二级管的分类及特性

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一、依据构造分类
半导体二极管首要是依托PN结而作业的。与PN结不行切开的点触摸型和肖特基型，也被列入通常的二极管的计划内。包含这两品种型在内，依据PN构造造面的特征，把晶体二极管分类如下：
1、点触摸型二极管
点触摸型二极管是在锗或硅资料的单晶片上压触一根金属针后，再经过电流法而构成的。因而，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。可是，与面结型比照 较，点触摸型二极管正向特性和反向特性都差，因而，不能运用于大电流和整流。由于构造简略，所以报价廉价。关于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一 般用处而言，它是运用计划较广的类型。
2、键型二极管
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而构成的。其特性介于点触摸型二 极管和合金型二极管之间。与点触摸型比照照，尽管键型二极管的PN结电容量稍有添加，但正向特性情外优秀。多作开关用，有时也被运用于检波和电源整流(不 大于50mA)。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、合金型二极管
5 c* |( @4 S! P: M在N型锗或硅的单晶片上，经过合金铟、铝等金属的办法制造PN结而构成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
7 L: Q3 X$ s+ J1 O2 u- ^' F  n( {4、涣散型二极管
$ `8 q" w" r- j9 G8 d) V- K在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片外表的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。近期，运用大电流整流器的干流已由硅合金型搬运到硅涣散型。
5、台面型二极管
PN结的制造办法尽管与涣散型相同，可是，只保存PN结及其必要的有些，把不必要的有些用药品腐蚀掉。其剩下的有些便呈现出台面形，因而得名。前期出产 的台面型，是对半导体资料运用涣散法而制成的。因而，又把这种台面型称为涣散台面型。关于这一类型来说，如同大电流整流用的商品类型很少，而小电流开关用 的商品类型却许多。
6、平面型二极管
$ T$ w4 E( t/ F0 q5 F3 X. C3 x0 k在半导体单晶片(首要地是N型硅单晶片)上，涣散P型杂质，运用硅片外表氧化膜的屏蔽效果，在N 型硅单晶片上仅挑选性地涣散一有些而构成的PN结。因而，不需求为调整PN结面积的药品腐蚀效果。由于半导体外表被制造得平坦，故而得名。并且，PN联络 的外表，因被氧化膜掩盖，所以公以为是安稳性好和寿数长的类型。初步，关于被运用的半导体资料是选用外延法构成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型 二极管而言，如同运用于大电流整流用的类型很少，而作小电流开关用的类型则许多。
& f: X0 _+ H3 L- u0 g6 J7、合金涣散型二极管
它是合金型的一种。合金资料是简略被涣散的资料。把难以制造的资料经过夸姣地掺配杂质，就能与合金一起过火散，以便在现已构成的PN结中取得杂质的恰当的浓度散布。此法适用于制造高活络度的变容二极管。
8 [) U1 {2 i2 O* x4 @8、外延型二极管
用外延面长的进程制造PN结而构成的二极管。制造时需求十分高明的技术。因能随意地操控杂质的纷歧样浓度的散布，故合适适制造高活络度的变容二极管。
9、肖特基二极管
: V( f! k- A* C. P% S根柢原理是：在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的触摸面上，用已构成的肖特基来阻遏反向电压。肖特基与PN结的整流效果原理有根柢性的差异。其耐压 程度只需40V分配。其专长是：开关速度十分快：反向恢复时刻trr格外地短。因而，能制造开关二极和低压大电流整流二极管。
% z) C+ Q' \. V二、依据用处置类
1、检波用二极管
/ s/ w# T0 P2 V9 W就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的巨细(十0mA)作为间隔通常把输出电流小于十0mA的叫检波。锗资料点触摸型、作业频 率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波功率高，频率特性好，为2AP型。相似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、 调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一起性好的两只二极管组合件。
2、整流用二极管
就原理而言，从输入沟通中得到输出 的直流是整流。以整流电流的巨细(十0mA)作为间隔通常把输出电流大于十0mA的叫整流。面结型，作业频率小于KHz，最高反向电压从25伏至 3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆作业频率近十0KHz的2CLG 型。
/ C8 ~$ Y1 w! [# i  g3、限幅用二极管
