TA的每日心情 | 开心 2021-9-7 15:01 |
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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-1-6 17:15 编辑 $ M; @( {# P$ P5 W$ w' L5 x
% g* o* V; k7 d4 g3 n3.1 概述假设工作在感性区域只是半桥MOSFETZVS的必要条件(necessarycondition),并不是充分条件(sufficientcondition),因为半桥中点的并联电容(在FHA分析中被忽略)在转换过程中需要充电(charged)和消耗(depleted)。为了了解ZVS的工作情况,参照下图
! f" i' ?! l9 t- I. p' a$ G: |1 s
# ^+ [6 Z! r& ]: y+ Z6 q + l3 ~8 t) S' Z- R$ U, V( W9 Q
/ R, i- r6 p' P4 T
) q% ?4 \ @4 \% U1 T7 S6 t4 J+ R/ o" \6 [: U0 I
其中存在两个电容,分别为POWER MOSFET的等效漏源极电容(输出电容)Coss和谐振腔阻抗杂散(stray)电容Cstray,因此节点N处的总电容Czvs为6 M6 J7 e {0 ~8 x
1 i$ b0 I+ @, o- \+ a & a4 D3 J' ^ i6 \8 Q( @4 R, K
, H/ R2 v1 g$ k
2 E6 W: z) B/ M# Y- w, s& X. V2 k) r% Y' A- t8 b) H! n
公式33
! [; Y: N( q% g( _
9 ? F8 r( X% h转换过程如下图
, L/ [. l" }( S+ `# a% ]
# U0 o7 [' m: K* V# h1 w![]()
7 x1 s9 G# P) a) V: L0 U6 N9 A+ n! z ]2 p* ], ?/ a
* C* C" U- c9 a- j' } d& d$ P+ _( s# e. h6 ^
3.2 ZVS充分条件4 J. ?* @' y0 c; l* ?0 V
5 K2 J$ \% }. }! S+ }, R0 ^5 h
为了达到ZVS,在两个MOSFET轮换开通之间存在死区时间T。由于工作在感性区域,因此输入电流滞后于输入电压,当半周期结束时,谐振腔的电流Irt仍然在流入,这个电流可以消耗储存在Czvs上的电荷,从而使节点N的电压降为零,所以在另一个开关开启时为零电压开通。在半周期结束时,谐振电流腔中的电流必须可以保证在T时间内,将Czvs的电荷消耗完,这就是ZVS的充分条件,临界电流Izvs为
( R$ D! ~9 B- Q( i: M
$ Z4 t; Y! _' Z/ ]; U8 e![]()
* T; }9 R( @8 L6 b4 d4 r1 @3 S$ s" v6 B) a
$ o) H0 h0 D4 ?4 }9 `! ~' v0 }1 e7 U* _/ R. J+ |
公式34
9 ], {$ D2 ^4 }- n9 S3 \$ J9 E: N9 U% T$ W! {6 m
这个电流等于流过谐振腔的无功电流的峰值(90度异相),这个电流决定电路的无功功率
, L; C! d9 k9 L) r9 f
% b% E- M" C1 `. i1 Y M2 L 3 o9 r7 A7 M+ K ^ R
1 A" R" ~8 B& z9 r4 z- R5 p: F7 h- ~( G& Z4 b5 X0 J+ z. p/ T
$ V/ B( g6 B/ X, I3 X% ?* W
公式35
+ y& }7 y7 B% b& P: o% U C! z/ i$ c2 ~. i# p! s2 n9 `+ K- R4 D
而有功功率的输入电流Iact0 L% e# S" c# R* e1 {8 G
8 c |' D3 b2 a3 u( ~
![]()
. R. O# `# E0 S3 H" r1 }! [- R; o0 ^, G; \5 v
2 ~1 p/ G+ T) ]2 c* y
: A, X9 }7 `9 X. y公式36, ^6 X3 v4 x, J* \) V; s/ m
4 Q# u" C/ C/ z! y: L: X所以输入电流Irt- ]3 L* u' L/ X& m6 g+ l
% q, j/ h8 }0 r1 e" l. }) z![]()
