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集成运放的参数较多,当中主要參数分为直流指标和交流指标,外加全部芯片都有极限参数。
/ M* c6 Z9 v5 s$ W+ P( o/ m" \
) U. T1 m3 U, M" l }本文以NE5532为例,分别对各指标作简单解释。以下内容除了图片从NE5532数据手冊上截取,其他内容都整理自网络。- T/ O5 g! s8 y4 h
8 c( ^% ^$ R0 _2 J& b6 i* n% P: R
" c) k5 A# n7 @ F极限参数
3 Y+ f6 c. g! v. r9 H. X# S1 j' i: L1 n2 n- u' @
: u* x' b7 M ?主要用于确定运放电源供电的设计(提供多少V电压、最大电流不能超过多少),NE5532的极限參数例如以下:
$ Z, }; A6 T/ u5 C+ ?
9 I9 A: | F$ K, j$ p( d* Y9 `6 F5 x) ?$ z# p
% } s5 N) g) J5 E9 ~& d
直流指标+ j( E/ W* V2 a7 y j3 T
运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移(简称输入失调电压温漂)、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移(简称输入失调电流温漂)、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。NE5532的直流指标例如以下:) w4 T- a3 m5 b4 L
; Z0 G0 Q2 o1 `$ e. Z0 n
, G+ L" j& c: I2 n r# P7 z+ H1 `2 d% ~9 q) [% N
- 输入失调电压Vos:/ Q: A- `- Z* W+ p6 ^, j
输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时。两个输入端之间所加的补偿电压。输入失调电压实际上反映了运放内部的电路对称性。对称性越好。输入失调电压越小。输入失调电压是运放的一个十分重要的指标,特别是精密运放或是用于直流放大时。输入失调电压与制造工艺有一定关系。当中双极型工艺(即上述的标准硅工艺)的输入失调电压在±1~10mV之间。採用场效应管做输入级的,输入失调电压会更大一些。对于精密运放。输入失调电压一般在1mV以下。输入失调电压越小,直流放大时中间零点偏移越小,越easy处理。
* `+ |& l9 ]+ i0 x" ]所以对于精密运放是一个极为重要的指标。* Y( v& r. S; _+ i. B. O. q
- 输入失调电压的温度漂移(简称输入失调电压温漂)ΔVos/ΔT:5 ~$ K8 {9 h3 M+ @4 o. [
输入失调电压的温度漂移定义为在给定的温度范围内,输入失调电压的变化与温度变化的比值。这个參数实际是输入失调电压的补充,便于计算在给定的工作范围内,放大电路因为温度变化造成的漂移大小。一般运放的输入失调电压温漂在±10~20μV/℃之间,精密运放的输入失调电压温漂小于±1μV/℃。) z; `; V- `: f8 G8 h
- 输入偏置电流Ios:# h. Q/ G: A& `3 w$ z( C( X/ U
输入偏置电流定义为当运放的输出直流电压为零时,其两输入端的偏置电流平均值。输入偏置电流对进行高阻信号放大、积分电路等对输入阻抗有要求的地方有较大的影响。
/ F! f1 s+ b4 S4 y: \1 O4 {输入偏置电流与制造工艺有一定关系,当中双极型工艺(即上述的标准硅工艺)的输入偏置电流在±10nA~1μA之间;採用场效应管做输入级的,输入偏置电流一般低于1nA。
& T$ s4 {$ @2 K9 n* i7 n/ w - 输入失调电流的温度漂移(简称输入失调电流温漂)ΔIos/ΔT:
- J. W! Q6 x* q; R - 最大共模输入电压Vcm:6 l; {/ Y3 c- i6 z4 _
最大共模输入电压定义为,当运放工作于线性区时。在运放的共模抑制比特性显著变坏时的共模输入电压。一般定义为当共模抑制比下降6dB 是所相应的共模输入电压作为最大共模输入电压。
