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常见的集成电路封装汇总

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  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:05
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2022-2-18 11:07 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    1、BGA封装(ball grid array)
    3 a8 Q5 V" H' O- T' M8 C
    " t8 I; U9 k3 b" c) F- L' z! {7 f# X4 \- a9 r
    球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。2 ^( O4 R# ^% V) `. [; R% {
    ! v0 u0 L' W  L9 x& J

    - R0 H4 a5 {  O6 |% p, d% k
    & {; ]5 |; J) O% T: c) N( W
    2 n- F  H3 C' S
    4 i. s, ?+ R# l) `, o$ m8 @2、BQFP封装(quad flat package with bumper)* M, R2 c' m. W6 T7 _, {: K
    # U* q3 r1 w% F' ]( n5 m

    6 y/ n3 U6 Y1 R5 L1 V8 z$ r, p带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84到196左右(见QFP)。
    / U( j1 e6 C! U) k2 ^( b( s& e) U; n1 E2 P# M
    # ]/ W* Y- ]) [- z7 E
    4 ?& T) i7 Q+ p8 g* E' m0 |' e
    / D$ `- D/ [/ I) _

    1 Z, W2 W; K+ a1 K. E$ k, v8 Q1 j; U3、碰焊PGA封装(butt joint pin grid array)5 K* {' {9 c. y1 \

    8 z" q) S* A1 p0 v5 f6 ]7 [, H; c/ w5 i
    表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。$ P" K9 G/ e# V0 l6 t6 Z5 A  H

    ' N( X: A# R" q! S) ?
    3 y. O1 Q4 o: K' ?6 g4、C-(ceramic)封装
    $ `7 ]+ Z0 z0 W1 u1 f1 l# a+ C' E8 X; @) N) M3 Z1 I4 `
    5 A+ [- ?4 D" {) ?, r* x* p( L
    表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
    2 k- I0 Y+ B! v' I
    4 ?! I  V( g9 ]
    : e& C: k1 _7 D9 Q2 ^1 y  }- G5、Cerdip封装5 Z( Y2 Q5 d/ E8 O7 {

    / M4 ^) Z' q7 W% |2 T2 y6 m4 G
    / H0 G6 }  P  n/ w, e1 v+ {用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。
    ) s6 M5 u! I$ h3 Y9 {/ c6 _, t' a
    4 b6 ?3 E( u- d
    ; j  ]& [* r/ i" a- A! }9 x6、Cerquad封装8 f+ a1 P8 [" R3 j4 M

    & s. z* u" s* x- Q! _' H
      v' e" B' T. ~5 d1 k2 F表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好,在自然空冷条件下可容许1.5~2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3~5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。
    ; J7 p3 Z; D1 e% x: l9 Q
    - v2 z9 C% O  E! y) W. [
    # V# ?8 Z" c1 {9 Y. v! {带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
      o; T' R0 o1 C* O) q$ Y* S. K* P. T# V

    ( {+ ?  ]1 j- P9 f: O6 O7、CLCC封装(ceramic leaded chip carrier)
    / V; H* x- `. M( `- s/ [$ p0 c4 `3 P$ }( T9 N+ H  t3 X+ R6 U
    % R4 S4 k. v0 e. V4 W" z
    带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
    6 D0 L) E) \* {9 H9 S7 ?( Y
    8 k8 x7 _/ W0 [( @; w! H
    & j6 ?! I! I) N9 n1 C8、COB封装(chip on board)
    4 D" n2 a7 z  h/ Y3 w& I" }; D6 c5 j4 K# g( l, Q
    , j6 G# @2 x# G- h$ o
    板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可*性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。
    ) C/ J/ s5 n0 E- T3 s8 {3 N* {( G* w: r2 u% E
    0 e' X; o8 J# i: _5 a

    - @7 m" a' ?: V) z
    9 ~. D; ?7 [6 s* x/ a
    ( O% \/ B! R# g& H' u9、DFP(dual flat package)( I9 O# |+ t6 t4 L8 W* D
    ) P( d  ~, B- Q$ v

