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[仿真讨论] MOS管在Cadence中仿真时,它的Vdsat是怎么得来的?

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  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:07
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2022-1-7 14:47 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    在一个模拟电路中,用cadence对其进行仿真时,仿完后每个MOS管就会出现几个直流参数,其中的Vdsat应该是等于Vgs—Vth。可是把这几个值拿来一对应,又不对。请问这个Vdsat是怎么得来的啊?  
    ; O$ o/ f' r2 w) ~, T
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:04
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-1-7 15:56 | 只看该作者
    如果是二阶模型,是相等的。但是仿真中通常用的不是二阶模型,而是bsim3v3,bsim4之类的高阶模型,所以,不相等也就不奇怪了。4 h0 ]5 L; W( ^$ V/ X
    简单的说,vdsat就是饱和区和线性区的分界点。在仿真时,就抛弃Vgs-Vth这个概念吧!
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:04
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2022-1-7 16:45 | 只看该作者
    仿真时是用的是高阶模型,由于速度饱和引起两值不等,一般书上都是用的二阶方程,所以认为Vod=Vdsat
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:04
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2022-1-7 16:45 | 只看该作者
    model不一样,那肯定不相等啊,
    3 w% s2 F) l. ~" {( y" O, Y, k4 E- L相等时的模型只是用来手算的
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