ESD 可以通过五种耦合途径进入电子设备

HL010115

ESD 可以通过五种耦合途径进入电子设备：
1. 初始的电场能容性耦合到表面积较大的网络上，并在离 ESD 电弧 100mm 处产
生高达 4000V/m 的高压。
2. 电弧注入的电荷/电流可以产生以下的损坏和故障：
a. 穿透元器件内部薄的绝缘层，损毁 MOSFET 和 CMOS 元器件的栅极(常见)。
b. CMOS 器件中的触发器锁死(常见)。
c. 短路反偏的 PN 结(常见)。
d. 短路正向偏置的 PN 结(少见)。
e. 熔化有源器件内部的焊接线或铝线(少见)。
3. 电流会导致导体上产生电压脉冲(V=L×dI/dt)，这些导体可能是电源、地或信号
线，这些电压脉冲将进入与这些网络相连的每一个元器件(常见)。
4. 电弧会产生一个频率范围在 1MHz 到 500MHz 的强磁场，并感性耦合到临近的
每一个布线环路，在离 ESD 电弧 100mm 远的地方产生高达 15A/m 的电流。
5. 电弧辐射的电磁场会耦合到长的信号线上，这些信号线起到接收天线的作用(少
见)。