6 R5 h. N/ y% Y6 Q% U& w最大共模输入电压限制了输入信号中的最大共模输入电压范围。在有干扰的情况下。须要在电路设计中注意这个问题。
5 u4 V% }6 x$ H9 a/ z- ], h - 共模抑制比CMRR:! w5 z, F3 ]) M
共模抑制比定义为当运放工作于线性区时。运放差模增益与共模增益的比值。2 N9 f+ X5 u2 a
共模抑制比是一个极为重要的指标,它可以抑制差模输入中的共模干扰信号。因为共模抑制比非常大。大多数运放的共模抑制比一般在数万倍或很多其他,用数值直接表示不方便比較,所以一般採用分贝方式记录和比較。一般运放的共模抑制比在80~120dB之间。
! a& Z* g8 F7 S/ ^; B - 电源电压抑制比PSRR:
. Q) z8 T! o2 s+ S8 v: t9 F电源电压抑制比定义为当运放工作于线性区时,运放输入失调电压随电源电压的变化比值。电源电压抑制比反映了电源变化对运放输出的影响。
& w7 p6 s# a- x, ]对于电源电压抑制比低的运放,运放的电源须要作认真仔细的处理, 否则电源的纹波会引入到输出端。当然,共模抑制比高的运放,可以补偿一部分电源电压抑制比,另外在使用双电源供电时。正负电源的电源电压抑制比可能不同样。) _8 _1 W0 L' X8 b1 L# B2 U
- 输出峰-峰值电压Vout:
8 \8 o* V4 q. c: Y# p+ W& }4 ]输出峰-峰值电压定义为。当运放工作于线性区时。在指定的负载下,运放在当前大电源电压供电时,运放可以输出的最大电压幅度。" W% U+ Z0 T. {/ W" d
除低压运放外。一般运放的输出输出峰-峰值电压大于±10V。一般运放的输出峰-峰值电压不能达到电源电压,这是因为输出级设计造成的,现代部分低压运放的输出级做了特殊处理,使得在10k?# ~' T! b% o1 x5 A H4 K* y6 D
负载时,输出峰-峰值电压接近到电源电压的50mV以内,所以称为满幅输出运放,又称为轨到轨(raid-to-raid)运放。% k: b# x0 Z d0 _3 d
须要注意的是。运放的输出峰-峰值电压与负载有关,负载不同,输出峰-峰值电压也不同;运放的正负输出电压摆幅不一定同样。
) u0 d; i# i5 n. t( F0 `6 M对于实际应用,输出峰- 峰值电压越接近电源电压越好,这样可以简化电源设计。* G8 f# P' h5 S+ W9 h. Y
可是如今的满幅输出运放仅仅能工作在低压。并且成本较高。0 y3 n! I) I [, \0 F8 L
- 输入阻抗Rin:! e$ B7 y! W: y
输入阻抗反映输入对运放性能的影响,选择运放时输入阻抗越大越好。/ Z2 l2 ~) X+ e5 L. P( t3 Q
5 B% S( d v0 [! ^ P+ B
1 U0 j; ?2 B" y# f+ K 交流指标/ x. a" }% b2 S* c* o
运放主要交流指标有开环带宽、单位增益带宽、转换速率SR、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。! f @/ K8 e/ j0 o
) x: K2 O( l0 O+ L* m
" @) p5 @: L' \' b" {
% S8 [7 x7 M" p$ a( O3 n交流指标中有很多非常重要的參数,尤其单位增益带宽和压摆率,分别在小信号和大信号运放选型中尤事实上用。
' r/ l$ c7 v, w* s/ ]3 C* G6 }
* i# ~: B! y5 P, ?- 输出阻抗Rout:* k6 U, q. R( a5 G
输入阻抗反映运放输出端带负载能力。越小越好。2 Q9 v$ D3 p- U# Z( K
- 开环增益Av:
# ^! j2 P1 \+ t- e( x3 k0 M开环条件下运放能达到的最大增益4 f+ V) P& K1 I, W4 x& }( E7 \5 C
- 开环带宽:; B5 ^9 [9 c' j
开环带宽定义为。将一个恒幅正弦小信号输入到运放的输入端。从运放的输出端測得开环电压增益从运放的直流增益下降3db(或是相当于运放的直流增益的0.707)所相应的信号频率。这用于非常小信号处理。NE5532数据手冊中貌似没有这项參数。
( a! N( F3 I) t' A - 单位增益带宽GB(NE5532中使用增益带宽积GBW衡量)
