MOS管选型型号及重视六大要点

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第一步：选用N沟道还是P沟道

低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS

, o0 @! B" S- s% Q6 D* g& E1 O根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使mos管不会失效。
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6 j3 x3 T0 S& i  w, m4 }) Z第二步：确定额定电流
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额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。

MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。

/ _/ y; I( j% ]9 IMOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。
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器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。
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第三步：确定热要求
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' C$ t* E  d6 r1 L* d' V) ]7 d器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。
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# R. A' Q" l$ G# v. h! A) |第四步：决定开关性能
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选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。
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第五步：选择MOS管

: r8 G* E% g8 `/ t8 Y, E' l- {确定其开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。因为在每次开关时都要对这些电容充电，会在器件中产生开关损耗；MOS管的开关速度也因此被降低，器件效率随之下降；其中，栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。

为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)，进而推导出MOS管开关总功率：Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。
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$ {* e, X0 z* L# U不同的封装尺寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率，需要考虑系统的散热条件和环境温度（如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素），基本原则就是在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。


) M4 Z. u' t, y* C/ @$ o第六步：MOS管封装
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MOS管封装有：
) W7 @* v: J% p0 e0 a9 r2 h6 y①插入式封装：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92；
②表面贴装式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN。

TO封装MOS
不同的封装形式，MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样，简单介绍如下。
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TO-3P/247：是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点，适于中压大电流（电流10A以上、耐压值在100V以下）在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。
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& N2 h& z) ^6 NTO-220/220F：这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用，不过TO-220背部有散热片，其散热效果比TO-220F要好些，价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。
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TO-251：该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积，主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。
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# J8 I8 P5 r5 q  \7 h7 T" UTO-92：该封装只有低压MOS管（电流10A以下、耐压值60V以下）和高压1N60/65在采用，主要是为了降低成本。
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TO-263：是TO-220的一个变种，主要是为了提高生产效率和散热而设计，支持极高的电流和电压，在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。

$ C9 q; d, z5 ?4 u7 [3 zTO-252：是目前主流封装之一，适用于高压在7N以下、中压在70A以下环境中。

/ l" o0 z3 U" {# ~9 F( N6 z: PSOP-8：该封装同样是为降低成本而设计，一般在50A以下的中压、60V左右的低压MOS管中较为多见。

SOT-23：适于几A电流、60V及以下电压环境中采用，其又分有大体积和小体积两种，主要区别在于电流值不同。

DFN：体积上，较SOT-23大，但小于TO-252，一般在低压和30A以下中压MOS管中有采用，得益于产品体积小，主要应用于DC小功率电流环境中。
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MOS管首要考虑是P沟道和N沟道

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还是要看额定电流，电压

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MOS管还是要根据封装形式进行选择