TA的每日心情 | 开心 2022-1-29 15:04 |
---|
签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
一、雪崩破坏& ^# \. R' |* E0 w, A8 S4 t
5 Q7 n# J% m% w/ N- |
如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS(根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
, [' C9 Z' J; L4 K" S; K2 _2 P2 m
. P0 e4 z4 w& Y( W% Q% q% g 在1质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率mos管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。
& X" T* n/ v4 d. `1 m5 X7 v. a) m% a7 l
2 y2 \4 {- _" i, M- k" M8 X$ z, n0 @, m0 H% x {
二、器件发热损坏9 u* R5 n* \" B4 L
, F9 O& _) Y$ a2 R+ F
由超出安全区域弓|起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率原因:外加直流功率而导致的损耗弓|起的发热
3 r9 [9 ~4 q; N) t4 i4 D% \0 P
6 e+ z# \; o7 B5 x8 t) T 导通电阻RDS(on)损耗(高温时RDS(on)增大,导致一定电流下,功耗增加)由漏电流IDSS引起的损耗(和其他损耗相比极小)瞬态功率原因:外加单触发脉冲负载短路
/ i) Y0 c/ K; @+ c) S3 q1 c7 a8 B7 d6 w
开关损耗(接通、断开)*(与温度和工作频率是相关的)
8 T; [) o# a$ W* Q" u
# ]" I- U1 g0 @9 ?: [ MOS管的rr损耗(上下桥臂短路损耗)(与温度和工作频率是相关的)
9 T! z! M6 q& M0 Q; y/ D
$ V, R7 d+ G# p' }# U$ ~- q 器件正常运行时不发生的负载短路等弓|起的过电流,造成瞬时局部发热而导致破坏。另外,由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时,持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。
3 V; G+ V- `" H* S9 t( y" a1 y* |" y; M1 A/ c6 _
三、内置二极管破坏) _% M' w7 q4 T! P
' K' Q+ E$ l' ]% ` ]
在DS端间构成的MOS管运行时,由于在flyback时功率MOS管的寄生双极晶体管运行,导致此二极管破坏的模式。5 B* c, }0 U( t: C
/ |: D+ k# F3 i7 E* U
四、由寄生振荡导致的破坏此破坏方式在并联时尤其容易发生. W3 {7 U1 x" z1 f4 @0 B
8 F- I* g* }1 O7 l3 x( n2 ^4 z% v 在并联功率MOS管时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极源极电压时,在由栅极-漏极电容Cgd(rss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件(wL=1/wC)成立时,在栅极源极间外加远远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压,由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏,或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈,因此可能会由于误动作弓起振荡破坏。
. ^2 u% Q! A, \3 {" Q- l- Z5 w0 W% R) S5 i0 t5 _: |4 l- e
五、栅极电涌、静电破坏
! Y# I$ L1 B/ h, ~
( p" {1 F4 H9 u8 y$ i+ @: ^& y2 a 主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而弓起的破坏,即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端(包括安装和和测定设备的带电)而导致的栅极破坏
* O- x8 i6 _: X0 g6 ] |
|