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01 三个极的判定
4 W8 M5 N' k4 B1 v
$ ?+ ^% y' [0 N$ ?' s" d1 k+ \) Q6 l( A3 M
G极(gate)—栅极,不用说比较好认;" y# V6 [+ u# @3 A; S
& S# h5 {" A: Q5 r& M. tS极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是;; g+ A6 t" G, V- \; A; F2 [
D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边。. o# ]. a$ K( E+ `+ A
`# t& C& G. X6 P2 k) i4 \+ f
/ R$ T% f6 r+ I$ K2 B02 N沟道与P沟道判别
4 {% M" _& z3 S/ K
# D: P; D h- |4 _2 X" I
& X' T$ p; d" z9 Q; z
8 s! h- A5 _! v( g6 `0 \箭头指向G极的是N沟道;/ E: k. |# b* S6 M+ H
箭头背向G极的是P沟道。
' V" z V. P z- C; K2 C& D, k
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/ ]7 q) Q8 l! g* q* l1 X8 `5 H+ `4 Q) b+ {5 f; |0 D) \
03 寄生二极管方向判定
! N- d' y8 v0 e( z4 _
3 }6 t4 K; M. t0 P7 y" J7 h3 D6 F5 v+ E' K; b
* Y* o3 _1 r- j+ F不论N沟道还是P沟道mos管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的:; e+ y% D2 q E9 E
' l6 s* r% ?+ I! G要么都由S指向D,要么都有D指向S。
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* c) \( J) c- p3 U! g9 t! K04 MOS开关实现的功能( q4 ]( P( \; M+ F7 B2 Y+ [
& p" H9 R) b: M3 U9 F2 e, x
1)信号切换
% c; A8 D- t$ ~/ R) n2)电压通断+ C* a" |- s1 |: t
" E- g4 R( y/ s/ t05 MOS管用作开关时在电路中的连接方法
3 h# w2 t$ N3 f& b6 `% U
! S* E7 B( i- }. {5 d关键点:
, Y# d) t6 J4 D1 v4 ?" Q# o, _; x, x) t# M/ |! J X, w
1)确定哪一极连接输入端,哪一极连接输出端;2)控制极电平为“?V”时MOS管导通(饱和导通)?3)控制极电平为“?V”时MOS管截止?* \2 o7 w+ G$ O; u5 u
- G, G2 {6 {1 g2 }# q# z9 t: B1 L2 x! L! H- J" {: v; J' ~
2 B& m' P% `$ S0 \NMOS:D极接输入,S极接输出;$ v% h& {3 ]2 o/ y' O
PMOS:S极接输入,D极接输出;
5 X# ?+ J2 j' w3 N- w- `6 Q. T反证法加强理解
3 r; A, @' d" A+ w7 y2 m1 ^NMOS假如:S接输入,D接输出;% \- [6 A/ \) o% \! Q+ F9 P O
6 L2 `% @" T$ E% W
. b/ O+ G4 R# s4 U2 O由于寄生二极管直接导通,因此S极电压可以无条件到D极,MOS管就失去了开关的作用。) j- F1 Y2 H X& y& q8 w4 U% {
0 {9 z5 D! l& K5 W4 oPMOS假如:D接输入,S接输出。
! d4 u) @+ |5 u) B5 P0 i8 w& ?( t: x0 R6 K" K
8 D7 K& ^+ D, {同样失去了开关的作用。
0 @0 R( E" S( b7 z1 v4 v4 d
9 L0 B1 r# W: `- c+ K8 j8 {06 MOS管的开关条件/ g- G1 _+ D. U. w
- W/ x( x0 J( W: {2 J
N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通;
\5 ?% O! s& h, ]6 F- |
8 s! Q$ b4 O) l. Q7 u. w; e. a9 c. HP沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通;
0 p2 ~- S2 ~- Q* w. k总之,导通条件:|Ugs|>|Ugs(th)|。6 m$ ]& t7 W, y# l/ O( P
* B# ?9 A- Z8 y; a1 {07 相关概念/ W6 O( ^9 I% n3 p5 d: L
: d+ u3 v0 F% Z
BJT5 n. p" U6 q: k; O4 B
5 X5 ]( D' P$ f: y. g$ P
Bipolar Junction Transistor 双极性晶体管,BJT是电流控制器件;! w3 y# z. x% N5 u5 p& n
FET- J. k- d8 E7 b. \4 U
Field Effect Transistor 场效应晶体管,FET是电压控制器件。
$ X6 |7 j4 ?2 X: f6 t0 t按结构场效应管分为:结型场效应(简称JFET)、绝缘栅场效应(简称MOSFET)
; W4 m, T v; c+ W& k) L两大类
) h% o0 K# V6 K: }7 [4 G按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。* B5 _" o4 U" O( u9 c
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
- {* M5 c) S3 J% Q2 o+ a总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。& h- z. d8 Y* `+ }
) z, n) i* W: u5 o
08 MOS管重要参数
" t, ~7 e& ]0 @0 ]0 U
" ?1 Z1 X! @8 ?5 H$ }①封装
" |. j5 S) @; ?2 z+ t) {. I②类型(NMOS、PMOS)③耐压Vds(器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压)④饱和电流Id⑤导通阻抗Rds⑥栅极阈值电压Vgs(th)
8 A' P5 ]5 Y2 }% @6 k6 [
; t4 j' C8 f- G2 g, \% p: C09 从MOS管实物识别管脚8 O/ Q& g4 r4 P1 p
) l% Z: w7 f+ | y
3 J+ `8 v7 ^; l" P" Z; C
$ G: c. S# r2 ~无论是NMOS还是PMOS,按上图方向摆正,中间的一脚为D,左边为G,右边为S。3 M5 d, J+ {+ n6 a+ ], H3 ]
. C# S; D) J! w8 [$ W或者这么记:单独的一脚为D,逆时针转DGS。
+ |# v: g/ C5 y这里顺便提一下三极管的管脚识别:同样按照上图方向摆正,中间一脚为C,左边为B,右边为E。 |& X$ A5 Z4 l% x9 s
管脚编号
6 y' N; p+ r: Y. | B9 K. J+ l
% j: x5 H5 @* M$ y) X6 b7 ?; v从G脚开始,逆时针123。0 i9 y- M" K) r% D4 h
% g, U1 f2 L$ W. s! c' K三极管的管脚编号同样从B脚开始,逆时针123。
% K' |0 K: G3 Y2 W1 H6 z1 m: R2 }" v2 t5 q' x
10 用万用表辨别NNOS、PMOS
( V, J/ L9 a/ o1 v N( J* Y8 D5 }/ F8 k* {- D
借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档,红表笔接S,黑表笔接D,有数值显示,反过来接无数值,说明是N沟道,若情况相反是P沟道。7 M9 f1 T* _! o- a. G& N* D, h
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11 画一个MOS管
, B& J% H5 K2 m/ Z+ d! l& K6 v2 {: ` g$ v. y9 c
2 L" @' H, e1 ~+ S4 s |