
( ~' {( M7 t1 p, B3 @4 D6 MP95S128KSWSP3TF作为SPI的从器件。通过使用配备SPI端口的微控制器可以连接多个器件。使用没有配备SPI端口的微控制器,可以通过模拟SPI总线操作。 / P' T! r7 k, h: v; R
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