找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 2695|回复: 5
打印 上一主题 下一主题

[仿真讨论] DDR2 地址信号最后上拉VTT电阻的大小对DDR2有什么影响?

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2011-9-14 10:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
从仿真结果来看,当上拉电阻较小,比如50欧姆,接收端芯片的高电平幅值较低,只有1.35v左右,低电平幅值较高,0.45v左右,这样不会影响高低电平判断。DDR2可以正常工作。( q+ i" H2 Y8 G% m9 C
当阻值100欧姆,高电平升高,低电平降低,0 @  m' c* z1 s
电阻越大高低电平越接近DDR2的1.8v电平。3 g* a4 w$ b' q  l$ D
当阻值变为4.7K时高电平升到1.8v左右,低电平也降到0v左右,这样似乎是比较符合DDR2电平。但似乎没有设计会把那个阻值设的很大,一般都是50欧姆以下。/ g6 y/ k& z  M, j
' K" z2 M3 m4 O$ f  c8 G$ G
我的问题是这个电阻大小有要求么?电阻的大小对DDR2工作有什么影响?我在Jedec中没有找到关于这个阻值的spec。

该用户从未签到

2#
发表于 2011-9-14 19:21 | 只看该作者
这个根据仿真确定的吧,为了防止过冲和下冲会弄的电压范围小一点。只要满足电平DC/AC特性都可以。

该用户从未签到

3#
发表于 2011-9-14 21:51 | 只看该作者
一般组织控制在50欧姆左右,组要是匹配特性阻抗

该用户从未签到

4#
发表于 2011-10-18 11:22 | 只看该作者
高人还未出现

该用户从未签到

5#
发表于 2011-10-19 17:46 | 只看该作者
做端结用的电阻肯定要和要求的信号传输线的阻抗相匹配的,个人认为是这样的!!!

该用户从未签到

6#
发表于 2011-10-19 21:34 | 只看该作者
我看过的匹配值一般是用将近50欧的,这样可以吸收反射,你看到的电压摆幅大是因为反射叠加了电平。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-6-28 08:06 , Processed in 0.078125 second(s), 24 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表