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电路设计使用三极管需要注意的问题

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2021-12-7 13:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    按照现代的制造工艺来说,根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,由此就构成了一个晶体管
    ( V* R; X" u0 e- J/ i( c, c3 Z: D2 a6 E! X
    & S+ L! ?" a7 k; H/ V* f5 p

    * j: f8 U) h$ H; c9 N晶体管最大的优点就是能够放大信号,它是放大电路的核心元件,能够控制能量的转换,将输入的任何微小变化量不失真地进行放大输出。
    6 |2 x* T# X# i% `7 s6 Q) c
    ( D: H; ~* Y# V0 E' s以下是我们在电路设计中使用三极管时需要注意的几个问题,还是老样子——“看图说话”:5 Y1 t6 o" f) \

    ; y' |( w. l1 x, }4 q(1)需注意旁路电容对电压增益的影响:/ f8 Y- R" @/ L  |  T) C( M

    , ?; @3 j! r" L5 h
    3 m* h9 Y' P* P+ w3 q" P

    ' \% |' L2 G4 |$ v4 G2 S* w
    6 ]* a1 m4 T$ f. d  K& X, A这个电路在国内各种模拟电路教材书上是司空见惯的了,也算比较经典的了。由于这个旁路电容的存在,在不同频率环境中会有不同的情况发生:, @: q  e0 e* _2 v4 i3 r  z

    3 R" j; g; u7 M) e' ra、当输入信号频率足够高时,XC将接近于零,即射极对地短路,此时共射的电压增益为:        
      {3 K4 N% A* q! I) V9 _; P: I  J1 ]4 b" b1 j
    2 _% Q- w/ |* D
    # T; X& _; l; i0 \& Z) R! R
    / C) O9 g* _) a6 z+ |% v' N' H' |
    b、当输入信号频率比较低时,XC将远大于零,即相当于开路,此时共射的电压增益为:        ( }+ f; N; n- A, d. z( Z" I0 D

    # E" D+ Z6 x: j0 ~: x- U
    9 h% G- o: _& c' ?7 O. p. A5 F9 v
    % T' a4 B% y5 T4 }9 W! h/ M0 `

    ; Q( o' Y) }* N2 I8 x7 K5 @5 p由此可以看出,在使用三极管设计电路时需要掂量旁路电容对电压增益带来的影响。% l" L( q* I* H
    1 O  g4 ?) C$ H, B" O$ f$ P
    (2)需注意三极管内部的结电容的影响:, \4 u: Y6 `/ S4 W

    7 N( B; J8 l7 G* `; ^由于半导体制造工艺的原因,三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在,当输入信号频率达到一定程度时,它们会使得三极管的放大作用“大打折扣”,更糟糕的是,它还会因此引起额外的相位差。
    ' F' T' n2 C) O; T' }& w' Y1 y+ o% B% N/ O( x1 f; \& y6 m
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    3 Z; @6 k6 N: r
    ( k: H, u& g: `8 e
    % P/ |, M( ^( ~  p' i: a
    ' l/ U& U5 C" W1 ^
    由于Cbe的存在,输入信号源的内阻RS和XCbe形成了一个鲜为人知的分压器,也可以看成是一个LPF,当输入信号的频率过高时,三极管基极的电位就会有所下降,此时电压增益就随之减小。
    . S) y6 q( ]5 _
    2 b/ x/ r7 m( `& u& \' Ib、) r* m  q# L1 D( O
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    + A+ h' f9 Y' {+ T8 @7 W
    # E3 z; x8 P, T3 K* Q5 A2 h* k

    # N2 e0 A* X8 I由于Cbc的存在,当输入信号的频率过高时,Vout的一部分会经过Cbc反馈到基极,又因为此反馈信号和输入信号有180°的相位差,所以,这样也会降低基极的电位,电压增益也由此下降。4 C; M) S& z6 E) ~
    $ C" a7 C4 r# T. [+ o
    (3)需明确把握三极管的截止频率:
    + M  U5 {0 G6 F8 A. i' n2 N5 x9 i0 T0 y/ }' g* F

    7 u' B1 V8 P5 \* X  ?3 _* s5 _' U  O

    . g8 U  o8 U, T  B; }
    5 o! Y! S; v- c( x4 x1 V3 H这个电路图是一个等效过后的图,其中CL是集电极到发射极、集电极到基极之间的结电容以及负载电容的等效电容。当输入信号的频率达到* A; e9 b* g0 O
    6 `+ r' c8 K( j3 u1 d" `

