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mos管这两个参数有什么区别？

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dream123
  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-1-21 15:20

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2022-3-23 09:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    mos管里面
    # b: m. L5 J& M/ ^0 D0 U8 i1 c1 IVDSS 最大漏-源电压  和  V(BR)DSS：漏-源击穿电压(破坏电压)
    1 Y  l! F, O8 t- L0 d6 ~这两个电压怎么理解，有什么区别？: x( d  o) X/ U2 k3 q

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    qian211111
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-21 15:22

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    2#
    发表于 2022-3-23 10:33 | 只看该作者
    VDSS是最大允许的工作电压，VBR是击穿电压，这个电压都要击穿了，所以是不允许加这么高电压使用的，VBR是大于VDSS的

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    replace
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-21 15:21

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    3#
    发表于 2022-3-23 10:44 | 只看该作者
    也就是最大工作电压不能超过VBR，超过MOS就会损坏

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    someone
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:05

    • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到
    4#
    发表于 2022-3-23 10:54 | 只看该作者
    VDSS是最大允许的工作电压，VBR是击穿电压

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