/ d4 n/ Q! `! b J: {
+ M9 T5 V2 @6 p0 E* r
6 @0 P" I# C. b- [/ b5 p7 b+ Z: Y" P1 E6 E
公式37 % G0 n- m# X/ G( T/ k4 E7 {/ u- q0 L
谐振腔电流滞后电压的相位Φ(工作点的输入阻抗相位), ]( F4 X7 u% @5 P; E
! [1 F1 ~8 E3 F9 ~![]()
7 ~5 y0 a/ j6 M/ c' u& k4 H1 l0 q
. d( F; N: y9 w# Q2 Z( z7 M7 f; S* D' {
& J- `" \8 u$ b/ ~$ z公式38 2 y: \4 m0 I- o( o
3 A+ {0 K) M; Z& S' y% l- E* P
因此我们可以得到整个工作区间内,半桥POWER MOSFET ZVS的充分条件(sufficient condition)的相位判定, s& D, o7 p* M: N _
) S5 e3 \- f0 K: y# {
![]()
5 q( n2 ~2 O8 {7 j1 W1 a- @1 B5 k! u7 e; l* {
2 O/ y! w$ i: C+ J% e" C0 ]7 Z8 T: }
* m: `/ E1 R t公式39 - U6 u4 N& b0 X1 E
3 e$ H8 w9 j# ~. S! R$ a
3.3 通过选取Qmax来保证ZVS的实现
. R2 G ^9 b. l& S
5 e7 s9 Q8 W' c3 d满载条件下的Qzvs1求tanΦ对于解出品质因数(满载,最小输入电压,最大增益,最小工作频率)并不方便,因此我们计算Qmax(最大输出功率,最小输入电压),此时输入阻抗为零相位(由上边关于Qmax的描述可以看到,Qmax是在Zn虚部为零的条件下得到的,即相位Φ等于0,而零相位则无法满足ZVS的充分条件,也就是说半周期结束时的Irt不会大于临界值Izvs),所以选取(5%-10%)的差度,保证相位Φ不为零:
8 _* z9 r6 C, {' v! U8 H* K2 R
4 N& S/ z% i3 o, @( M " y, W0 M# K" `- ?( ~& x" ]! s7 j
" I! }6 ~0 r3 D' S( U. S5 k' ]- d+ r- w4 L
' R% P9 R- {" a- s& _
公式40 1 S* H1 |4 r4 `5 d" B O
/ m* G# u8 ^! |0 \从上式得到的结果要验证是否满足tanΦ的条件,不满足则需要重新设计。空载条件下的Qzvs2当然,ZVS的充分条件需要满足空载且最大输入电压时的情况,这样,满载时ZVS的最大品质因数增加了约束条件
" w! Z2 _& Y: X" i: S! G
: f7 K2 e0 Q! \0 s3 g1 r& b0 T" S![]()
5 c! Q+ j. O& Q) z
, R# q6 M0 B7 j1 h
* j. }( X4 K- w0 h1 C9 \/ S6 T9 [0 L; i. h0 V) Y4 I0 d
U: g7 X9 S5 R% j6 [4 ~
5 }' h5 e; F4 u
, I" q1 b+ p" T( ~. D% G+ @; I7 x。空载时,Q=0,所以
* ?! h$ E M% _. F4 @2 {
* T/ b; n! X8 m8 g' `; h& ]![]()
4 e) \! c- V2 n7 Y; N" o% O" ]8 f) S; Y# S3 K
6 G! L0 F# h9 h
0 i7 Q2 E! ^4 @5 @0 h
公式41 : M: e6 N/ C+ b% E6 W( z4 m
: Q1 P) A; ? w5 b: O" z$ k而
9 G& Y5 b/ O( G( ~( g9 y" f; J% P, o4 X8 P" \! I/ N
* A1 Q0 L- B" l, K& T
3 J: f/ A3 h8 }6 K' V
* p+ N' O/ l$ J& U, A7 p8 @
! X4 J% Z3 D2 q; @
公式42
% u9 d$ o* j& T8 j
# U( U2 p7 l. O( |/ u由ZVS充分条件知
/ I2 q$ U! Y3 g; |9 N* l
1 W9 v4 Y( o4 T6 f. H, m1 \![]()
! C7 C6 {8 _% N$ H: @! x1 R* B$ U! i* b
