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在挠性印制板或印制板的生产过程中,以化学反应方法将不要部分的铜箔予以去除,使之形成所需的回路图形的称之为蚀刻。一般常用的蚀刻液种类有以下几种:
" j9 ?: |3 u4 ]& ?5 [" n5 u1)氯化铁蚀刻液:
$ w; T$ j5 W7 R4 M e+ s* d在过去氯化铁蚀刻液被广泛使用在单面板和及内层板的蚀刻中,但因蚀刻速度慢(20- 25 u m/min)和蚀刻能力低(35-40g/L),对机器,工筰场地污染,废液没有回收价值等原因现已被氯化铜蚀刻液逐步取代。
z5 c/ \/ B L. q6 |2 A2 I2)氯化铜蚀刻液:0 C% k# w$ c2 [( M" V% `% h. y0 k0 B7 V
用氯化铜、盐酸、氯化钠或氯化铵配成,以氯气或氯酸钠或过氧化氢(双氧水)连续再生,成本较氯化铁蚀刻液便宜,废液也有回收价值。它具有良好的蚀刻系数,.再生控制适当蚀刻速率蚀刻能量不错。但若氯化不足,则蚀刻速度降低,水洗后产生百色氯化亚铜沉淀;若氯化过量时,则会产生游离氯气,极易侵蚀蚀刻机的金属部分。冷却后,喷嘴文常因结晶被堵塞,需常清洗。# R- A# ?1 a* H E7 _) i d
3)碱性氯化铜蚀刻液
$ r$ |, T0 y1 e. I+ m+ |2 L% P0 a以氯化铜、氯化铵、氨水配成;并加补助剂成份如氯化钻、氯化钠、碳酸铵、磷酸铵等,以加强蚀刻液的特性。此蚀刻液溶液稳定、安全性好、蚀刻速度快(可达70 u m/min以上),蚀刻能量天,司达70g心以上,蚀刻系数佳,可达3.5以上,有机及金属抗蚀层除银以外均可使用。
" T% z, x, D N9 R# T$ l各种蚀刻液和抗蚀层的适用性:
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0 [( r1 K H6 k( U. D$ `8 Y" i6 c5 ]5 e3 N) L0 T
蚀刻系数:6 B* P+ b9 W! F, u& S
蚀刻系数=铜箔厚度/侧蚀宽度: v [) j" `1 N4 R
蚀刻系数越高说明侧蚀量越少,蚀刻质量越好。* C: Z& o( \, u$ X7 ?% m
一般挠性印制板使用酸性氯化铜蚀刻液加工,就酸性氯化铜蚀刻液详细介绍如下:
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酸性氯化铜蚀刻过程的主要化学反应6 K) M. N( ?) |% k' n# Q2 d
在蚀刻过程中,氯化铜中的Cu2+具有氧化性,能将板面上的铜氧化成Cu1+ ,其反应如下:
6 w0 W- i$ i: y5 d: o G蚀刻反应:Cu+CuCl2->Cu,Cl2+ N5 _) l$ \9 K! z
形成的CuzCl,是不易溶于水的,在有过量的CI存在下,能形成可溶性的络合离子,其反应如下:& m9 l a* m z( [% g: l
络合反应:CuzCl2+4Cl ->2[CuCI3]2-& v; U) V- _6 x) G+ c
随着铜的蚀刻,溶液中的CI1+越来越多,蚀刻能力很快就会下降,直到最后失去效能。为了保持蚀刻能力,可以通过溶液再生的方式将Cu1+重新转变为Cu2+,使溶液继续进行正常的蚀刻。! S$ R1 q9 Z( c! O5 r |* M
常用的酸性氯化铜蚀刻液配方:
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影响蚀刻速率的因素:$ \' w6 U) g1 U
影响蚀刻速率的因素很多,影响较大的是溶液中Cl,Cu*的含量,溶液温度及Cu2+的浓度等。" K4 M$ V, d8 I5 v, l
C含量的影响7 q4 ^) }' i( p! w& Q" |
在氯化铜蚀刻液中Cu2+和Cu1+实际上都是以络合离子的形式存在的。一般情况下,当溶液中含有较多的Ci时,Cu2是以[Cu2+Cijr-形式存在,Cu1+是以[CutCI,]2-的形式存在。因此,蚀刻液的配制和再生都需要CI的参与。增加氯离子的浓度可以加快蚀刻速率。添加氯离子可以提高蚀刻速率的原因是:在氯化铜溶液中疫生铜的蚀刻反应时,生产的Cu,Ci,不易溶子水,财在铜表面生成一层氯化亚铜膜,这种膜能阻挡反应的进一步进行。过量的Cl能与氯化亚铜生成可溶性的络合物[CuCl]2,从铜表面溶解下来,从而提高蚀刻速率。
( I, V2 c) Y+ o8 uCu含量的影响
7 E' B9 D4 n5 b" R根据蚀刻反应,随着铜在蚀刻过程中形成一价铜离子。较微量的Cut,例如:在120g/ Cu2+的溶液中含有4g Cu1+就会对蚀刻速率产生显著的降低。所以在蚀刻操作中要保持Cut*的含量在一个低的范围丙。例如:小于2g/。并要尽快地使其重新氧化成Cu2+。* }) \6 {. h: L/ H/ p
在实际生产中如何控制溶液中的Cu1+浓度?
; n9 Y9 j1 W# Y, i) @( F根据奈恩斯特方程式:E=Eo+(0.059/n)lg([Cu21]/[Cu1+])! ]$ }) f! J+ @8 M* L# }
从上面的公式可以看出,氧化-还原电位E与(Cu2+ICu1+)的比值有关。% @( t& Z9 y5 y1 D: s1 R
/ [8 y$ Y S; p+ g. w随着溶液中Cu1+的浓度不断升高,氧化-还原电位不断下降,当氧化-还原电位在530mV时,Cu1+的浓度低于0.4g/。能提供最理想的,高的和几乎恒定的蚀刻速率。所以在实际操作中都以控制溶液的氧化-还原电位来控制溶液中Cu1+的浓度。一般氧化-还原电位多控制在510-550mV之间。3 f& n& h0 U. j0 i" U8 s
Cu2+含量的影响:
" y) e* W r, a% f溶液中的Cu2+含量对蚀刻速率有一定影响。一般情况下,溶液中Cu2+浓度低子2克离子时,蚀刻速率较低;在2克离子时速度较高。随着蚀刻反应的不断进行,蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。当铜含量增加到一定浓度时,蚀刻速度就会卞降。为了保持蚀刻液具有恒定的蚀刻速率,必须把溶液中的含铜量控制在一定的范围内。随着溶液中铜含量的不断增加,溶液的比重也随之增加。在实际生产中采用控制溶液比重的方法来控制溶液的含铜量。在生产中比重一般控制在1.28-/ s" Y8 G, q/ g J: ?
1.295(31-33° Be),此时的含铜量大约在120-150 g/之间。温度对蚀刻速率的影响:. `( g% v* X( t5 K+ D y5 e
随着温度的升高,蚀刻速率加快。但是温度也不宜过高,一般控制在40-55℃范围内。温度太高会引起HCI过多地挥发,造成溶液组份比例失调。另外,如果蚀刻液温度过高,某些抗蚀层会被损坏。
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