    ! M9 u7 l$ c' |$ H, Q1 Q0 v双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。/ U! O. [5 y. n
    & P4 T, ]. B. y1 U3 x
    6 O! v( _5 y6 z. A5 z1 P
    10、DIC(dual in-line ceramic package)
    ( G% X# l9 ^# |/ }  J, I7 J
    8 y; T& w0 ~9 K5 F% h5 a. T7 E4 E7 r" N, F; T2 }& z" H4 d+ H
    陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
    ) a7 ^5 v# Q: y' i- @* B: j% ]- e) L( E: ~1 J; W1 n6 i8 E

    " \5 a( ?1 W# i1 B11、DIL(dual in-line)3 v! A) {+ L7 g% R) z, y. ]- G

    * t$ x% J. y* K- D4 T# R: f9 w) z
    DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
    3 i8 ]( e. i2 |6 ^; u
    7 ?7 l' R, c0 S1 n
    7 A1 C" T* W0 o8 p! P% B$ M12、DIP(dual in-line package)! x- x9 T1 O) \$ l
    - v$ b8 D6 w, ~  G6 h

    * x5 A+ U: I( |7 D+ G( V4 A8 K& {双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinny DIP和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。3 X- n5 V( K; X3 K" E6 B- y$ u& H& h

    % Z4 T+ X0 |) t! o* Z7 N' t7 ], [% w4 W: H( _
    : r1 C. o% T) |6 m/ s

    $ N# Z; ?( `; b6 F  n+ Z' d2 C
    / C2 ^, _0 E- |13、DSO(dual small out-lint)9 k( t$ g2 N5 ]7 A. [" r! L
    & I  _7 _! T6 H2 g" P4 x* t. J  a
    # U. o+ ?% Z& u9 l; E
    双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。1 L/ I  ?/ c2 C# }. G7 a

    $ K. V+ }2 j7 j4 @* j9 u8 J( F! ?. V% N/ b; ]% I3 j
    14、DICP(dual tape carrier package)
    ! F5 l9 U3 y6 K  g% F0 t% m7 ~5 G$ d0 T* Q. u

    - p: T7 x8 k. ]; d7 o7 x双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。另外,0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定,将DICP命名为DTP。+ B$ i! Q+ S6 t# O: a, ]
    0 [) N# `  H) }+ J+ N# F; W

    % k; g! N8 p9 o3 n; d7 a" A" G" S4 J15、DIP(dual tape carrier package)! ?+ b- N8 o  ~" }! O; y
    ' ^5 I( q6 h# D! s4 K# q) ~2 u8 b8 b+ M% ~8 |
    3 `) D. ^  {( Y4 a
    同上。日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。
    . F' w- Y+ r( o, o; U1 i* r. A! h( \* U
    & x5 i; y2 C& M9 @( t* L
    16、FP(flat package)% K9 y% ?8 t0 O: z1 Q

    1 Y: R" F; P. D& c) ?! y4 u
    9 t8 {8 y" [' B7 z1 L; X: m5 W扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。5 {2 @; i  Z% a# P8 a
    2 T# C: F* t3 h  M& b2 B# _

    6 B; a# }. k. b* J
    % i( B" q- ]; L) g5 D/ f
    : r' \: e/ T4 S1 a8 l! T5 R! `1 h1 _! K
    17、Flip-chip
    & i# o3 {. u" G3 Z
    * H/ O# e( t& K( k
    4 q" e6 c$ l# ?3 J" o倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。6 M6 ^# T/ ~8 E2 m3 C* K
    / a; U1 q4 f$ q! i1 u
    / ~) Y9 o/ N% K2 W( ]3 c& y" t
    但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
    : ]: S$ L. ~; c+ {6 N: f! d8 S. d. D$ m& g( x. ~/ R) `* l

    7 R# H6 U- a8 P0 J' `其中SiS 756北桥芯片采用最新的Flip-chip封装,全面支持AMD Athlon 64/FX中央处理器。支持PCI Express X16接口,提供显卡最高8GB/s双向传输带宽。支持最高HyperTransport Technology,最高2000MT/s MHz的传输带宽。内建矽统科技独家Advanced HyperStreaming Technology,MuTIOL 1G Technology。
    4 _1 u. `5 @0 D
    - O2 J! F9 M! P+ T6 P: X; }: o; s$ J. |- W% ~! p
    18、FQFP(fine pitch quad flat package)
    2 X6 A, _! j/ f4 o, e) J% W1 A* X( B9 B$ @8 M" w# ]

