储能电源MOS管使用推荐合集，电子工程师开发必看贴！【公众号】

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储能电源MOS管使用推荐合集，今天我们就来细谈细谈。在社会的飞速发展中，户外出游无论在国外还是国内都有越来越多的自驾爱好者、户外旅行团队等加入，对便携式储能电源的需求自然激增，因此厂家一定要重视产品对MOS管的使用。


毕竟不同类型的储能电源电路设计要使用的MOS管还是有所差异的，因此今天飞虹电子整理了这一份储能电源可使用的国产MOS管合集，供广大电子工程师参考。
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* R5 u! D. G) G' o目前国产MOS管中，可替换多款场效应管产品使用的具体型号为：FHP120N7F6A、FHP170N1F4A、FHP200N6F3A、FHP200N4F3A、FHP170N8F3A、FHP110N8F5B、FHP100N8F6A、FHP60N1F10A，以上8款产品都是可以应用于储能电源中的。
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4 _, Z! M, L  D究竟还需要怎么考虑？当然需要结合场效应管的型号参数数据，具体我们来细看一些以上8款产品的核心型号参数情况：


1、FHP120N7F6A场效应管：
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最高漏极－源极直流电压为70V，在TC=25℃下，其连续漏极电流为120A，在TC=100℃下，其连续漏极电流为80A。
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最大脉冲漏极电流（IDM ）：480（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为5.4mΩ；反向传输电容：24pF。
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2、FHP170N1F4A场效应管：

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具体产品参数，具有172A、100V的电流、电压， RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ，最高栅源电压@贴吧用户_0RbVC7P =±20 V，100%EAS测试，100%Rg测试，100%DVDS热阻测试，优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，一致性高，高可靠性,高雪崩耐量。

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# i7 u* N+ x. o$ XFHP170N1F4A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。
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3、FHP200N6F3A场效应管：
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具体产品参数，具有200A、60V的电流、电压， RDS(on) = 3.5mΩ(max) ，最高栅源电压@vgs =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，极低的输入电容的特点。

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FHP200N6F3A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：60V。

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4、FHP200N4F3A场效应管：
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具有200A、40V的电流、电压， RDS(on) = 3.1mΩ(max) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，极低的输入电容的特点。
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FHP200N4F3A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：40V。
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8 @5 _; v7 p# n$ Z5、FHP170N8F3A场效应管：
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0 g8 G9 s% e% r7 x: L7 h5 v最高漏极－源极直流电压为85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，其连续漏极电流为185A，在TC=25℃（Package Limited）下，其连续漏极电流为120A，在TC=100℃下，其连续漏极电流为117.2A。


2 c! y+ T& D- W% [3 E最大脉冲漏极电流（IDM ）：480（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为2.95mΩ；反向传输电容：97pF。
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: a1 B1 P& v3 h9 ?6、FHP110N8F5B场效应管：
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. G' q1 V% `7 J. q* H4 N( f; g其产品参数：具有147A电流、85V电压， RDS(on) = 5.5mΩ(max)，最高栅源电压 @VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，锂电池用MOS管并拥有极低输入电容的特点。


FHP110N8F5B的主要封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：147A；BVdss（V）：85V。
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5 g# Q8 ~* [+ L$ t" a3 {7、FHP100N8F6A场效应管：

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100N8F6A场效应管的最高漏极－源极直流电压为85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，其连续漏极电流为120A，在TC=25℃（Package Limited）下，其连续漏极电流为80A，在TC=125℃下，其连续漏极电流为56A。
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- ]9 c& T) C( F% `, }; B最大脉冲漏极电流（IDM ）：320（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为5.3mΩ；反向传输电容：18pF。
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8、FHP60N1F10A场效应管：
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  g4 V! W, L+ M* ]! ZFHP60N1F10A具有60A、100V， RDS(on) = 12mΩ(max) @VGS =±20 V，具备100% EAS测试，100% Rg测试，储能电源用mos管100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，极低的输入电容的特点。
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! A- \4 v6 M( U( l  \% iFHP60N1F10A的主要封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。

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以上8款产品便是国产MOS管在使用过程中的核心数据呈现，具体可有储能电源开发工程师进一步选择使用。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的，

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飞虹mos管性能还是不错的，但价格也不算便宜！