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01 三个极的判定
9 Y/ y; c# _, ~% c
6 X. U( T2 W. Q$ d) [8 i( K+ X7 ~1 u! G' H) |
G极(gate)—栅极,不用说比较好认;
7 p' [8 v4 x1 y& P
& F& ?7 v [/ dS极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是;, N* k5 [1 @' j: [2 I
D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边。
( j9 Q/ O$ P7 s
. Q: a. N* ]7 |' g+ z; n v- j/ g+ S& S" ?1 x: _2 l$ F8 E. ?* K
02 N沟道与P沟道判别& q' h W1 O0 p- }! M/ f) k
7 i, k+ t1 x$ t5 {) {$ k" [2 \3 k. }1 J \) h" P4 O. g
( ]4 ?! _6 B$ T1 D2 Y箭头指向G极的是N沟道;) K" H! }" w- R2 o, N. J! ]% r
箭头背向G极的是P沟道。
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03 寄生二极管方向判定
5 W2 m! q2 L2 L' _3 ~) J5 J! l( H8 q8 w3 {( ?8 w8 k
' O' u6 i: x1 T" Q
) \! W/ }4 B) g; E; z不论N沟道还是P沟道mos管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的:
9 p0 G+ X/ a' i& N) S0 \& ^; p
& m2 x# X! o9 |/ p2 B, I- j要么都由S指向D,要么都有D指向S。
" o; G+ d0 x( V+ k5 k! [* Y( V, {. L- T
04 MOS开关实现的功能: r8 @) G9 `. F1 T: z
% Y: P7 j# C! u, r0 H7 V1)信号切换/ g! h1 [7 V5 d
2)电压通断) ]5 J. Z ?$ w( Q) h7 }+ W
- ?- e- |1 w, v$ @05 MOS管用作开关时在电路中的连接方法
* ?: f% Z/ I' W. {6 F/ V& _$ R# Q) C8 N! |6 m1 d
关键点:/ B0 ?4 V" u, z; E1 y4 b
- I8 l" A3 Z1 U& o
1)确定哪一极连接输入端,哪一极连接输出端;2)控制极电平为“?V”时MOS管导通(饱和导通)?3)控制极电平为“?V”时MOS管截止?
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: v3 P3 |3 T0 }$ ^3 g3 }# W9 J; M4 k6 }' |* ~$ y2 c
9 n& L) ]# h9 o7 l3 R( f: A: QNMOS:D极接输入,S极接输出;0 P4 N- h- t3 o9 |
PMOS:S极接输入,D极接输出;, b! s) w _" O+ ?) W: M/ R+ ^
反证法加强理解$ o, B3 v7 h1 Q7 j' H
NMOS假如:S接输入,D接输出;; U" k' F; v- m! d3 v( Z
$ w; k& t: g: E$ U4 Q3 U( ]
/ X1 ^& ~9 p5 q4 g4 y
由于寄生二极管直接导通,因此S极电压可以无条件到D极,MOS管就失去了开关的作用。
0 b2 x( H# I& A* E: t: | {$ K! n- S: D8 F! y# o
PMOS假如:D接输入,S接输出。7 ^3 Z5 p; n' p3 n1 d
( E( k. b0 \) n7 F6 j% T9 ^
0 L+ _; N! q2 @* ?3 X
同样失去了开关的作用。6 P) A6 E4 ?. E+ E
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06 MOS管的开关条件# J, `* q' N3 w
2 f+ \, ^) }1 i5 B2 m
N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通;2 g+ _2 j7 K! t9 C9 G
3 @1 {# ^+ }( I) n8 C+ C$ ~1 V
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通;
! n M& p/ G' _4 K7 G% s总之,导通条件:|Ugs|>|Ugs(th)|。
0 v$ n) e- k4 g0 R: N6 g3 a7 _$ x* n; C' n
07 相关概念" }) M( R5 ^6 x4 V1 w: C: j: r
7 t5 t1 ]- Y( nBJT! r: w0 b" S% [) I2 R; J4 U$ G
4 a! [- z* C* k$ V) a3 B8 J* T4 |Bipolar Junction Transistor 双极性晶体管,BJT是电流控制器件;
* f# }8 f8 Z( W5 Q/ x5 @FET, a! u2 A1 D1 y
Field Effect Transistor 场效应晶体管,FET是电压控制器件。% ]8 D% Y" }" i; h0 c) Q
按结构场效应管分为:结型场效应(简称JFET)、绝缘栅场效应(简称MOSFET)
. ]+ T4 q, o' m) N8 c, C两大类
& Q" u9 w( H v% }4 c( r5 Q( k3 V按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。
9 s* s$ a& N& J7 Q3 L( l按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
/ V% ]7 Z1 T f0 T4 t1 N总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。2 l7 _" P p7 C% I" X6 p
- F- \( z. M$ {1 e7 _% B7 A2 D- A
08 MOS管重要参数4 i' s$ @* `) c1 T! ?4 Z
2 }: f$ @' y& w% S. R9 p①封装
* ]+ B2 \( P2 C②类型(NMOS、PMOS)③耐压Vds(器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压)④饱和电流Id⑤导通阻抗Rds⑥栅极阈值电压Vgs(th)
7 P+ B1 n# Y" l+ i4 Y7 J; ]4 X2 P. d6 g2 j: O/ u8 J0 o: ]
09 从MOS管实物识别管脚+ T' }* T$ l7 f, @/ o+ i
$ h$ l6 J# x, k8 y& r* ?+ r
+ R9 L$ U! p. ^/ V! s0 ]0 A
7 |1 c: W: K" u+ }无论是NMOS还是PMOS,按上图方向摆正,中间的一脚为D,左边为G,右边为S。0 u- z) {" p: p# D
$ W$ G" y4 u6 i6 C* ?; p或者这么记:单独的一脚为D,逆时针转DGS。5 p' F# f+ _3 C' |7 o- |! X0 l. L. i
这里顺便提一下三极管的管脚识别:同样按照上图方向摆正,中间一脚为C,左边为B,右边为E。
7 @8 l( v4 W1 r) F h R2 o% T管脚编号
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! [- K/ }! R7 A从G脚开始,逆时针123。1 R# \5 R- _) A
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三极管的管脚编号同样从B脚开始,逆时针123。, h; ~) e) z3 n8 R) e
! f1 [( m* s7 [0 a+ }10 用万用表辨别NNOS、PMOS
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4 W4 s5 J) A3 C! S, P9 i4 N7 p借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档,红表笔接S,黑表笔接D,有数值显示,反过来接无数值,说明是N沟道,若情况相反是P沟道。! l$ I: V+ j$ {& k* H0 b
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11 画一个MOS管; {- s* a7 p6 _4 e+ z+ ?- ~( f
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