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[仿真讨论] DDR2应用中的SI与实践

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1#
发表于 2011-8-16 15:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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对于DDR2应用中的SI与实践,这个说起来就不是一言两语能说明白的。; h8 u7 U. M" g* X9 C( x& Q3 c$ U  I4 R6 b. o; x
要想弄清DDR2中各种信号之间的关系,首先要先明白工作方式,是同步模式,源同步模式还是其他的模式。8 g. O+ o1 c" G. f3 Y8 D
在明白工作方式后再来计算时序,通过计算可以得到CLK的FLY/HOLD TIME,再将FLY/HOLD TIME根据不同的走线层换算成走线的长度。再结合的仿真软件来进行一下验证。8 @% }1 b3 F' y9 k7 v8 ~
5 T5 i" o% @+ Z3 a; V
0 r: g; A+ ^- E1 L0 ^
对于以上这些方面,论坛中有很多的高手。但对于初入此门的新手,可能是雾里看花。所以想请论坛中的高手就这些问题,推荐一些教材,让大家来学习一下。这样就可避免以后老是有人直接问是什么个做法?要授人以渔,不要授人以鱼!!
2 R/ ^  n0 f" C8 b2 X. w- T, i) a

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2#
发表于 2011-8-19 15:44 | 只看该作者
与楼主同问,想学习一下。; I! k; o( D: \

$ B! S$ z: ?) @6 h/ E! u顶!!!

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3#
发表于 2011-8-19 17:42 | 只看该作者
与楼主同问,学习了,有的别藏私

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4#
 楼主| 发表于 2011-8-24 13:36 | 只看该作者
真的就没有高手回应一下吗?
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