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本帖最后由 someone 于 2022-3-21 09:39 编辑
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想必地电路设计的设计师在选择mos管是都有考虑过一个问题，是该选择P沟MOS管还是N沟MOS管？那到底该怎么挑选呢？这就为大家分享。
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* Q4 }8 c) p, o! j! O区别一：导通特性 - [8 [6 z3 \4 f( V3 t+ [
N沟MOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。而PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
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3 R# N5 {( X, e1 F" b6 A区别二：MOS开关管损失
- b6 r G: Q6 h# w不管是N沟MOS还是P沟MOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。而选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗，且现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，也有几毫欧。除此之外，MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的，这是有一个下降的过程，流过的电流也有一个上升的过程。 9 k% v' I& H$ \7 {& d) }' J
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7 Q# h* @* c% V" z, a: b: i: M在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大，所以缩短开关时间，减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。 - p2 L% g' o# I) D! L1 L
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区别三：MOS管使用
2 C3 u; R, C4 w2 y" B9 eP沟MOS管的空穴迁移率低，因而在MOS管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS管的跨导小于N沟MOS管。此外，P沟MOS管阈值电压的绝对值偏高，要求有较高的工作电压。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在N沟MOS管出现之后，多数已为NMOS管所取代。只是，因P沟MOS管工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。 . q1 t, D, i d$ @3 \2 V* G/ J
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发表于 2022-3-21 09:38
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