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本帖最后由 陆妹 于 2022-4-15 13:08 编辑 ) h% a$ r. s; H' v
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扇形电容工程应用 EDA365原创 作者:何平华老师
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6 R4 V, n& s; K4 |4 T8 l8 o扇形电容工程应用,碎片三分钟,收获一丢丢。 上一篇文章《023_扇形电容半径究竟多大》的结论是: 扇形电容半径r ≈ λ/8最佳,这个结论是基于放大器的BiasTee电源支路上的扇形电容而推导和仿真出来的。 ) K _1 T' W8 {8 b% V! Q0 j
信号滤波要求r ≤ λ/8但如果扇形电容用于信号本身的滤波,那么就有可能是r ≈ λ/8,也有可能r ≤ λ/8。 如下图所示: 因为信号路径上的扇形电容,是需要实现具体的容抗(电容值),不一定是要求零阻抗。 这种信号滤波器所需电容容量较小,所以面积较小,看起来扇形张角较小、半径较小,如上图所示。 很少看到信号滤波器用扇形电容。微带滤波器都是直接用开路短截线当做电容的。 从阻抗匹配角度看BiasTee扇形电容从BiasTee的三岔口向上看的阻抗Zin越大越好,以避免影响信号通道本身的阻抗,这个阻抗与信号通道Z0=50欧并联,假设这种并联导致阻抗不匹配,回损指标为20dB,对应反射系数Γ=0.1是可以接受的。 代入到《020_Splitter之十:四分之一波长阻抗变换器》中的公式⑹: 可解出ZL = 40.9欧。 再根据 Z0//Zin = ZL = 40.9欧(//表示并联),可算出Zin = 225欧。 也就是从BiasTee的三岔口向上看的阻抗Zin≧ 225欧,就能达到信号通道的回波损耗20dB的需求。 这么看来,是很容易实现的。 即使是BiasTee支路λ/4传输线的特征阻抗Z = 50欧,根据公式Z2 = Zin * Zc 也很容易算出Zc = 11.11欧。 如果工程设计再精细些,使BiasTee支路λ/4传输线的阻抗Z = 100欧: 算出Zc = 44.44欧,这种扇形电容更容易实现。 这就是为什么要让BiasTee中的λ/4传输线特征阻抗尽量高的原因:三岔口看电源支路的等效阻抗Zin能得到平方关系的改善。 总之,从阻抗匹配角度设计BiasTee扇形电容,实在是不思进取,太拉跨了。
; `2 F2 h3 ]$ ?. M 从PSRR角度看BiasTee扇形电容所以要从PSRR的需求来设计BiasTee扇形电容。 T3 @1 ?8 |2 \! C" |' g5 V
对于接收前端低噪放来说,要求电源噪声抑制比PSRR(Power supply ripple rejection ratio)非常高; 但发射放大器对PSRR要求会松些,所以要具体问题具体分析。 假如希望电源噪声抑制比PSRR达到50dB,在HFSS建立如下三个模型: 左图是张角60度扇形电容的BiasTee;中图是张角120度的扇形电容的BiasTee;右图是由两个张角60度扇形电容构成的二级串联BiasTee。 上图的黑色线表示特征阻抗为50欧的信号主线,细线特征阻抗都是100欧,细线的长度为λ/4。 仿真三种扇形电容BiasTee,得到的PSRR指标分别如下: 红色张角60度,蓝色120度张角。张角加倍,PSRR改善不明显。50dB的PSRR带宽极窄。 再看看表示二级BiasTee的绿色线,就算只是用张角仅为60度扇形电容构成的二级BiasTee,则PSRR改善也非常巨大:不仅仅是带宽改善,PSRR极值也得到很大的改善。50dB的PSRR带宽为4.4~6GHz。 惟一的缺点是:二级BiasTee占用面积较大。 ! B5 t1 L2 p$ C
结论二级BiasTee拓朴结构的PSRR指标,远远胜于单纯增大扇形电容张角的PSRR指标。 b# j" c2 l, l2 B& c. Q
出品|EDA365 作者|何平华老师
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