请教这个STM32F103RBT6的晶体倒底是多少？

Clap3hame3

#if defined (STM32F10X_LD_VL) || (defined STM32F10X_MD_VL) || (defined STM32F10X_HD_VL)
1 H5 {, X) _) G) c! K$ i/* #define SYSCLK_FREQ_HSE    HSE_VALUE */
6 W3 [$ s- N/ }; W#define SYSCLK_FREQ_24MHz  24000000
#else
2 c$ \: I& a, V( v2 }1 ]4 S/* #define SYSCLK_FREQ_HSE    HSE_VALUE */
/* #define SYSCLK_FREQ_24MHz  24000000 */
/* #define SYSCLK_FREQ_36MHz  36000000 */
/* #define SYSCLK_FREQ_48MHz  48000000 */
/* #define SYSCLK_FREQ_56MHz  56000000 */
#define SYSCLK_FREQ_72MHz  72000000
+ R9 m. W8 d9 R/ S#endif
上面的LD,MD,HD不过是FLASH密度，怎么和晶体有关系了？

/ T2 u9 N; b& b5 p

scott88

LD,MD,HD默认最佳应用频率不同，倍频自然不一样，你可以随便改。

Housekk

这是为了兼容性考虑的，STM32F10X包括101、102、103、107等型号LD,MD,HD确实是FLASH容量，但很多型号最高主频为24兆赫(比如STM32F100C8T6)，这时候MDK里面C/C++选项卡就定义宏STM32F10X_xx_VL以匹配最高主频及其它配置

ninik342

晶振的频率与FLASH无关，F1系列的最高主频是72MHz，晶振是25MHz以下。晶振选择的不同，要注意修改晶振参数的定义及分频系数。