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输出特性与转移特性

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发表于 2022-4-25 10:03 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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IGBT与MOSFET的对比MOSEFT全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。
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发表于 2022-4-25 10:36 | 只看该作者
 IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。
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发表于 2022-4-25 13:10 | 只看该作者
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。2 L; l% \. a  V3 T4 k% u

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发表于 2022-4-25 13:39 | 只看该作者
综合有点型* S8 B+ E( ]. B6 `! e
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