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程序容易跑飞得问题

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1#
发表于 2011-9-7 18:42 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 风信子—yiyi 于 2011-9-7 18:44 编辑
$ _0 p. ~1 y! `6 \' t3 R% `
+ D; F2 a9 s+ J1 A最近布了块板,里面有133M的SDRAM,CPU的频率400M左右。
+ h5 P- ~$ W) R/ O5 k7 E0 X( @# f' w- t板子一共做了三块,电源都正常,目前只有一块能用,另外两块能找到CPU,但是无法初始化SDRAM
3 S' N7 O- h( @就那唯一一块能用的,也老出现程序跑飞的问题。怀疑是否是SDRAM布线布得不好导致的。现在把我SDRAM部分的给大家看下,希望能为我分析分析,指出其中的缺点
, j! w+ d% s% H* f5 `5 K8 S  Z3 s板子是四层的,S-G-P-S划分,等长设计上,时钟线与控制线都在-/+100mil内,各组数据线分别在-/+50mil等长。/ [5 d6 J1 G% o! w$ e' R
用hyperlynx仿真,数据线与控制线的延时相当,各组数据线几乎重合。过冲在0.3V内的样子1 i* D/ b1 J: F
: ]! R+ T. R' Q) h
底层布线
9 V. d" |$ f. B1 Y# l% @# k+ M
# K: J  H0 M) T- _4 B
+ m* w3 u# V1 F# V0 c" I7 S顶层布线
) Z0 A% \: g9 Q: r& m
7 T+ G$ C& j' }- s/ b6 I# R. r
) w' K1 H4 k- E* _3 t底层和顶层

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2#
 楼主| 发表于 2011-9-7 18:50 | 只看该作者
CPU下面的排阻和几个小电阻都是地址线和控制线的,CPU左边的排阻是数据线的

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3#
发表于 2011-9-7 22:13 | 只看该作者
你用的 SDRAM 是 CPU 原廠認可的型號嗎? 雖然有些 SDRAM 看規格書似乎可以替換,可是實際卻不一定可行。另外有些cpu 在軟件 boot loader 裡面 是可以調整 SDRAM  時間參數,去符合不同的時間差。
+ M& M! F; |* s
# [! c: C) h5 J6 d0 g如果不是LAYOUT問題,有時候可以試試看,在SDRAM CLK 放上<20PF 不同值的電容器(4.7PF, 6.8PF, 10PF,... 如果可以的話盡量靠近 CPU 端), 稍微延遲一下CLK,看看會不會改善情況。
; q1 {2 `6 ~# u! k, X
* B5 \. a7 C% A3 Z. [本人曾經遇過 INTEL CPU + ISSI SDRAM 是 OK 的 ,為了便宜更換成 ICSI SDRAM,結果在大量生產才發現有固定的不良率。有些 SRDAM 某些特性還會有溫飄(這才麻煩)。
  e+ t2 \6 p6 E1 Y7 t
7 P' z+ ?( I8 N另外在手機上使用 MCP IC (NOR flash + LPSDRAM 或是 NAND flash + LPSDRAM  ) 更是麻煩,如果沒有原始碼,又沒有原廠的支援,根本不能隨意更換。(除了FALSH ID, SDRAM 參數也是一環)- P" b' |8 U4 X& D! S

1 D/ I2 q  Q5 F

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4#
 楼主| 发表于 2011-9-8 11:58 | 只看该作者
jacklee_47pn 发表于 2011-9-7 22:13 & A2 s: H+ p; A3 w
你用的 SDRAM 是 CPU 原廠認可的型號嗎? 雖然有些 SDRAM 看規格書似乎可以替換,可是實際卻不一定可行。另外 ...
, E, W( Y8 f0 X* g% Z. Q7 f
恩,SDRAM是原厂认可的型号
& l8 R0 k( F: q3 \6 t" i我加了个10PF的电容,并且电容还串了个10欧姆的电阻限流,仿真情况波形很平滑,边缘率确实变缓,可是上电后程序立马就飞掉了。。。

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5#
发表于 2011-9-8 12:04 | 只看该作者
如果不加10歐姆, 程序還會飛掉嗎?
  • TA的每日心情
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    2025-9-30 15:00
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    6#
    发表于 2011-9-8 14:43 | 只看该作者
    133m sdram不用做等长串电阻都应该跑的很好,是否时序问题,看看数据眼图和时钟的抖动吧。

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2011-9-8 15:11 | 只看该作者
    133M,根本就不用做等长,楼主拿掉一颗,软件修改一下试试看。

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    8#
    发表于 2011-9-8 17:55 | 只看该作者
    楼主的这个SDRAM程序跑飞是指的什么意思??不太理解

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2011-9-9 09:39 | 只看该作者
    qiangqssong 发表于 2011-9-8 17:55 : |# P# D6 G3 S9 _
    楼主的这个SDRAM程序跑飞是指的什么意思??不太理解