0 Q3 T: ^# ?0 Z9 _% L$ U% Q单位增益带宽定义为,运放的闭环增益为1倍条件下,将一个恒幅正弦小信号输入到运放的输入端。从运放的输出端測得闭环电压增益下降 3db(或是相当于运放输入信号的0.707)所相应的信号频率。' Z1 k1 `# Y* Q8 y% R
单位增益带宽是一个非常重要的指标,对于正弦小信号放大时,单位增益带宽等于输入信号频率与该频率下的最大增益的乘积。换句话说,就是当知道要处理的信号频率和信号须要的增以后。可以计算出单位增益带宽,用以选择合适的运放。. x) [/ q) W' p, t4 B0 g/ O
这项參数用于小信号处理中运放选型。* c$ S* _6 x( k
- 压摆率(转换速率)SR:3 D8 v5 D7 L* k* }
运放接成闭环条件下,将一个大信号(含阶跃信号)输入到运放的输入端,从运放的输出端測得运放的输出上升速率。因为在转换期间,运放的输入级处于开关状态。所以运放的反馈回路不起作用,也就是转换速率与闭环增益无关。
7 g3 W. }" P( Y8 P9 Y) l转换速率对于大信号处理是一个非常重要的指标。对于一般运放转换速率SR<=10V/μs。快速运放的转换速率SR>10V/μs。眼下的快速运放最高转换速率SR达到 6000V/μs。这用于大信号处理中运放选型。1 w# d% M# K, }! j; k B
- 全功率带宽:
' g( z8 ^9 \# c; R( i5 e# y; ?! g在额定的负载时,运放的闭环增益为1倍条件下,将一个恒幅正弦大信号输入到运放的输入端,使运放输出幅度达到最大(同意一定失真)的信号频率。这个频率受到运放转换速率的限制。近似地。全功率带宽=转换速率/2πVop(Vop是运放的峰值输出幅度)。全功率带宽是一个非常重要的指标,用于大信号处理中运放选型。, `9 z& ?4 s. {. u) }0 g7 A* B+ d! c
- V. `: N9 P8 V. ^0 n
经常使用运放选型表7 q8 N! b, a9 q" K4 H8 D$ A( n
以下为从其他地方转载过来的经常使用运放选型表:
. ^! D# f- n) @器件名称 制造商 简单介绍
5 M% ^4 R# Y% _4 P* ]# \4 _3 [ A, Y% \" {
μA741 TI 单路通用运放
; A% E p! H; M1 G# GμA747 TI 双路通用运放
! M( r% s- x6 I/ a- X" i9 B8 YAD515A ADI 低功耗FET输入运放, F) b* m) Q" N6 k* h
AD605 ADI 低噪声,单电源,可变增益双运放6 z0 X8 j! y N J) n$ E5 F
AD644 ADI 快速,注入BiFET双运放
/ p1 z$ @+ J e) w; S1 ^9 jAD648 ADI 精密的,低功耗BiFET双运放
- O% o' `4 v6 T% m: F- qAD704 ADI 输入微微安培电流双极性四运放4 O% B% _+ I& W
AD705 ADI 输入微微安培电流双极性运放# S+ u5 a) Y. L% E2 c3 U. d W
AD706 ADI 输入微微安培电流双极性双运放3 t! M8 f0 w; P/ F
AD707 ADI 超低漂移运放; f/ T1 w5 i4 v0 [7 `
AD708 ADI 超低偏移电压双运放0 v" U# C x0 I7 `
AD711 ADI 精密,低成本,快速BiFET运放
g O/ k; X: r2 `1 S8 nAD712 ADI 精密,低成本,快速BiFET双运放
7 v( d' `$ w. U2 j' o% J0 jAD713 ADI 精密,低成本,快速BiFET四运放) H( y& t2 ?$ u( h& x6 c: d' v
AD741 ADI 低成本,高精度IC运放5 |& `5 F7 `; n1 m/ G' h, {% f
AD743 ADI 超低噪音BiFET运放
4 D" B2 n8 D! W% U0 H! s# ^( |AD744 ADI 高精度,快速BiFET运放
" d+ U# {% n. [) B, A4 _" o: _AD745 ADI 超低噪音,快速BiFET运放
. `' M4 `1 g7 q4 T+ tAD746 ADI 超低噪音,快速BiFET双运放
0 v# `3 f! i# Z [AD795 ADI 低功耗,低噪音,精密的FET运放 R& q2 f+ s- g9 h. M8 ~3 X6 X
