FPC的蚀刻

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在挠性印制板或印制板的生产过程中，以化学反应方法将不要部分的铜箔予以去除，使之形成所需的回路图形的称之为蚀刻。一般常用的蚀刻液种类有以下几种:
$ }3 v" a3 i9 k# Q5 C1）氯化铁蚀刻液:
3 B! C# |0 y/ n: q8 i在过去氯化铁蚀刻液被广泛使用在单面板和及内层板的蚀刻中，但因蚀刻速度慢（20- 25 u m/min)和蚀刻能力低（35-40g/L)，对机器，工筰场地污染，废液没有回收价值等原因现已被氯化铜蚀刻液逐步取代。
2)氯化铜蚀刻液:
7 i4 }  ?1 t# e: f, J6 w. Z用氯化铜、盐酸、氯化钠或氯化铵配成，以氯气或氯酸钠或过氧化氢(双氧水）连续再生，成本较氯化铁蚀刻液便宜，废液也有回收价值。它具有良好的蚀刻系数，.再生控制适当蚀刻速率蚀刻能量不错。但若氯化不足，则蚀刻速度降低，水洗后产生百色氯化亚铜沉淀;若氯化过量时，则会产生游离氯气，极易侵蚀蚀刻机的金属部分。冷却后，喷嘴文常因结晶被堵塞，需常清洗。
$ c& t* C8 L, W3）碱性氯化铜蚀刻液
, d: }) X: Y- z4 ?0 M, ]以氯化铜、氯化铵、氨水配成;并加补助剂成份如氯化钻、氯化钠、碳酸铵、磷酸铵等，以加强蚀刻液的特性。此蚀刻液溶液稳定、安全性好、蚀刻速度快（可达70 u m/min以上)，蚀刻能量天，司达70g心以上，蚀刻系数佳，可达3.5以上，有机及金属抗蚀层除银以外均可使用。
5 Y0 o  g, Q( N) S" l" B+ q各种蚀刻液和抗蚀层的适用性:
( i' v  l' O3 Y6 b$ I% K
7 C# X2 I6 g5 {9 y/ a/ V

4 _  E0 q7 h$ \% J: I! }0 V
蚀刻系数:
蚀刻系数=铜箔厚度/侧蚀宽度
- i( z% _0 {9 }/ T蚀刻系数越高说明侧蚀量越少，蚀刻质量越好。
一般挠性印制板使用酸性氯化铜蚀刻液加工，就酸性氯化铜蚀刻液详细介绍如下:
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. U# V5 c( H  Y% p# F5 f酸性氯化铜蚀刻过程的主要化学反应
在蚀刻过程中，氯化铜中的Cu2+具有氧化性，能将板面上的铜氧化成Cu1+ ,其反应如下:
蚀刻反应:Cu+CuCl2->Cu,Cl2
, z" N4 C! p1 n% p/ v形成的CuzCl,是不易溶于水的，在有过量的CI存在下，能形成可溶性的络合离子，其反应如下:
: M( |" N6 \' Y' U0 v2 |# q2 Q络合反应:CuzCl2+4Cl ->2[CuCI3]2-
, d, `3 M; h. T随着铜的蚀刻，溶液中的CI1+越来越多，蚀刻能力很快就会下降，直到最后失去效能。为了保持蚀刻能力，可以通过溶液再生的方式将Cu1+重新转变为Cu2+，使溶液继续进行正常的蚀刻。
常用的酸性氯化铜蚀刻液配方:

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影响蚀刻速率的因素:
影响蚀刻速率的因素很多，影响较大的是溶液中Cl，Cu*的含量，溶液温度及Cu2+的浓度等。
* B. x+ |! I- d! ?9 p8 O' O: xC含量的影响
4 z! {" O% m$ |在氯化铜蚀刻液中Cu2+和Cu1+实际上都是以络合离子的形式存在的。一般情况下，当溶液中含有较多的Ci时，Cu2是以[Cu2+Cijr-形式存在，Cu1+是以[CutCI,]2-的形式存在。因此，蚀刻液的配制和再生都需要CI的参与。增加氯离子的浓度可以加快蚀刻速率。添加氯离子可以提高蚀刻速率的原因是:在氯化铜溶液中疫生铜的蚀刻反应时，生产的Cu,Ci,不易溶子水，财在铜表面生成一层氯化亚铜膜，这种膜能阻挡反应的进一步进行。过量的Cl能与氯化亚铜生成可溶性的络合物[CuCl]2，从铜表面溶解下来，从而提高蚀刻速率。
( |, {* K* R/ \. |) v" `5 w" WCu含量的影响
& ]* M& O, b  z2 [3 _7 G/ G5 g6 J6 I根据蚀刻反应，随着铜在蚀刻过程中形成一价铜离子。较微量的Cut,例如:在120g/ Cu2+的溶液中含有4g Cu1+就会对蚀刻速率产生显著的降低。所以在蚀刻操作中要保持Cut*的含量在一个低的范围丙。例如:小于2g/。并要尽快地使其重新氧化成Cu2+。
在实际生产中如何控制溶液中的Cu1+浓度?
根据奈恩斯特方程式:E=Eo+(0.059/n)lg([Cu21]/[Cu1+])
0 x( i5 {* z4 d9 k" e从上面的公式可以看出，氧化-还原电位E与(Cu2+ICu1+)的比值有关。

. J( `; q' E3 W8 `7 ^4 y) u$ `随着溶液中Cu1+的浓度不断升高，氧化-还原电位不断下降，当氧化-还原电位在530mV时，Cu1+的浓度低于0.4g/。能提供最理想的，高的和几乎恒定的蚀刻速率。所以在实际操作中都以控制溶液的氧化-还原电位来控制溶液中Cu1+的浓度。一般氧化-还原电位多控制在510-550mV之间。
9 Q3 W! F, D/ j) gCu2+含量的影响:
; t+ v/ Y" a: j3 K溶液中的Cu2+含量对蚀刻速率有一定影响。一般情况下，溶液中Cu2+浓度低子2克离子时，蚀刻速率较低;在2克离子时速度较高。随着蚀刻反应的不断进行，蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。当铜含量增加到一定浓度时，蚀刻速度就会卞降。为了保持蚀刻液具有恒定的蚀刻速率，必须把溶液中的含铜量控制在一定的范围内。随着溶液中铜含量的不断增加，溶液的比重也随之增加。在实际生产中采用控制溶液比重的方法来控制溶液的含铜量。在生产中比重一般控制在1.28-
1.295(31-33° Be)，此时的含铜量大约在120-150 g/之间。温度对蚀刻速率的影响:
随着温度的升高，蚀刻速率加快。但是温度也不宜过高，一般控制在40-55℃范围内。温度太高会引起HCI过多地挥发，造成溶液组份比例失调。另外，如果蚀刻液温度过高，某些抗蚀层会被损坏。


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