IGBT过热和过流的区别

Jame33

　半导体器件承受电流的能力受热约束或者增益（跨导）的限制，当电流超过热能力后，IGBT 的跨导达到最大值。而在芯片面积相同的双极型晶体管中，当电流在工作范围以内时，双极型晶体管的增益将大大降低。IGBT与功率MOSFET 一样是无“增益限制”的。

) k3 e- T; k8 w　　当电流非常大时，IGBT 的跨导减小，如在短路状态下，随着温度升高，跨导进一步减小，这样可保护 IGBT。当栅极电压为 15V 时，在短路状态下，IR 公司标准 IGBT的电流密度可达 10～20A/mm2。如此高的跨导使IGBT具有非常好的开关特性和导通特性。
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Blah

　IGBT在结构上类似于MOSFET，其不同点在于IGBT是在N沟道功率MOSFET的N+基板（漏极）上增加了一个 P+基板（IGBT 的集电极），形成PN 结 J1，并由此引出漏极，栅极和源极则完全与MOSFET相似。

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由于 IGBT 是在 N 沟道MOSFET 的N+基板上加一层P+基板，形成了四层结构，由N+基板上加一层P+基板，形成了四层结构，由PNP-NPN晶体管构成 IGBT。

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IGBT 的基本工作与NPN 晶体管无关，可以认为是将 N 沟道MOSFET作为输入极，PNP晶体管作为输出极的单向达林顿管。