    - y" T# A9 ]2 {: ]0 `7 S, Z小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package): D5 R3 q- y! c& W# S8 B- W- U

    ) y6 y0 f( M) G0 M2 G* A3 b# o  ~" q& X
    PQFP的封装形式最为普遍。其芯片引脚之间距离很小,引脚很细,很多大规模或超大集成电路都采用这种封装形式,引脚数量一般都在100个以上。Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板芯片采用这种封装形式。此种封装形式的芯片必须采用SMT技术(表面安装设备)将芯片与电路板焊接起来。采用SMT技术安装的芯片不必在电路板上打孔,一般在电路板表面上有设计好的相应引脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点,即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片,如果不用专用工具是很难拆卸下来的。SMT技术也被广泛的使用在芯片焊接领域,此后很多高级的封装技术都需要使用SMT焊接。, D, _/ j3 l8 }! G, {
    9 I+ h" }9 Q: d, R1 a8 v

    2 v0 z# |& l9 b; f) [* F+ F) x# t1 d* H以下是一颗AMD的QFP封装的286处理器芯片。0.5mm焊区中心距,208根I/O引脚,外形尺寸28×28mm,芯片尺寸10×10mm,则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1:7.8,由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小了。$ c& S# n4 b5 f4 G  _

    " Z/ W. U2 v3 w) m  a6 b8 b  h* I2 A0 C. C
    19、CPAC(globe top pad array carrier)
    0 z: B  I5 X) b; X9 ]4 Y2 h
    + k; @: ?+ }2 {# O
    ' R: l  c, f6 J0 O" i6 y+ c0 o美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
    ( G2 N% e$ C8 k( V
    & e+ }8 O0 b5 H: U8 J% K8 u/ l
    5 f7 |9 V4 D2 T20、CQFP軍用晶片陶瓷平版封裝(Ceramic Quad Flat-pack Package)
    7 u( A: N" ^9 a. S! `$ I+ v, i1 d) i3 x7 \% o( i# _/ t* L8 w
    / ~0 T. E0 R' G/ Y, @, {% e
    右邊這顆晶片為一種軍用晶片封裝(CQFP),這是封裝還沒被放入晶體以前的樣子。這種封裝在軍用品以及航太工業用晶片才有機會見到。晶片槽旁邊有厚厚的黃金隔層(有高起來,照片上不明顯)用來防止輻射及其他干擾。外圍有螺絲孔可以將晶片牢牢固定在主機板上。而最有趣的就是四周的鍍金針腳,這種設計可以大大減少晶片封裝的厚度並提供極佳的散熱。  b3 Q9 S7 @& h

    ' L5 s# [9 [7 N1 _" [
    : g2 L% |- H; M3 t0 b* W7 Q5 e5 t
    , Z0 T! F# l' S5 W$ d# F) u
    , T7 L9 m1 k; U1 ?8 b, b( k/ [. h! s: W
    21、H-(with heat sink)6 ?) I; G& a2 |  X
    ( m( \! o& G7 [, u! T

    6 h1 i) V+ E$ H6 l4 }8 a6 q5 [表示带散热器的标记。例如,HSOP表示带散热器的SOP。
    ! v7 k; ?( g: I1 q' {: E9 i* M
    ; m. m: {# \' `( S; a' n6 F! ]/ ?
    1 `1 n7 L$ m/ Q22、Pin Grid Array(SuRFace Mount Type)
    ' G9 f9 S1 O& P+ k2 `# L
    8 f2 R, W8 {/ @7 j- y4 k* }7 d$ J& R. W4 I
    表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
    ( S7 N/ W5 n3 _' @. n6 d9 ]5 T7 N) _. v+ O5 _& L. K

    * I9 G% q# R+ B* i9 P! j* ?  D: I4 Q. g/ P$ M" v$ c, U7 P. u0 J

      E) H1 i; f8 W' P7 Q9 o2 ^. _
    ) X" g" }# M- c8 V' K23、JLCC封装(J-leaded chip carrier)2 W: A: Q' \0 F