大大都二极管能作为限幅运用。也有象维护外表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有格外强的绑缚尖利振幅的效果，通常运用硅资料制造的二极管。也有这么的组件出售：依据绑缚电压需求，把若干个必要的整流二极管串联起来构成一个全体。
4、调制用二极管
通常指的是环形调制专用的二极管。即是正向特性一起性好的四个二极管的组合件。即便其它变容二极管也有调制用处，但它们通常是直接作为调频用。
6 v( C' b2 g& V& f5、混频用二极管
运用二极管混频办法时，在500～十,000Hz的频率计划内，多选用肖特基型和点触摸型二极管。
6、拓宽用二极管
用二极管拓宽，大致有依托地道二极管和体效应二极管那样的负阻性器材的拓宽，以及用变容二极管的参量拓宽。因而，拓宽用二极管通常是指地道二极管、体效应二极管和变容二极管。
7、开关用二极管
有在小电流下(十mA程度)运用的逻辑运算和在数百毫安下运用的磁芯鼓动用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点触摸型和键型等二极管，也有在高温 下还或许作业的硅涣散型、台面型峻峭面型二极管。开关二极管的专长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时刻特短，因而是志趣的开关二极管。2AK型点接 触为中速开关电路用;2CK型平面触摸为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅大电流开关，正向压降小，速度快、功率 高。
8、变容二极管
! h' B1 m% ]; z/ y5 I% a7 u用于主动频率操控(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。经过施加反向电压， 使其PN结的静电容量发作改动。因而，被运用于主动频率操控、扫描振动、调频和调谐等用处。通常，尽管是选用硅的涣散型二极管，可是也可选用合金涣散型、 外延联络型、两层涣散型等格外制造的二极管，由于这些二极管关于电压而言，其静电容量的改动率格外大。结电容随反向电压VR改动，替代可变电容，用作调谐 回路、振动电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道改换和调谐电路，多以硅资料制造。
4 Y) D% k  S" V* ^% g9、频率倍增用二极管
0 S; n" X/ D% A5 x. \5 {对二极管的频率倍增效果 而言，有依托变容二极管的频率倍增和依托阶跃(即剧变)二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器尽管和主动频率操控用的变容 二极管的作业原理相同，但电抗器的构造却能接受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到封闭时的反向恢复时刻trr短，因而，其专长是急 速地变成封闭的搬运时刻显着地短。假定对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt(搬运时刻)短，所以输出波形急骤地被夹断，故能发作许多高频谐波。
# _; D- S4 O7 y1 k- S十、稳压二极管
" S; T& U; o) P是替代稳压电子二极管的商品。被制构变成硅的涣散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤改动的二极管。作为操控电压和规范电压运用而制造的。二极管作业时 的端电压(又称齐纳电压)从3V分配到150V，按每隔十%，能差异红许多等级。在功率方面，也有从200mW至十0W以上的商品。作业在反向击穿状 态，硅资料制造，动态电阻RZ很小，通常为2CW型;将两个互补二极管反向串接以削减温度系数则为2DW型。
: U* J. n6 ~- g' l2 t4 K$ N11、PIN型二极管(PIN Diode)
这是在P区和N区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)构造的晶体二极管。PIN中的I是"本征"含义的英文略语。当其作业频率跨过 十0MHz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时刻效应，其二极管失掉整流效果而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改动。在零偏 置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高;在直流正向偏置时，由于载流子写入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状况。因而，能够把PIN二极管作 为可变阻抗元件运用。它常被运用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中。
12、 雪崩二极管 (Avalanche Diode)
2 M  T3 a; _. x8 m$ r它是在外加电压效果下能够发作高频振动的晶体管。发作高频振动的作业原理是栾的：运用雪崩击穿对晶体写入载流子，因载流子渡越晶片需求必定的时刻，所以 其电流滞后于电压，呈现推延时刻，若恰本地操控渡越时刻，那么，在电流和电压联络上就会呈现负阻效应，然后发作高频振动。它常被运用于微波范畴的振动电路 中。
13、江崎二极管 (Tunnel Diode)