    ! B' `: E2 Q- `2 c$ [( y对呀,如何判定程序是不是跑飞了,有什么症状吗?或者怎么测出来的。

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    10#
     楼主| 发表于 2011-9-9 18:34 | 只看该作者
    caiyongsheng 发表于 2011-9-9 09:39 5 y  |$ M$ P0 z! m  X4 J9 N
    对呀,如何判定程序是不是跑飞了,有什么症状吗?或者怎么测出来的。
    $ `# f& X0 f) i7 V1 }3 _1 U
    就是一开始工作正常,工作一段时间就不运行了,重上电后又正常工作

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    11#
     楼主| 发表于 2011-9-9 18:36 | 只看该作者
    jacklee_47pn 发表于 2011-9-8 12:04
    5 [" T/ j, {+ C* I# j6 W. v' t如果不加10歐姆, 程序還會飛掉嗎?
    - [( f. i; A. F8 ?2 W' g8 s
    我没试,但是我都去掉后,板子已经不能正常启动了,程序几乎才开始就出现乱码

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    12#
    发表于 2011-9-10 22:06 | 只看该作者
    想必你是將 10PF 和 10 歐姆解焊後就去跑程序,但是我不知道你的 R 和 C 是放哪邊,如果真是解焊後馬上跑程序會造成程序飛掉,如果稍微放一下時間之後就 OK ,想必會跟溫度有點關係。, I$ f/ x) L9 W/ e; H

    9 v" B8 M' _% T3 ]+ V# m以之前經驗,盡量試試看是不是真的跟溫度有關係,利用一般吹吹頭髮的吹風機,或是 SMD 拆銲設備的熱吹風機,將局部加熱逐一加熱 (例如CPU, SDRAM, PMIC, ......),看看是不是真的會讓程序亂掉(溫度控制在120度以下)。有時候也會用冷凍劑試試看會不會溫飄。這是通常是在RD端初期的驗證,(還沒到產品的品質檢驗),先可以檢查電路是不是有問題。如果有些原件特別對溫度敏感,也是會造成問題。
    0 Z4 P% J* M1 Y/ s
    - W3 X( x. w& V0 E/ l如果你的產品可以接上 JTAG ICE,建議可以先在上面直接對 IO interface 做測試(例如SDRAM 讀/寫測式,看看是不是正常),這樣會比較好找出問題。6 [+ b! E" Y! `& I; G0 r% b
    + L$ I  @; X2 E1 U' F7 j0 O# E
    另外我不知道你的產品是什麼,相信其來源也是授權的,所以應該也是可以問問原廠 FAE ,請求幫忙協助,這樣會比較快。9 f3 C5 m0 u% d

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    13#
    发表于 2011-9-11 11:13 | 只看该作者
    风信子—yiyi 发表于 2011-9-9 18:34
    % X5 k* A* t" c# k' Q0 l就是一开始工作正常,工作一段时间就不运行了,重上电后又正常工作
    6 e/ \3 l' V+ H) t) X
    我之前也遇到过这种情况,没找到原因,跑的linux系统,串口打印出来的信息,前面跑的还正常,后面就挂了,也不知道是哪里贴错元件了,还是焊接不良,后面重新搞了板子,什么都没动,就好了.

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    14#
     楼主| 发表于 2011-9-20 21:48 | 只看该作者
    willyeing 发表于 2011-9-8 14:43 " \, _; M' _/ I/ W  B
    133m sdram不用做等长串电阻都应该跑的很好,是否时序问题,看看数据眼图和时钟的抖动吧。

    ! R: L! @  x; B, ?2 y2 K/ A- S如果不等长也行那是不是不该是硬件的问题而是软件的问题?
    $ |3 o' O+ F' g) M8 k不串电阻的话我仿真发现过冲非常大,有5V以上呢,那样估计对器件的寿命影响会很大吧?
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    15#
    发表于 2011-9-21 09:24 | 只看该作者
    风信子—yiyi 发表于 2011-9-20 21:48
    $ ~2 `2 A0 U$ \如果不等长也行那是不是不该是硬件的问题而是软件的问题?
    2 x5 W, [7 k7 @/ L$ m' O不串电阻的话我仿真发现过冲非常大,有5V以上 ...
    6 N# i6 `' y$ H- f$ I9 R" ?# J2 w4 s7 E
    不等长不串阻尽量靠近主芯片,数据组优先考虑让线长最短,其它组要好些因为单向频率为时钟的一半,一般的话单片sdram我仿真过数据组应该在 1.2inch以内,其它1.5inch,dqs与clk之间不要想差半周期的1/20.这里大概是1inch多的距离。至于过冲只要符合能量不要超过就可以了,峰值超过datasheet规定的瞬时能量值太多当然不行。如果不超过不会影响寿命的。大厂datasheet做的很保守的。1.5inch之内过冲不会太大应该4v多一点吧。还跟你得驱动沿有关越陡峭过冲越大。
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