AD797 ADI 超低失真,超低噪音运放 g8 b. G# N, E9 P
AD8022 ADI 快速低噪,电压反馈双运放
& L7 |) g2 f" e6 ^' C- WAD8047 ADI 通用电压反馈运放
4 f; I+ V( c6 y% @# r. x2 z5 s% KAD8048 ADI 通用电压反馈运放9 `$ f" w" E6 t2 d. ]+ N& [1 e
AD810 ADI 带禁用的低功耗视频运放
* h5 u A0 b0 n; x; L4 c& B1 jAD811 ADI 高性能视频运放
. c: O+ Z" U4 Y, N7 ]3 ~6 vAD812 ADI 低功耗电流反馈双运放
% r; L, f' C1 E9 i* K) uAD813 ADI 单电源,低功耗视频三运放
- k$ V* S5 K' q, ~5 |, Q) }6 gAD818 ADI 低成本,低功耗视频运放
3 m5 b( m9 h4 p5 n% L# {AD820 ADI 单电源,FET输入,满幅度低功耗运放
3 S" t" J: ^& V v3 JAD822 ADI 单电源,FET输入,满幅度低功耗运放
0 k, d6 q& M3 ]# f* @3 Z& YAD823 ADI 16MHz,满幅度,FET输入双运放
$ I( D% U# P" m) U& ?* ?& O' qAD824 ADI 单电源,满幅度低功耗,FET输入运放
- Q0 G3 \2 T5 S6 R# d/ `AD826 ADI 快速,低功耗双运放
6 n# k' P- n$ w9 p9 [% j0 V: \ LAD827 ADI 快速,低功耗双运放
: H' F' I2 b% E6 d+ H0 hAD828 ADI 低功耗,视频双运放
+ L$ Z8 g( E) b2 U, qAD829 ADI 快速,低噪声视频运放
- I4 t& S6 M! ` t; t8 L: T' ~, k) FAD830 ADI 快速,视频差分运放9 I& K9 \& q; ?7 U- F
AD840 ADI 宽带快速运放
2 c; A* p( x# D. m2 X9 n# ~+ q* @AD841 ADI 宽带,固定单位增益,快速运放) E. j2 e+ s) w
AD842 ADI 宽带,高输出电流,快速运放0 K' t; T; T& n! E5 ]8 z. B3 O
AD843 ADI 34MHz,CBFET快速运放
+ M! f; U& U c$ f m5 r) wAD844 ADI 60MHz,2000V/μs单片运放% Q6 o; ^ ^& h9 ^
AD845 ADI 精密的16MHzCBFET运放
' E: s2 A* M/ T6 i. l# XAD846 ADI 精密的450V/μs电流反馈运放
# p1 s' f: x$ E, j$ j4 K4 iAD847 ADI 快速,低功耗单片运放8 V3 C# X0 g; Y, x x: k# r
AD848 ADI 快速,低功耗单片运放
9 F7 g6 D' @4 ~1 x% T3 PAD849 ADI 快速,低功耗单片运放
) I- D/ m b7 V7 d' Z! G, V$ w5 {AD8519 ADI 满幅度运放
' `! \' \9 K7 r. YAD8529 ADI 满幅度运放1 D5 n! T; x" Y' b. r* Y
AD8551 ADI 低漂移,单电源,满幅度输入输出运放* y/ H# A6 r) r4 k0 s3 E+ _% F
AD8552 ADI 低漂移,单电源,满幅度输入输出双运放! [( I: x9 F- u+ {$ V0 \8 ~# r
AD8554 ADI 低漂移,单电源,满幅度输入输出四运放
& Q- I! P7 i. p; s5 @8 j7 DAD8571 ADI 零漂移,单电源,满幅度输入/输出单运放2 k; A/ Q6 L7 J
AD8572 ADI 零漂移,单电源,满幅度输入/输出双运放
% q- s$ V: K! D8 Z7 v! U4 dAD8574 ADI 零漂移,单电源,满幅度输入/输出四运放
; n b) W% I8 x FAD8591 ADI 带关断的单电源满幅度输入输出运放
/ V# L& Y3 C. p9 O z6 r( P+ SAD8592 ADI 带关断的单电源满幅度输入输出运放
