EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
本帖最后由 hfiwioq 于 2022-1-7 14:48 编辑
9 C; W. m' M& t4 x0 z: a) _( e7 r1 z6 e* N1 |, o$ S, U# e2 @
TSS是电压开关型瞬态抑制二极管,也就是通常说的涌抑制晶体管,或者叫做导体放电管,固体放电管等等。
7 p# p6 F" C% I" N# D) `% Z- u1 u5 Q" C 下面为大家讲解一下选用半导体放电管应该注意哪些问题,以免大家选型不恰当带来麻烦。 选用半导体放电管应注意以下几点: 1、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。 2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。 3、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。 4、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A;Bellcore 1089的IPP应大于25A。 5、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。
2 m8 N: b8 Q3 m
|