干货！汽车电子-关于RE辐射发射—第002篇原创!

kofi_gerrd

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上篇笔者给大家汇报关于汽车电子EMC设计架构，接下来这篇给大家分享一篇关于RE辐射发射，话不多说，直接上图：
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(要原图的同学可私信我)

1. 执行标准：GB/T 18655-2018-6.5,通常是采用ALSE法；

[size=10.5000pt]2. 试验本质：射频电流流过两种等效天线，如：信号环流，线缆等；

[size=10.5000pt]3. 分析方法：三要素法，辐射源：时钟源、耦合路径：两种等效天线、敏感源：接收天线；

[size=10.5000pt]4. 解决方法：从辐射源、耦合路径入手；

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下面重点阐述解决方法：

4.1 从辐射源入手

辐射源可分为晶振、高速时钟（如：DDR-CLK、LVDS-CLK）、共模电流驱动；

4.1.1对于前两者，主要解决方法有：

[size=10.5000pt]1. 在时钟或晶振的输出加磁珠、电阻、滤波等；

2. 在元件层铺局部地，降低驱动电压；

3. 在晶振或时钟的第二层铺完整地平面，每隔λ/20打孔；

4. 使用展频芯片；

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4.1.2对于共模电流驱动，要先了解其构成条件：

[size=10.5000pt]1. RF射频电流，如晶振、时钟的回流（注意是回流）

2. RF射频电位差，如过孔、裂缝、开槽、连接器（每1cm寄生电感10nH）、排线等；

从构成条件入手，可分析其解决方案有：

[size=10.5000pt]1. 设计完整地平面，尽量避免过孔、开槽、裂缝等；

[size=10.5000pt]2. 尽量避免使用连接器、排线作为PCB之间的连接，如必须使用，尽量合理设计地针；

[size=10.5000pt]3. 降低RF回流电流，具体方法见4.1.1；

[size=10.5000pt]4. 必须避免在RF射频电流的回流路径上出现电位差！（这点尤为重要！）

下面举例：假设PCB地平面存在裂缝，其造成的寄生电感为L、射频回流为IDM、线缆与参考地之间的寄生电容为C，则：

射频电流回流经过L时产生共模驱动电压为：UCM=IDMx(jwL)，电缆上的射频电流为：

ICM=UCM/Zc=-W2xLxCxIDM，从公式看出，降低L和IDMJ能有效降低流过电缆的射频电流，而流过电缆的射频电流大小决定了RE测试能否通过!

4.2 从耦合路径入手

从耦合路径入手的解决方法有：

[size=10.5000pt]1. 电缆屏蔽，在电缆或长导线的两端采取360°搭接；

[size=10.5000pt]2. 设计净地，在连接器下方画出一片净地，注意信号+地线都要用磁珠跨平面分割；

[size=10.5000pt]3. 设计“疏导”，具体做法，在连接器附近设计一个铜柱固定孔位，目的把即将发射出去的  RF电路导流会源头，注意铜柱与PCB要低阻抗连接；方法2、3结合使用效果更佳。

综上，乃笔者整理的关于RE辐射发射的笔记，欢迎同学们积极留言讨论，说说关于通过RE的一些实用法子，谢谢……

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下一篇，笔者将结合一个真实案例进一步讲解上述方法。

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七百年后

感谢楼主干货分享

Asdfjkl3131

在晶振或时钟的第二层铺完整地平面，每隔λ/20打孔；这个是在晶振元器件周围打一圈还是沿着时钟线打孔？