' s+ o2 N, l9 F实际上,旁路电容和去耦电容都应该尽可能放在靠近电源输入处,以帮助滤除高频噪声。去耦电容的取值大约是旁路电容的1/100~1/1000。为了得到更好的EMC特性,去耦电容还应尽可能地靠近每个集成块,因为布线阻抗将减小去耦电容的效力。陶瓷电容常被用来去耦,其值决定于最快信号的上升时间和下降时间。选择去耦电容时,除了考虑电容值外,ESR值也会影响去耦能力。为了去耦,应该选择ESR值低于1Ω的电容。9 s1 I* q4 m4 r/ o' @# w
" X' p# j- h; X4 C- N8 \从电路来说,可以分为驱动的源信号和被驱动的负载。如果负载电容比较大,驱动电路要对电容充电、放电,才能完成信号的跳变;由于电路中的电感和电阻会产生反弹,这种电流相对于正常情况来说实际上是一种噪声,会影响前级的正常工作,这就是耦合。4 D, A( l( [0 Z# x- I z