6 T3 x0 O% v1 t$ bAD8594 ADI 带关断的单电源满幅度输入输出运放
. ~* V/ ]+ d7 }3 C5 t# H: N5 p1 kAD8601 ADI 低偏移,单电源,满幅度输入/输出单运放3 {+ W+ o7 c# o/ X+ A% p: _
AD8602 ADI 低偏移,单电源,满幅度输入/输出双运放
4 E3 H: p: q/ I/ E/ K( d3 kAD8604 ADI 低偏移,单电源,满幅度输入/输出四运放# f5 r/ V" z8 G* M2 x4 j: N, x( K/ T
AD9610 ADI 宽带运放/ E+ w# V4 g* z3 O/ j& o6 W
AD9617 ADI 低失真,精密宽带运放7 X) h. X3 v8 Y: o' K6 ?; b) l
AD9618 ADI 低失真,精密宽带运放6 i' m. `/ a8 y& x N; W2 i
AD9631 ADI 超低失真,宽带电压反馈运放
- s1 U# M- v$ k" A2 u% S& IAD9632 ADI 超低失真,宽带电压反馈运放/ z+ {8 Q" F' P" x, s
C54DSKplus TI 低噪快速去补偿双路运放
; k) k3 ^2 x. w7 H f9 J7 I* qL165 ST 3A功率运放/ c* u" I# w- q( B. X+ b% O
L272 ST 双通道功率运放
; T! i5 T9 b( M- O3 a! T% O; JL2720 ST 低压差双通道功率运放4 e# f6 A: H5 G' X* j: ^
L2722 ST 低压差双通道功率运放/ N: a. M0 A0 C I; G6 n( I3 E( M Y4 L
L2724 ST 低压差双通道功率运放
, G4 p- i) F" UL2726 ST 低压差双通道功率运放: I( _0 j4 i R L- {
L2750 ST 低压差双通道功率运放
! q! f& f2 T+ i. KLF147 ST 宽带四J-FET运放
* T8 w0 Y3 U1 i7 W/ d! bLF151 ST 宽带单J-FET运放
5 p# x/ ^7 X c( ~* j' n! x9 P1 {! QLF153 ST 宽带双J-FET运放' D/ T b- n0 h8 `$ A2 ]: m
LF155 ST 宽带J-FET单运放; A) C$ l( T: c% ?; C' w! k5 T5 S
LF156 ST 宽带J-FET单运放
% v2 I/ {' f0 P9 Y+ @LF157 ST 宽带J-FET单运放
- E0 z- @" H* C) uLF247 ST 宽带四J-FET运放
: y, a: R6 p; }5 oLF251 ST 宽带单J-FET运放
, Y% b9 [1 q/ b/ z1 }& f% T' zLF253 ST 宽带双J-FET运放$ u' ]% J H* f3 A4 O
LF255 ST 宽带J-FET单运放
" T" K' Q% y( MLF256 ST 宽带J-FET单运放. R$ M3 A7 H- O$ w
LF257 ST 宽带J-FET单运放
5 k" Y* s* b( E. y3 L! DLF355 ST 宽带J-FET单运放+ N2 x+ A9 T" r- J* O: u
LF356 ST 宽带J-FET单运放% t K8 c% J- {6 F; O' `8 c. n
LF357 ST 宽带J-FET单运放0 ]6 N) F6 V9 @* h ], f( s7 K( y4 w
LM101A TI 高性能运放
; w* B& E9 [" u& U* x! F, vLM124A(ST) ST 低功耗四运放
; g8 k2 g7 s! B4 S; J! rLM146 ST 可编程四双极型运放9 h) f& v1 y" S" @( e% D
LM158/A ST 低功耗双运放
8 Y) r7 [6 v! Z) Z4 S+ h/ m2 ZLM224A(st) ST 低功耗四运放
$ Z$ |5 K" Y7 ]5 E" w% Q" NLM246 ST 可编程四双极型运放; i4 k& t8 u: a; ?# p; g g
LM258/A ST 低功耗双运放# u* D& A0 `1 r3 k( D+ t" S( R
