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P95S128KSWSP3TF(新型3D铁电存储器)

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发表于 2022-5-17 10:16 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-5-17 14:28 编辑
5 K! D6 ]; D. a9 |
8 o. }2 y- j& d. }1 |
新型3D铁电存储器(VFRAM)介绍:

- g! a1 B$ p) |) _/ A; N7 K) J: ]! a
新型3D铁电存储器(VFRAM)是一款高速度、高耐久、低功耗、低成本的非易失性存储器。
: F2 _6 [5 E3 K3 f# Y3 o  c
1、新型材料
• 传统铁电材料高污染的缺陷制约了铁电存储器的发展,全球只有两条专用产线;
• 新型铁电材料解决了高污染的问题,能在任何芯片代工厂生产,突破了产能限制。
5 y4 {$ f$ l9 \3 f
2、3D架构
• 创新性的3D架构大幅度提升存储密度;
• 开拓了产品的应用领域,向进口 量巨大的NOR闪存和DRAM市场渗透。
# k5 T8 I- _' O/ h- U2 T
3、自主可控
• 产品打破美国和日本的垄断,实现完全国产化;
• 中国完全自主知识产权。
: [6 A, S4 y6 O* U  m
4、国际领先
• 中国第一款铁电存储器;
• 世界第一款商用新型铁电存储器。
5 q6 H1 l- G- }& e
新型铁电存储器(VFRAM)的创新突破:

7 |6 [) @* T% o$ s: ^
材料技术创新突破
将传统的铁电存储器中含铅的PZT材料,替换成新开发的High-K材料,解决了强污染性的问题。
" j7 L* {& n' E
存储器架构创新突破
由于High-K材料的使用,可以突破传统的平面架构,实现全新的3D架构,极大提升了存储器密度。. {+ P3 C/ Y- d* Y# d' n9 x8 l; b

7 X) B/ G1 P# Q, k
新型铁电存储器(VFRAM)的核心竞争力:
5 u# A$ d0 x) n
高速度:速度接近DRAM的级别,为闪存的千倍
高耐久:耐久性可达万亿次读写,为闪存的上亿倍
低功耗:耗电最低的存储器,为闪存的千分之一
低成本:新型铁电材料 +三维存储架构 =>大幅提升存储密度并降低成本
- u+ r0 f; s3 w7 `4 `
P95S128KSWSP3TF产品描述

3 }( G0 J$ s3 f4 `# P0 }; K1 @# u! h2 ~
P95S128KSWSP3TF是FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,配置为16,384×8位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。

9 N$ p+ N8 @0 L* N4 g6 |
和SRAM不同,P95S128KSWSP3TF不需要电池就可以保持数据。P95S128KSWSP3TF中使用的存储单元可用于1E7次读/写操作,它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM。
$ V- e, T- t1 g4 L
P95S128KSWSP3TF不会像FLASH或EEPROM那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。

( {0 H: s" [5 H) k1 d9 e8 e& N
特点
容量:128Kb
接口类型:SPI接口(模式0,3)
工作电压:2.7伏至3.6伏
工作频率:25兆赫兹 (最大33兆赫兹)
功耗:5毫安(最大值@25兆赫兹,且IO引脚断开)
低功耗:10微安@待机
耐久度:1E7读/写
数据保持:20年@25℃
高速读特性:支持40MHZ高速读命令
工作环境温度范围:-25℃至60℃
封装形式:8引脚SOP封装

5 y, J* b/ j! g5 F7 R5 z
引脚分配
串行外设接口(SPI)

( ~' {( M7 t1 p, B3 @4 D6 M
P95S128KSWSP3TF作为SPI的从器件。通过使用配备SPI端口的微控制器可以连接多个器件。使用没有配备SPI端口的微控制器,可以通过模拟SPI总线操作。
/ P' T! r7 k, h: v; R

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2#
 楼主| 发表于 2022-5-17 10:18 | 只看该作者
本帖最后由 Heaven_1 于 2022-5-17 14:29 编辑 5 W5 W+ Z- A9 Q$ n0 C! g4 @

8 J( |8 [$ D/ b) Z6 P6 m2 U7 ]封装种类多
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