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请问ARM+单片DDR3 地址和控制线到底要不要加端接电阻?

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1#
发表于 2022-3-22 12:55 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如题,楼主看了nxp-imx6 和 TI-AM3358的设计,都是一片DDR3,他们的地址和控制线是不带终端电阻的;" |. u  \/ Z6 Q' E3 G- n* ?
而 XILINX 得 zynq 是带终端电阻的;0 B2 u( o5 C/ F* y' \' t( F
楼主困惑了,那么单片DDR3到底要不要带端接电阻呢?
) u7 c% f% z# V& T+ S谢谢大家0 G. Q) @0 m1 n4 x$ G) O: _

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2#
发表于 2022-3-22 14:27 | 只看该作者
单片的情况允许传输线使用串联式终结而仍可保持信号完整性,这种情况就无需外接终结电阻。串联式终结电阻有可能已经集成在DDR控制器内部。

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3#
发表于 2022-3-22 14:32 | 只看该作者
不带是因为DDR里面带了

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4#
发表于 2022-3-22 15:16 | 只看该作者
这个要仔细看规格书,按照规格书的要求来。有的需要终端匹配,有的不需要。

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5#
发表于 2022-3-23 09:16 | 只看该作者
参考设计加就加,芯片和芯片的I/O是不一样的。
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