LM324A ST 低功耗四运放1 |+ t, O' D. x9 L/ W
LM346 ST 可编程四双极型运放
( q: w: K) I6 r+ Q0 c8 ZLM358/A ST 低功耗双运放0 }, D: c" I. t0 ` D0 Z. \2 r( ?# f
LMV321 TI 低电压单运放) \! m. [8 G: e2 |5 y
LMV324 TI 低电压四运放5 i; f, h8 ], |8 |
LMV358 TI 低电压双运放$ E5 G5 K/ b+ b2 c$ X7 O$ j1 G. r
LS204 ST 高性能双运放
; n8 ?4 K1 x3 h4 R* x6 WLS404 ST 高性能四运放# h; v+ N: u8 k1 \0 X9 R
LT1013 TI 双通道精密型运放
, c8 U. N. H6 H; B: R- u4 D1 `1 SLT1014 TI 四通道精密型运放
5 x1 s6 U4 D" W. z/ lMC1558 TI 双路通用运放
# Q7 Z1 C7 y- j. v" _% B3 NMC33001 ST 通用单JFET运放- P6 s- X- A( w" [, x1 [( @
MC33002 ST 通用双JFET运放$ e0 ^2 W$ C* V% v! r
MC33004 ST 通用四JFET运放
- M/ t8 v. b. ?" `& p# C) \MC3303 TI 四路低功率运放
# E" C! Q: j) u" m% X# xMC33078 ST 低噪双运放
; U$ W4 w4 q' g) f! ^MC33079 ST 低噪声四运放
" X) f6 }5 W3 PMC33171 ST 低功耗双极型单运放1 @0 ^. p& j0 H( B. Y+ V
MC33172 ST 低功耗双极型双运放
1 k$ |( [( X2 g) C3 S# ^0 vMC33174 ST 低功耗双极型四运放& q3 L# j. Z+ G$ D$ R6 b) M% t5 W) M
MC34001 ST 通用单JFET运放
8 B/ I. ^% A/ H. e5 FMC34002 ST 通用双JFET运放
4 @: f0 r2 m; I5 p4 ]. d8 o$ oMC34004 ST 通用四JFET运放
9 @& }- u: g* L% P1 {) k& N( EMC3403 TI 四路低功率通用运放
5 z! o: S+ U& s( t* nMC35001 ST 通用单JFET运放
Q3 i3 Q+ H' ~3 R1 s* VMC35002 ST 通用双JFET运放2 K5 S9 ]' c6 m5 _. n
MC35004 ST 通用四JFET运放
6 w' P6 M: r, P1 }5 ]" QMC3503 ST 低功耗双极型四运放
- {) \. }$ i' j) NMC35171 ST 低功耗双极型单运放
3 J0 L1 V8 [, r E, R S* wMC35172 ST 低功耗双极型双运放
' y# k+ U+ r3 D9 R* XMC35174 ST 低功耗双极型四运放
" b& H& z$ h) A! F/ ~MC4558 ST 宽带双极型双运放
1 O( w& {9 p% a. Y0 t$ G, aMCP601 Microchip 2.7V~5.5V单电源单运放 A% J( P2 E' }, v/ }$ }/ y
MCP602 Microchip 2.7V~5.5V单电源双运放
! L m) @* {1 W6 B6 [( z: @7 W6 DMCP603 Microchip 2.7V~5.5V单电源单运放
/ c* z$ g% Z: ~2 D/ yMCP604 Microchip 2.7V~5.5V单电源四运放' d" a( ~: }- O
NE5532 TI 双路低噪快速音频运放
% E1 D9 j3 D# Z1 vNE5534 TI 低噪快速音频运放/ r* D3 O3 X0 F1 K4 D2 d" c" d0 y
OP-04 ADI 高性能双运放, c8 p; m$ ^& q; D1 @6 m% v
OP-08 ADI 低输入电流运放
# V8 a- `2 C j, OOP-09 ADI 741型运放1 V0 u0 g% m! Q- j4 z( u; `7 t9 Z
OP-11 ADI 741型运放! k7 Y) H8 a: d `0 a