# k2 r( U3 O, p4 K- k; `
: R; i0 e6 |+ p) u公式43
2 V* S+ K4 o) ~, S3 `
' O# @8 _0 ?; ^0 @3 E将上式简化得到空载且最大输入电压时的品质因数- \, e7 x! A4 X: h$ Q! F @6 C5 I
7 e2 J8 F8 Z8 a3 r+ N, j$ N& C
![]()
$ r( P: _& o/ [9 `# l4 f# }* V+ }8 k3 p
$ L! k B. k: M1 a4 ?; c+ o
$ g9 M" l& d" X' |# r% K
公式44
7 Y* ?' y, E7 A; A( w% \
% t) t& ?) E0 V2 R( `因此,为了确保在整个工作区间,谐振腔可以ZVS,必须满足最大品质因数Qmax小于min(Qzvs1,Qzvs2)过载和短路条件时的工作情况(Operation under overload and short-circuit condition), F; G2 N/ O4 q( L5 y$ L! I
- B0 ^1 ^; H! i8 j 0 u3 O* E; K( ~7 F* ]
; ~* @. q q0 |% w
& N0 q7 T: ?5 p2 j. _
( Z h- n; y% @( ^' ^# G参考上图中的电压增益特性,假设谐振腔被设计以最大输出功率Pout.max工作于感性区域,相应地,Q=Qmax,并假定输出电压相对输入电压的增益大于1,如图中M=Mx 当输出功率逐渐由零开始向最大值增加,相应的对于不同负载的增益也会逐步地从红色曲线(Q=0)进入到黑色曲线(Q=Qmax)。控制回路会保持M始终等于Mx不变,因此静态工作点(quiescent point)会沿着M=Mx的水平线移动,相应地,水平线M=Mx和Q值曲线的交点的横坐标就是不同负载条件下的工作频率。, W: Z$ L% ^ d, [& t7 ]
5 o5 t! i0 R' R7 V
如果负载增加到超过最大规定值Q=Qmax,最后转换器的工作点一定进入容性区域,此时将会出现MOSFET硬开关,如果没有矫正措施则可能会导致设备故障。事实上,如果Q相对Qmax足够大,与M=Mx的交叉点将会出现在分界线Mz的左半平面,即容性区域;如果Q值曲线的正切线超过M=Mx,工作点将不会沿M=Mx移动。这意味者转换器将不能保证输出电压的稳定,尽管工作频率会降低(反馈反转feedback reversal),但是输出电压仍会下降。限制最小工作频率(M=Mx与Q=Qmax的交点横坐标)并不能阻止转换器进入容性工作区域。事实上,当工作频率到达最小值时,如果负载继续增加,则会导致工作点沿着垂直线分f=fmin移动,最后穿过分界线。限制最小工作频率只有在最小工作频率归一化后大于1才有效果。所以,考虑到输出端过载和短路的情况,转换器的工组哦频率必须大于谐振频率fr,以降低功率吞吐量(power throughout)。
0 p" q4 e* ~4 V8 ~& K+ M/ \
5 I$ x' [# W2 x% }0 j" F* x8 x- d值得注意的是,如果在一段限制时间内,转换器规定传输峰值输出功率(输出电压稳定必须保持)远大于最大连续输出功率,谐振腔必须以峰值输出功率设计,确保其不会进入容性工作区间。当然,热设计则可以只考虑最大连续输出功率即可。无论如何,不论转换器被如何规定,短路或者一般的过载情况(超过最大谐振腔规定)都需要附加手段处理,比如限电流电路。磁集成Magnetic integration LLC谐振半桥非常适合磁集成,比如说,将电感和变压器集中到单一磁性设备。这可以很容易从变压器的物理模型看出,显然可以看到与LLC电路中的电感部分类似的拓扑结构。然而,理想变压器在二次侧存在漏电感,而在前边的讨论中都被忽略了。为了将二次侧漏感的效果考虑进FHA分析中,我们学要一个特殊的变压器模型和一个简单化的假设。众所周知,由于模型中理想变压器圈比的选择很多,因此对于一个给定的变压器,存在无穷多种电气等效模型。对一个合适的“等效”圈比n(显然不同于物理上的圈比nt=N1:N2),所有与漏磁通相关的元件都可以等效到一次侧。这种等效模型称作APR(All-Primary-Referred),即所有参数都等效于一次侧,该模型满足FHA分析。通过选择n可以得到APR模型:
4 T. e% Z/ S: E
- q9 C4 j: R) f![]()
+ j* t6 h: ^9 z/ W$ N
6 N( j( v: k+ o' A- {/ P
