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01 三个极的判定* I; D& n B; [, p! r& }* a U
$ k/ X9 U/ G9 Z/ t) ^. W- ]
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G极(gate)—栅极,不用说比较好认;. c' Q: D) w+ g% d
1 O) T9 c: W1 N" o/ G& E9 ~S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是;0 u! ?6 p' | Q
D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边。
z- F& ]3 \2 A/ P
0 o# n3 W; c/ N/ h
) ^. {+ a6 s9 O2 V02 N沟道与P沟道判别
0 a' c9 N) w# X* q& c3 V2 ?/ \& M' i
! q. t& h0 P+ ^: N( l$ u8 N0 t a- n- b3 |9 n1 s1 ?7 c
箭头指向G极的是N沟道;
( \' e" x' F% t4 @5 r箭头背向G极的是P沟道。) \) Y W0 E& H% w6 X
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& p5 i+ i, ?" m+ b2 l5 y03 寄生二极管方向判定
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6 e! N8 |* J. ?! ~- A$ I) {
) x4 \9 w+ `, y! D6 k4 l6 k( t
8 n2 a F8 A' g0 `不论N沟道还是P沟道mos管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的:- ~' v4 F4 t5 |) A8 P+ k1 s( U
7 r! V& K9 w1 `* E要么都由S指向D,要么都有D指向S。
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0 F' E7 d' i! m5 J04 MOS开关实现的功能: ?; ]7 N% o3 [- j
& E7 s0 ?4 F. F( [9 Y$ g) T6 Z
1)信号切换
: m! b: y& M# b9 h4 v- a2)电压通断( ]0 N; T7 h1 ?! }2 q
) v3 c9 b _& r
05 MOS管用作开关时在电路中的连接方法
: i" N( J. v& X9 u% x3 i' {1 K8 p5 {+ j/ m( D: r
关键点:
4 ]; S& Q2 H) @+ e4 ~
. I* v+ [4 t& v4 S6 X1 p0 t1)确定哪一极连接输入端,哪一极连接输出端;2)控制极电平为“?V”时MOS管导通(饱和导通)?3)控制极电平为“?V”时MOS管截止?" ?6 [4 ~, r3 K! k7 Y
9 I& N" A. w# ]; W/ D8 {! R9 Z9 [1 t8 e6 z+ r8 U
) @/ G6 e9 X/ u/ n+ `$ j ZNMOS:D极接输入,S极接输出;
$ {9 K' }% r$ e% qPMOS:S极接输入,D极接输出; E9 T5 t$ H5 r2 C# m
反证法加强理解6 p! J* Z& g: K( }, b) E
NMOS假如:S接输入,D接输出;( n, I4 l( _# f" x$ X p- Z
; w! }: i$ N* p3 |
, {2 b# p+ L! @* f5 ^- y+ L由于寄生二极管直接导通,因此S极电压可以无条件到D极,MOS管就失去了开关的作用。0 I K9 z9 O( ^7 K0 e
9 R2 h' Y# t y$ V# D0 ]PMOS假如:D接输入,S接输出。! Z2 j' P2 a4 T, }6 I& v9 V C+ |
3 v- ~. o( o. {+ `. F. h" k
! ~' g5 M& F' ?( N2 O同样失去了开关的作用。1 [3 e: k5 s! `2 n' \: H6 }
! Z7 ^6 A/ S% B+ ~( }7 A3 Q) Q
06 MOS管的开关条件4 c3 D, }2 J9 _; ?( t
# N. H0 S# S+ K5 z. A
N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通;% t* V+ l- ^5 O6 v, t; i6 f) y6 T
4 a+ k" v" R4 z& O$ kP沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通;
( Q6 o- v4 i8 @; b$ u- |! s总之,导通条件:|Ugs|>|Ugs(th)|。
. y3 W$ a( X+ ?0 _/ W# ]0 Y; V, ^8 |" F2 c
07 相关概念# L/ N9 ^4 y+ v% i
6 e/ ]5 ~) R+ z3 j6 M L: }BJT; H2 P" A7 r' M2 N! P# L9 ^+ [' r
. d* G2 C; Y/ g6 |: b
Bipolar Junction Transistor 双极性晶体管,BJT是电流控制器件;
7 C) _7 z$ X3 j" P8 E2 l+ mFET, ]$ \7 |2 ~! C! A$ G
Field Effect Transistor 场效应晶体管,FET是电压控制器件。
9 g. A, c' g( I) _: W8 |按结构场效应管分为:结型场效应(简称JFET)、绝缘栅场效应(简称MOSFET)/ M" L# | ]: j1 E8 ]
两大类2 k) \& i# `6 Q1 y5 x. p9 H& O
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。 D! M* o- ], | P2 a# V. V
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。4 p* E: c2 ~" l8 O/ |& u
总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。) q) A$ A4 S4 Q! d# o
/ ^$ p" t9 I5 B; {2 ?08 MOS管重要参数
0 H1 K/ w6 B4 }$ e8 n7 T% g& d: Z+ u" O% N6 k! h- Q
①封装
5 s; e c/ ^- r) o# S5 ^1 w②类型(NMOS、PMOS)③耐压Vds(器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压)④饱和电流Id⑤导通阻抗Rds⑥栅极阈值电压Vgs(th)
8 R3 l3 r {4 X9 z+ y0 @7 t1 R( p% Z" g
09 从MOS管实物识别管脚; L- F/ f/ O, Y, Z& _
7 S6 o T* n" n
/ a6 M) z! {7 G3 T# G$ ^- ]8 U3 V: m1 s
无论是NMOS还是PMOS,按上图方向摆正,中间的一脚为D,左边为G,右边为S。
# x4 K' }6 Y/ R/ O5 E
" r( u1 ?" _ Z2 o, h% _或者这么记:单独的一脚为D,逆时针转DGS。
+ Q" D0 o G+ F7 `: ^这里顺便提一下三极管的管脚识别:同样按照上图方向摆正,中间一脚为C,左边为B,右边为E。
5 {2 y& w# B8 k! p4 I3 N7 i管脚编号! g3 u! x, L6 f3 Y* `$ _4 {9 w0 i
R7 S6 r1 g) S; L( y0 V
从G脚开始,逆时针123。
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三极管的管脚编号同样从B脚开始,逆时针123。0 @, U4 Y V2 K& b7 w3 C
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10 用万用表辨别NNOS、PMOS
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6 g5 K7 Z: N' t; E ^借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档,红表笔接S,黑表笔接D,有数值显示,反过来接无数值,说明是N沟道,若情况相反是P沟道。
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2 b; N9 ]) o0 y4 a5 x7 \* x8 Y11 画一个MOS管# N" F& T& {/ Y7 n- }6 U
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