OP-12 ADI 精密的低输入电流运放
# Q; R. s: L, A+ e6 N4 ?OP-14 ADI 高性能双运放 t% l! v# i0 T9 I0 }
OP-15 ADI 精密的JFET运放
3 f9 G, l) Q5 O' a5 q& x8 }- wOP-16 ADI 精密的JFET运放
: J1 S0 {; D* jOP-17 ADI 精密的JFET运放
) O4 g3 d7 h) T2 Q; |OP-207 ADI 超低Vos双运放
j' k! c+ ]+ u+ E. D) z* z; a: r* z+ c; MOP-215 ADI 高精度双运放! u- x9 H! G4 {
OP-22 ADI 可编程低功耗运放5 C4 Y# Z' |/ g( K* W$ S- X
OP-220 ADI 低功耗双运放
7 m% h4 Q. ] V% V; H, J2 q l: JOP-221 ADI 低功耗双运放+ h% @+ [" J2 U4 a
OP-227 ADI 低噪低偏移双測量运放
7 u' A* F) H7 n' j6 y5 R+ KOP-260 ADI 快速,电流反馈双运放+ Y; @ G1 | y$ F
OP-27 ADI 低噪声精密运放
T; S' o9 G. n# yOP-270 ADI 低噪音精密双运放
$ q1 m6 z3 h8 P3 s0 J) h$ zOP-271 ADI 快速双运放4 I- e0 N: B- _9 d% u
op-32 ADI 快速可编程微功耗运放
7 n, ~7 H& Y' e* b6 Wop-37 ADI 低噪声,精密快速运放. E/ P9 B9 |: U. P
op-400 ADI 低偏置,低功耗四运放
0 U& ~7 o; @0 h. e E) y+ D, ~8 Yop-42 ADI 快速,精密运放
6 A: [' `% y% b H( Sop-420 ADI 微功耗四运放
7 {8 @8 R/ o3 h+ L5 dop-421 ADI 低功耗四运放
5 V; H4 k2 g: W4 U nop-471 ADI 低噪声,快速四运放- i+ |4 l- `7 [% Y' b: u! q) @' `
OP07 ADI 超低偏移电压运放
* W5 } N$ H. q( B' s9 pOP07C TI 高精度,低失调,电压型运放
- r. Z6 N5 x- Z& J0 s9 IOP07D TI 高精度,低失调,电压型运放
' K" G4 t Y/ _$ {. m7 QOP07Y TI 高精度,低失调,电压型运放. v& z s# ?/ n0 a$ _# u4 J/ a: |7 ~
OP113 ADI 低噪声,低漂移,单电源运放
# G3 d! X5 M$ \$ j+ q$ B1 ^( pOP162 ADI 15MHz满幅度运放; y, s+ s, E' O2 o5 a1 l% Z
OP176 ADI 音频运放
& N5 E* @- A5 c3 F- X) {1 t1 G: ~OP177 ADI 超高精度运放/ b# i- u: o! P/ S" G( I+ L# d
OP181 ADI 超低功耗,满幅度输出运放+ t* ]0 R" T* w p" x' |3 z/ I
OP183 ADI 5MHz单电源运放" @) I) [* l: @! |# W6 F# k# J
OP184 ADI 精密满幅度输入输出运放
; o6 G$ k; v7 w: e9 a, }OP186 ADI 满幅度运放4 ~- R5 _& n; t, f
op191 ADI 微功耗单电源满幅度运放
- M- m) T0 D9 P) T' QOP193 ADI 精密的微功率运放
- ^" k+ I; f' FOP196 ADI 微功耗,满幅度输入输出运放
% J2 z2 L; q) c% ~1 {+ }. @1 E3 MOP200 ADI 超低偏移,低功耗运放
5 H8 @+ T# R# b5 O! b. l yOP213 ADI 低噪声,低漂移,单电源运放( w; I9 x9 e2 {5 ?$ P
OP249 ADI 快速双运放9 [1 m/ O* X. b+ ^* n6 x
OP250 ADI 单电源满幅度输入输出双运放- ^( `: t7 _$ M0 C+ |
OP262 ADI 15MHz满幅度运放
4 [; h4 Z- r7 T/ n2 {) T3 g: ^OP27 TI 低噪声精密快速运放