    8 Z: K0 \6 \6 ~( B8 r" Q7 K6 `: ]
    J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。! Z) T# B+ |7 R4 F

    6 W8 a' r. r2 ?# ~- c3 [9 b$ A/ X0 }( F) u& V1 I( W
    24、LCC封装(Leadless chip carrier)
    - r6 o# B  I% ^% P1 U( ]) P( N$ O# f8 L8 l* q& \% Z
    5 \" O& J8 M6 n! I: p
    无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装,也称为陶瓷QFN或QFN-C(见QFN)。
    & A. }+ D! o9 b3 W: B& H' O* [* g7 N" A2 y) m, p

    6 ^+ r( K2 k" M, V# l7 Y5 q5 }! f
    3 Q; V8 C2 Z2 @+ w* u% m
    , H& T! K- w! Y( B4 _! z( s- `$ {2 Q" L5 d
    25、LGA封装(land grid array)
    4 P3 C9 L8 T: \; D+ S% Y( z! S5 I9 U! Z- h

    * c& V! j+ u! A! U# f4 [  `. ]" O7 f6 c触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑LSI电路。' x# L, k! ?. i+ n6 y1 L2 G# C& j

    + b7 r: |  O% e2 Z6 Y) J5 V) R; m) A+ m$ j0 C3 r
    LGA与QFP相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。7 `& |/ d( Z' X  W, @4 Y% W  b

    - O/ e# j+ v8 p8 {  f
    . }9 z6 l  P2 }6 h26、LOC封装(lead on chip)
    1 X* Z6 _4 M" l. x# Q8 S8 [) t: `6 f6 D
    . k. H7 w) X% q- m% p
    芯片上引线封装。LSI封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
    # K" O, k5 G- g- A2 E: C- d
    7 X4 Y& @4 G, d' k
      T9 l% E/ V+ p" X* Q/ o2 ^27、LQFP封装(low profile quad flat package)
    3 h& l9 V+ C  m- M
    : {" ~, D0 I$ d. }3 R+ G) }" |/ A9 R9 v, B: M& V
    薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP, K9 E; r. B+ B6 P: W6 R0 q
    7 g3 q3 r6 u! ~; {

    " u4 M$ g: X. a& o: t" y3 Q% Q- P2 m外形规格所用的名称。
    8 K, x8 x: d  g- d0 j8 F' k0 x" f1 y/ g

    9 k# v# Q: V! g% _28、L-QUAD封装/ n8 x( s' x- c& ~. ^
    1 u8 N+ y9 V& D0 _8 L; \9 R9 }

    7 U+ h2 {$ t8 D% b- l陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8倍,具有较好的散热性。
    8 M5 q5 g. I8 c  D2 Z0 E3 P% f
    # Q9 j& c7 L0 J  \
    ( J3 |9 S# e$ k' T封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装,并于1993年10月开始投入批量生产。/ c1 i* h1 M# [1 l

      _0 h/ R# A1 A
    8 E5 E: h! i. O/ e; N6 M1 K( l' H29、MCM封装(multi-chip module)7 b& y' c) I4 r! B
    ( p& \+ C6 U% `" K0 g: y
    0 L1 V2 o* ?+ s( P) q1 x
    多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。# ?# m; e( d2 }5 U5 V1 I1 j* e. W
    ( f' x! L! n+ W8 y$ }

    ) u- }- y$ F  a根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C和MCM-D三大类。MCM-L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低。MCM-C是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。MCM-D是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。
    ! ]+ B, m4 ^' ^% I" M# {& g# o- T7 ^! ]2 Y  {0 L& z% B
    , \8 u- ]( ~" j, D  j* E
    30、MFP封装(mini flat package)3 e1 W( B0 k  h0 B9 ?+ y

    7 f3 V8 I/ _: M9 G
    & l0 z; e) U" h! J小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称(见SOP和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。+ X7 J3 @  d/ E, D$ ^2 r# g+ c
    & ]- E. \+ c; a' Z4 m4 N$ \" \

    5 L' D2 m) D+ e2 U+ v4 J) \5 L' R7 V8 t! y

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2022-2-18 13:05 | 只看该作者
    在pcb电路布局中封装必不可少,封装的选用也尤其的重要
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-21 15:22
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2022-2-18 13:31 | 只看该作者
    器件的封装形式各种各样,选好封装很重要
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