, t- E: P8 e! `
( \5 s* [6 k" d+ ~, @* [" ?k:变压器耦合系数coupling coefficientL1:一次侧绕组电感值L2:单边二次绕组电感值
; d0 }' Q% E6 Y( n& R+ r: t; }0 c$ O. G% Y# b8 L3 f9 u- P
注意:(1)Lr仍旧保持了物理模型中的意义:短路二次侧绕组时测量得到的一次侧电感值- {; N$ ^9 }8 X. k& L
5 O; O1 R% M3 Y. B(2)一次侧电感L1不可以改变; U2 O5 j1 C; \
: U4 }% d* z+ [2 ]! k! a) m- G1 e# D
两种模型(physical model and APR model)不同的地方只是在分割方式上,因此L1与Lr之间的不同点就是Lm。
( u o B, K- y
# X5 W: N8 Y' G& Y最后,倘若这些参数通过等效APR模型阐述得到,以上所作的分析可以直接应用在现实世界中的变压器。反之亦然(vice versa),基于FHA分析得到的设计流程将提供APR模型的参数;因此,必须增加步骤决定物理模型中的那些参数。3 }# i& {5 q* U$ i& ~
' d* w' p: n# d$ G% z3 w尤其在计算圈比nt(physicalmodel)时,由于Lr与Lm与现实世界中存在联系Lr+Lm=L+Lμ=L1
+ Q7 e1 Z3 W! x J% A* v
/ O. f" R* i# e( V4 m在物理模型中,问题无法在数学上得到解决:因为含有5个未知量L,Lμ,nt,L,L;而APR模型中只有3个参数:Lr,Lm,n.克服了该问题的假设是建立在磁路对称(magnetic circuit symmetry):假设一次侧和二次侧绕组的漏磁通刚好相等。由此假设可以得到:
- ~0 \# N% q( q
2 G( m& l2 M% h" O! j, ~ : h# \! \) c9 ?) `
- ?: V7 H% M. Q5 T+ s+ j( ~" e
- t2 |; X1 q* r$ N8 G0 |, _
) d6 o0 O$ \8 L ; F6 C; [4 J4 x+ E: t* x7 c
+ b3 J& X: R) y" n" I: h/ N) y( J1 ^7 p4 ^4 i
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+ B3 q# B) f' h B& W1 U
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. T% [+ W6 F9 J& o8 ?$ L' ]7 X! h k1 |
! E, k' m# z4 ] ?; }% Q
6 J- F F+ n% ~" o
! p" F* Q) v" Z4 c7 H7 w0 o, [( E) j y" _$ `) Q
& _" V3 z+ E9 h
6 T: G7 ?0 p O2 K: {3 ]$ U% }![]()
4 W/ a! j1 k. S: p) }- x' i7 }8 E% B: Q. ?3 n- Y
9 `% [: g5 z- j2 ?! }- B
& G- C# H& M9 m设计步骤
# P" \ `1 E, I6 {+ s. c5 H
9 T: O2 ^9 H2 h r5 J4 t3.1 设计规格输入电压范围:Vdc.Min-Vdc.max正常输入电压:Vdc.nom输出电压:Vout谐振频率:fr最大工作频率:fmax启机频率:fstart3.2 附加信息节点N 的并联电容:Czvs死区时间:T3.3 一般设计准则准则1:转换器设计工作在正常输入电压(nominal nput voltage)准则2:转换器必须能够自动调节,当输入电压最大且零负载, M1 `* A) D, `& I# L3 O" ?) R
6 a8 ?* s- w9 V9 G准则3:转换器必须在一直工作于ZVS区域* }" n9 w. k- _3 z' X# b
4 x1 U& ^+ ?! T% k$ U& G
3.4 10个设计步骤
$ E; c \: l9 m5 M* z. F. j. g* A* W& v/ ~8 z3 X
由准则1知,设正常输入电压下,谐振频率点的增益等于1,计算变压器(APR)圈比:
, R% I: Y/ v/ z1 }! N' M, Y' X% G- U. @& i* z: j& F$ Y( ]