    7 `& f. J# D6 B

    0 ~, m, ]# L$ Q: q; G4 `' d$ o1 C) M5 E
    时,三极管的增益开始迅速下降。为了很好地解决这个问题,就得花心思把CL尽量减小,由此,fH就可以更高一些。首先我们可以在设计电路时特意选择那种极间电容值较小的三极管,也就是通常所说的RF晶体管;我们也可以减小RL的取值,但是这样的话得付出代价:电压增益将下降。" d! s  f+ ~- G7 D% ~

      v0 Q% s2 U  `  M/ D& f(4)三极管作为开关时需注意它的可靠性:
    . H" Z& d! A" @5 p8 n
    + \+ |: W- G, v0 l+ r* I; L如同二极管那样,三极管的发射结也会有0.7V左右的开启电压,在三极管用作开关时,输入信号可能在低电平时(0.7V<Vin<2.4V)也会导致三极管导通,使得三极管的集电极输出为低电平,这样的情况在电路设计中是应该秒杀的。下图是解决这个问题的一个办法:
    / b( u: ~6 R1 b5 @- k! T
    + t2 X/ F8 R, P6 L- p
    9 M3 ?' X+ L, t5 [: I

    7 j, l) E. y2 {3 ?6 I
    / E$ G% C# A4 G在这里,由于在基极人为接入了一个负电源VEE,这样即使输入信号的低电平稍稍大于零,也能够使得三极管的基极为负电位,从而使得三极管可靠地截止,集电极就将输出为我们所希望的高电平。
    . S/ d. V$ f! z- J/ W% F: J4 y! C3 k4 E% b/ T4 S+ D: i  z% b
    (5)需要接受一个事实:三极管的开关速度一般不尽人意。
    1 I. H" ^, P% ?3 G! k# o
    3 ~% u/ }. ~/ D; \8 G5 o3 u由前所述得知,器件内部结电容的存在极大地限制了三极管的开关速度,但是我们还是可以想出一些办法有效地改善一下它的不足的,下图就提供了一个切实可行的方法:1 k9 z0 E4 }# B! N. d( K

    # y( J) w4 t0 J6 |+ Y8 G% J/ S- ~1 a. Q. v% H
    . k0 O! d/ Y8 J  c
      ]( y$ ~$ j+ O& ^6 G( l  B
    从图中可以看出,当输入信号的上升时间很小(信号频率很高)时,即dV/dt很大,则ZC很小,结果Ib非常大,以致三极管可以迅速地饱和或者截止,这自然也就提高了三极管的开关速度。$ K" Q0 U: x3 ~

    + _4 j. P- A- H3 Z! ?! }2 x# |- N) G(6)应该明白射极跟随器的原理:/ S1 T8 r& F3 x) i# V: u2 C! w0 l* e. B
    ( Z& w/ @: m$ l: Y' D8 T3 P# d

    * `8 l4 v5 J3 h- O6 @' W+ n
    : K0 {" D( j: }) F' y
    3 P7 \+ f/ W  I( M
    射极跟随器的一个最大好处就是它的输入阻抗很高,因而带负载能力也就加强了。但是在运用过程中还是得明白它的原理才行,否则可能会造成意外的“问题源”。下面介绍一下它的原理,对于这个电路而言,有如下方程式:) V3 L- @, x% `" I

    7 l4 G+ T* h' H$ K" E
    1 G0 r5 }& d$ c- L) {4 W$ r

    / F" I1 X7 Y5 \. j6 q/ v  m- ?9 z4 n) w
    3 d# |% C* @1 C! |' i; l1 [
    由此可以看出,连接在发射极的负载阻抗在基极看起来就像一个非常大的阻抗值,负载也就容易被信号源所驱动了。
    , ^4 W: V2 Q2 q' l; T9 H4 |7 {8 K0 i2 x% X6 F3 [5 S7 c
    这篇博文中主要是以共射电路为例来说明问题,以上所说的几个问题只能当是“管中窥豹”了,因为三极管的使用注意事项实在太多,并非一篇博文能够涵盖得了的, 况且要好好把握三极管这个器件也并非易事,但是如果我们在实践中有意识地不断去体会、不断去总结的话,三极管也将会为我们所熟用的。
    / ^3 K1 p. p( V, M1 x4 d/ A
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    2022-1-21 15:08
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    发表于 2021-12-7 14:42 | 只看该作者
    由于这个旁路电容的存在,在不同频率环境中会有不同的情况发生
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    3#
    发表于 2021-12-7 14:56 | 只看该作者
    由于半导体制造工艺的原因,三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在,当输入信号频率达到一定程度时,它们会使得三极管的放大作用“大打折扣”,更糟糕的是,它还会因此引起额外的相位差

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    发表于 2021-12-7 16:06 | 只看该作者
    晶体管最大的优点就是能够放大信号,它是放大电路的核心元件,能够控制能量的转换,将输入的任何微小变化量不失真地进行放大输出。
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