它是以地道效应电流为首要电流重量的晶体二极管。其基底资料是砷化镓和锗。其P 型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。地道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所发作。发作地道效应具有如下三个条件：①费米能级坐落导带和满带 内;②空间电荷层宽度有必要很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的或许性。江崎二极管为双端子有源器材。 其首要参数有峰谷电流比(IP/PV)，其间，下标"P"代表"峰";而下标"V"代表"谷"。江崎二极管能够被运用于低噪声高频拓宽器及高频振动器中 (其作业频率可达毫米波段)，也能够被运用于高速开关电路中。
4 s* V" |- O( @" @; O14、活络关断(阶跃恢复)二极管 (Step Recovary Diode)
它也是一种具有PN结的二极管。其构造上的特征是：在PN结间隔处具有峻峭的杂质散布区，然后构成"自助电场"。由于PN结在正向偏压下，以少数载流子 导电，并在PN结邻近具有电荷存贮效应，使其反向电流需求履历一个"存贮时刻"后才调降至最小值(反向饱满电流值)。阶跃恢复二极管的"自助电场"缩短了 存贮时刻，使反向电流活络截止，并发作丰盛的谐波重量。运用这些谐波重量可计划出梳状频谱发作电路。活络关断(阶跃恢复)二极管用于脉冲和高次谐波电路 中。
15、肖特基二极管 (Schottky Barrier Diode)
1 [/ ?1 T( R7 G2 L2 v它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向 初步电压较低。其金属层除资料外，还能够选用金、钼、镍、钛等资料。其半导体资料选用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器材是由大都载流子导电的，所以， 其反向饱满电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时刻常数绑缚，因而，它是高频和快 速开关的志趣器材。其作业频率可达十0GHz。并且，MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管能够用来制造太阳能电池或发光二极管。
16、阻尼二极管
具有较高的反向作业电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。
17、瞬变电压按捺二极管
% i/ z: {5 i0 Y' q: qTVP管，对电路进行活络过压维护，分双极型和单极型两种，按峰值功率(500W-5000W)和电压(8.2V～200V)分类。
( B2 b& k1 G# Q, h18、双基极二极管(单结晶体管)
两个基极，一个发射极的三端负阻器材，用于张驰振动电路，守时电压读出电路中，它具有频率易调、温度安稳性好等利益。
' r4 b7 z! t" O7 j19、发光二极管
用磷化镓、磷砷化镓资料制成，体积小，正向驱动发光。作业电压低，作业电流小，发光均匀、寿数长、可发红、黄、绿单色光。
三、依据特性分类
. i9 Q8 V% ]) R( F2 a9 V4 A点触摸型二极管，按正向和反向特性分类如下。
1、通常用点触摸型二极管
3 L+ n+ y+ Y% `; i; n2 V$ i. l, _' J这种二极管正如标题所说的那样，通常被运用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不格外好，也不格外坏的基地商品。如：SD34、SD46、1N34A等等归于这一类。
& v! i# y2 ]4 `5 Q# W: ]' ]2、高反向耐压点触摸型二极管
2 z4 h8 z* |& t% D是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的商品。运用于高压电路的检波和整流。这品种型的二极管通常正向特性不太好或通常。在点触摸型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗资料二极管，其耐压遭到绑缚。恳求更高时有硅合金和涣散型。
3 _7 w" r& a9 w% {+ G0 `3、高反向电阻点触摸型二极管
正向电压特性和通常用二极管相同。尽管其反方向耐压也是格外地高，但反向电流小，因而其专长是反向电阻高。运用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗资料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等归于这类二极管。
4、高传导点触摸型二极管
它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得满意小。对高传导点触摸型二极管而言，有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言，能够得到更优秀的特性。这类二极管，在负荷电阻格外低的状况下，整流功率较高。

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二极管的分类这样看有好多，但是一般最常用的就是稳压二极管

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二极管原来分这么多