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: L: m- ^; p( \; o* m1 P0 T3 c3 l% m
- T$ U, @$ C" i z" E; m. D! w1 U8 v' u1 V7 G" [
分别取输入电压范围的极值,计算最大与最小增益) D8 k3 M! M4 x6 }6 M7 O5 |
5 g. P! C$ o& C! G4 p6 e' ] 6 p* p7 `; R5 l1 \. d: k4 Z C
+ T8 ]1 A& ?8 e. h+ M) D0 y A2 @: n" V* b) q& N. W' }6 D
. q9 {3 H( [( z& E# N按照定义计算最大归一化工作频率% x) |: W v3 z) `+ F- b1 R
2 I& ^# E5 @) @# I0 o2 x3 t
* J7 {5 }9 L$ H, x3 D, {& N
+ D+ q b3 f0 @: g$ C- B$ w( c/ J! ^ ^
5 U& d/ i% W$ A: V
计算反射到变压器一次侧的等效负载阻抗1 z0 o6 A3 `' Y% _9 F
) `- ?* ~) x+ j' T' a: @- u
![]()
1 b- |) g7 p( }# { J
' J# f- y: P0 Z' U/ I C7 _, F! A7 B* f
; ^+ `/ J& t* }* e, @计算最大输入电压,最大工作频率,零负载条件下,电感比值λ4 S; l" _, o# z' H5 Q( f- V
9 Y! x$ W. ~0 H1 J$ d/ m: ~3 T & Z5 q! e/ ?0 F5 C2 Z/ Y G& C
; a& f4 U+ O3 J/ r2 b7 C8 N! Z( A
$ k* ?! ?+ _$ P* ]' T
" Q. T7 Q6 c3 O计算最小输入电压,满载时,工作于ZVS区域的最大Q值(选择90%~95%)
! ?' I0 d+ S* ]$ ]/ ~4 N3 [
( R- _- q1 J# s( v![]()
( t2 s) h& K2 m
! F3 ^$ P: C \$ `4 _3 V/ D7 s' P3 }3 f9 g
% O/ [( F+ Q- i! h
计算最大输入电压,空载时,工作于ZVS区域的最大Q值
6 M5 O1 }2 j) ^# c" z
- x& B8 N" l5 W& k$ u* o' U$ r![]()
% [0 c! U% b: `% {' @' R8 k) }* A' y
8 @1 n5 h% v$ V( C) @ e+ z! W! M( n# ]$ O: {0 S! y
其中
6 g+ E3 R5 x% A0 q: m8 i7 p+ H- `0 T8 ?# o, ]1 E
# c c) c$ z, R, c
8 }6 @$ O7 \% t9 {% a
% O7 F0 g6 @$ r8 ]* E$ S v
) S: j6 Y: A7 H) E2 n ~- H7 Z选择整个工作范围内(空载~满载)可允许最大的Q值,即Qzvs
4 z0 n/ [3 w/ {: [6 [; z( Q& g4 ?
![]()
7 z+ z0 I* k6 q" b0 Q8 n+ }. @: d; @
% [. b0 N! u' s: o5 S. [9 {& _% h: |4 d$ f% u: q
计算最小输入电压,满载时,最小工作频率
% K8 [8 T% }* A: _9 ?
5 b/ f' Q: ]( O* E$ k 4 a/ Q; O/ p! h4 T4 Q& a* y: g
- E j1 x" T+ w' L, C. C+ o) g8 @ U2 l
2 Q3 x/ V. I% a; Z% g G9 Q, |$ v计算谐振腔特征阻抗和所有的元件值(Lr,Lm,Cr)
9 I+ G8 Y9 C! J
( q9 k: P( d# t. j( ]: i
# t4 e5 B) w; y1 W# `+ v8 D% D7 [6 H8 J1 N* m. Z
# D; S8 P5 W, k' f9 l! j) S4 `# z
! b" L. n* R4 }# q. n: R2 N+ S5 }* Z3 |7 G
/ E6 }% m0 Z7 S3 x+ I! L' p& R
, r) C7 K; q# z% B1 _
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