电路中的自举电路到底有什么作用？

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自举电路也叫升压电路，是利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高，有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。 1、mos管自举电路原理 / D! W5 a/ h$ b  E在EDA365电子论坛上看过这个简单的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压怎么弄出来？就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电荷，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。 ) U9 Z* }* h1 H5 \ 自举电路只是在实践中定的名称，在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo达到Vcc的一半，但在实际的测试中，输出电压远达不到Vcc的一半。 * |  G' b* k0 H7 e6 p! G 其中重要的原因就需要一个高于Vcc的电压。所以采用自举电路来升压。常用自举电路（摘自fairchild，使用说明书AN-6076《供高电压栅极驱动器IC 使用的自举电路的设计和使用准则》）the boost converter,或者叫step-up converter，是一种开关直流升压电路，它可以是输出电压比输入电压高。 9 i$ J# u' X$ J+ d+ ? 假定那个开关(三极管或者mos管)已经断开了很长时间，所有的元件都处于理想状态，电容电压等于输入电压。 $ N/ Y" h* `/ ^/ ~ 6 L# l8 w' m4 U) r/ L1 Z下面要分充电和放电两个部分来说明这个电路。 2、MOS管自举电容工作原理 0 u+ s2 G: H! I  {1 q, a自举电容，内部高端MOS需要得到高出IC的VCC的电压，通过自举电路升压得到，比VCC高的电压，否则，高端MOS无法驱动。 ) K* d6 L8 C  s自举是指通过开关电源MOS管和电容组成的升压电路，通过电源对电容充电致其电压高于VCC。最简单的自举电路由一个电容构成，为了防止升高后的电压回灌到原始的输入电压，会加一个Diode。 0 Q% I& x4 J+ J 0 H. ^/ ^! I/ j! F; V$ U0 x# h3 r8 D自举的好处在于利用电容两端电压不能突变的特性来升高电压。 ' ?9 h0 O3 k# ~& I. f) H2 E 举个例子来说，如果MOS的Drink极电压为12V，Source极电压原为0V，Gate极驱动电压也为12V，那么当MOS在导通瞬间，Soure极电压会升高为Drink减压减去一个很小的导通压降，那么Vgs电压会接近于0V，MOS在导通瞬间后又会关断，再导通，再关断。 & K) V9 M% d, t& j# u! E9 x& [' i & V  J" N! h# t" I6 y) F! k; O; h如此下去，长时间在MOS的Drink极与Source间通过的是一个N倍于工作频率的高频脉冲，这样的脉冲尖峰在MOS上会产生过大的电压应力，很快MOS管会被损坏。 如果在MOS的Gate与Source间接入一个小电容，在MOS未导通时给电容充电，在MOS导通，Source电压升高后，自动将Gate极电压升高，便可使MOS保持继续导通。 3 M6 a& [/ @$ A$ b上管关闭下管打开/下管关闭上管打过程中 % P/ O1 k' e; `$ T6 M$ J! ]( Vmos管自举电路工作原理 + v* n" Q- R% \5 D/ J6 T& ]升压自举电路原理 0 ]0 ^0 H' t/ n( T( j自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高。 - V+ X: b1 V1 k6 e- N7 E 有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。 升压电路原理 : }; }4 Z! U# O+ g5 q开关直流升压电路(即所谓的boost或者step-up电路)原理the boost converter,或者叫step-up converter，是一种开关直流升压电路，它可以是输出电压比输入电压高。 0 c/ }; F* p" j/ h4 r 基本电路图见图1： % y0 p. m( Z8 U* f' w8 l  }6 x* W - l, ?4 H% x/ F" m* B0 @- Y 充电过程 在充电过程中，开关闭合(三极管导通)，等效电路如图二，开关(三极管)处用导线代替。 6 {9 B; A) O& v* c# U 这时，输入电压流过电感，二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电，所以电感上的电流以一定的比率线性增加，这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加，电感里储存了一些能量。 / @! k  W2 B/ y 9 L$ E* Q9 R4 i! s" l. R 7 k2 ]7 Q7 u7 e7 G+ |放电过程 如图，这是当开关断开(三极管截止)时的等效电路。当开关断开(三极管截止)时，由于电感的电流 保持特性，流经电感的电流不会马上变为0，而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。 ' T3 ^/ R( m# x- u% F+ Y  ^$ F4 {+ x( A而原来的电路已断开，于是电感只能通过新电路放电，即电感开始给电容充电， 电容两端电压升高，此时电压已经高于输入电压了，升压完毕。 ' Q$ M, w  b+ @; s6 {0 U( h 5 I* j; T  C0 p* ^4 u( G 9 C0 h* @/ a2 W' r ) B5 ^" }8 v/ c1 \  ?' k说起来升压过程就是一个电感的能量传递过程。充电时，电感吸收能量，放电时电感放出能量。如果电容量足够大，那么在输出端就可以在放电过程中保持一个持续的电流。如果这个通断的过程不断重复，就可以在电容两端得到高于输入电压的电压。 2 p2 ]7 t, I( V& H. m. V   j8 l( k- z/ W4 z( {( j / A* k* `7 H+ d/ w3、常用升压电路 , ^  m  k9 Z! N. W" l8 x; ]8 {# \3 PP 沟道高端栅极驱动器 直接式驱动器：适用于最大输入电压小于器件的栅- 源极击穿电压。 1 `4 z5 a+ T! R开放式收集器：方法简单，但是不适用于直接驱动高速电路中的MOSFET。 & m7 _& G9 c6 O* K# D$ y% \' f电平转换驱动器：适用于高速应用，能够与常见PWM 控制器无缝式工作。 N 沟道高端栅极驱动器 直接式驱动器：MOSFET最简单的高端应用，由PWM 控制器或以地为基准的驱动器直接驱动，但它必须满足下面两个条件： ' \3 o. a1 o! W# oVCC<vgs,max< p=""> & x$ x8 w0 q3 ]Vdc<vcc-vgs,miller< p=""> 浮动电源栅极驱动器：独立电源的成本影响是很显著的。光耦合器相对昂贵，而且带宽有限，对噪声敏感。 2 |  W% t, X- A变压器耦合式驱动器：在不确定的周期内充分控制栅极，但在某种程度上，限制了开关性能。但是，这是可以改善的，只是电路更复杂了。 电荷泵驱动器：对于开关应用，导通时间往往很长。由于电压倍增电路的效率低，可能需要更多低电压级泵。 4 E: }+ h# u& i' Q' I+ ^2 @ - K& o, G8 C) d0 A& C1 L: N7 \自举式驱动器：简单，廉价，也有局限；例如，占空比和导通时间都受到刷新自举电容的限制。 虽然说自举电路在理论中是不存在的，但是实践中却应用颇广，所以想要做一名电路高手，必须得了解和掌握自举电路的知识点，今天的分享就先到这里啦，还想了解什么，可以留言给我们哦~ & m6 R2 S8 A: F3 z 6 \  L+ o3 F4 e6 ~& M. ^1 _ 9 R) `! V! Q7 A$ P: C! D 8 g+ f# E8 M$ e( X( }  c$ S 7 T% `% L& n! r: g4 _4 m

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就是自举升压

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mos管自举是为了防止电压反灌

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自举原理是利用电容两端电压不能突变的特性来升高电压

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有自举驱动器，非常便宜

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自举电路说白了就是升压

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自举式驱动器很便宜