请教这个STM32F103RBT6的晶体倒底是多少？

ninik342

#if defined (STM32F10X_LD_VL) || (defined STM32F10X_MD_VL) || (defined STM32F10X_HD_VL)
* i+ u& m0 x" A9 o5 q/* #define SYSCLK_FREQ_HSE    HSE_VALUE */
' s/ V" p9 u6 r( q' i#define SYSCLK_FREQ_24MHz  24000000
#else
$ M2 b4 w/ b; Z  {% T. W2 Y/* #define SYSCLK_FREQ_HSE    HSE_VALUE */
/* #define SYSCLK_FREQ_24MHz  24000000 */
  L: g0 T4 ]2 [# Y) r7 F/* #define SYSCLK_FREQ_36MHz  36000000 */
/* #define SYSCLK_FREQ_48MHz  48000000 */
. R3 b- n& k4 I/ G1 b- l( z/ j) o( u/* #define SYSCLK_FREQ_56MHz  56000000 */
#define SYSCLK_FREQ_72MHz  72000000
#endif
上面的LD,MD,HD不过是FLASH密度，怎么和晶体有关系了？

7 ]- I" Z7 Y4 e' O1 d3 \

kikkgl

( v7 {* u. S5 m. [; f4 [" pLD,MD,HD默认最佳应用频率不同，倍频自然不一样，你可以随便改。

WWolla

这是为了兼容性考虑的，STM32F10X包括101、102、103、107等型号LD,MD,HD确实是FLASH容量，但很多型号最高主频为24兆赫(比如STM32F100C8T6)，这时候MDK里面C/C++选项卡就定义宏STM32F10X_xx_VL以匹配最高主频及其它配置

Housekk

晶振的频率与FLASH无关，F1系列的最高主频是72MHz，晶振是25MHz以下。晶振选择的不同，要注意修改晶振参数的定义及分频系数。