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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-2-10 22:59 编辑
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6 L5 Z! _6 w0 ^2 m' N, f消费电子市场持续火爆,不断在拉动快充的需求。伴随快充的兴旺发展,对于MOS管的需求也是同步增长起来的。毕竟整流同步的MOS管能够保证USB PD 快充电源的用电安全,面对一款AON6224参数的管型,国内有替换的场效应管吗?. p( \0 x7 N1 W. k+ k
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MOS管作为在国内发展已经算比较久的产业,已经有比较成熟的替换管型可使用了。在国内可用FHN60N1F10L场效应管直接替换AON6224型号MOS管参数使用。( O" m2 O" J% E- F! R% p2 A
. u! U' j$ _& T除了能替代AON6224外,还能替换VSP014N10MS、ZMS100N10N等型号参数的场效应管。为什么是FHN60N1F10L场效应管呢?
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因为FHN60N1F10LA型号MOS管,目前在国内能比较好的持续供应,毕竟现在MOS管的产能还是蛮欠缺的,除考虑产品优质外,更要考虑产能稳定可持续供应。7 Z: Y# M0 _6 z/ u; c+ B5 _
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况且它由国内已经专注研发19年的MOS管厂家生产。它良好稳定性决定能够很好的帮助USB PD 快充电源提升稳定,从而保障用电安全。
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MOS管的替代替换核心要关注参数性能,究竟FHN60N1F10LA国产场效应管为什么说能比较好的替换AON6224型号参数在USB PD 快充电源中使用?# b5 R: ]! L4 _# }( K' b
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来看看FHN60N1F10LA的具体产品参数,具有60A、100V的电流、电压,RDS(on) = 10mΩtyp) ,最高栅源电压@vgs =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS热阻测试,一致性高,高可靠性,开关速度快,极低的导通内阻RDS(on),优秀的品质因子FOM(RDS(on)*Qg),损耗低。9 `) x8 @3 l$ Q! e# p4 w
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60N1F10的封装形式会有PDFN5×6。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):1.2-2.4;ID(A):60A;BVdss(V):100V。
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最大脉冲漏极电流(IDM ):240(A)、静态导通电阻(typ):10mΩ/12.5mΩ、反向传输电容:11pF。4 K% G* |+ o* |$ n
7 z8 c, j# x' n% I. T; h. ^ n) d在国产化的场效应管替换使用过程中:FHN60N1F10LA型号参数来替换AON6224型号。它采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg),可实现快速硬开关和有效提高了转换效率,PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流,BLDC电机驱动等;在使用方面是匹配型号AON6224、VSP014N10MS、ZMS100N10N的场效应管。
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3 T: @. l! [8 s; g% p) ^2 u100V、60A 的MOS管替换使用,选对型号很重要。
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