电力半导体件IGBT有哪些特点？

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电力半导体件IGBT有哪些特点？
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1、IGBT在正常工作时，导通电阻较低，增大了器件的电流容量。

. J* q# h  N% q+ _' `3 s4 _2、IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。
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' z* Y: `9 g1 w3 p8 C3、较宽的低掺杂漂移区（n-区）能够承受很高的电压，因而可以实现高耐压的器件。

4、IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。

: K+ m1 u: d' l* [# o1 t6、与MOSFET一样，IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容，则驱动功率低，开关速度高。

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IGBT中存在有寄生晶闸管——MOS栅控的n+-p-n--p+晶闸管结构，这就使得器件的最大工作电流要受到此寄生晶闸管闭锁效应的限制（采用阴极短路技术可以适当地减弱这种不良影响）。
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