u" d V0 ~3 |6 p. t: Iop275 ADI 音频双运放, D4 d' d) W; q( y, c
OP279 ADI 满幅度高输出电流运放# F3 _& T; C# F" M" `% n. `
OP281 ADI 超低功耗,满幅度输出运放" Y0 v( v/ [/ }& A$ p& P2 Y" c
op282 ADI 低功耗,快速双运放
! `) o$ E6 Z( S$ K$ P' GOP283 ADI 5MHz单电源运放$ f" }: w' i1 n s0 w8 Q
OP284 ADI 精密满幅度输入输出运放
! V% ]7 F0 t+ `2 Pop285 ADI 9MHz精密双运放
* q5 D s" T1 P2 V2 N) [! x& zop290 ADI 精密的微功耗双运放
' h5 |* H: k" N. P/ Dop291 ADI 微功耗单电源满幅度运放9 N/ O& f4 O' |0 t. ~% P9 [ b
op292 ADI 双运放5 F- H- ~) M) }5 c) w* M- }! d
OP293 ADI 精密的微功率双运放
3 _+ g% R- g& p+ Sop295 ADI 满幅度双运放5 t0 P6 n8 y6 B+ w$ F5 P
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8 N' r% c2 H# l+ f! oop297 ADI 低偏置电流精密双运放/ {" P, I$ i) J1 W- {( W9 ^( }
OP37 TI 低噪声精密快速运放- o# `+ H7 f! \0 v3 j# @
OP413 ADI 低噪声,低漂移,单电源运放
" ?6 t' U# h1 F( i: AOP450 ADI 单电源满幅度输入输出四运放' h2 X# T+ Z1 n' |/ [* U: z
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op467 ADI 快速四运放
( V6 h3 f' F3 o; ^) F) y. dop470 ADI 低噪声四运放
" d( e( g Z" {6 nOP481 ADI 超低功耗,满幅度输出运放
: c7 O! i) l* z8 T* L" p. jop482 ADI 低功耗,快速四运放
f9 a$ Y3 Y/ X4 n1 EOP484 ADI 精密满幅度输入输出运放+ s" J6 a/ y0 N( H7 X
op490 ADI 低电压微功率四运放2 Q+ X" d. [% w& ?
op491 ADI 微功耗单电源满幅度运放0 T; {7 l* s0 G# b2 `" l8 J" J+ u5 g
op492 ADI 四运放
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op495 ADI 满幅度四运放, W4 i2 p5 k& m4 \
OP496 ADI 微功耗,满幅度输入输出四运放
% }; D8 o; y: B, c! [7 [" Jop497 ADI 微微安培输入电流四运放
+ N+ Y' I; j$ k7 F' top77 ADI 超低偏移电压运放0 Q' v3 \$ u; H: E- x6 w7 `
op80 ADI 超低偏置电流运放
' S5 _9 C% h" w* r- F/ P2 P- TOP90 ADI 精密的微功耗运放
! P+ l3 P, J% _0 j- e1 Uop97 ADI 低功耗,高精度运放
' n$ @4 q! |2 P4 I% r, zPM1012 ADI 低功耗精密运放
3 G' s$ T1 H$ D5 _$ b- k2 L7 {0 JPM155A ADI 单片JFET输入运放
# N; |9 ~0 D( K9 H5 ]PM156A ADI 单片JFET输入运放& t2 e$ ~5 O5 `
PM157A ADI 单片JFET输入运放
4 ^, r0 Y0 {2 k$ u' d7 ORC4136 TI 四路通用运放; V" R/ h1 G; E- T+ ^, x
RC4558 TI 双路通用运放/ M. J6 f9 q5 D7 S8 m+ |0 {" p- T8 c
RC4559 TI 双路高性能运放
5 }( r* a$ v3 [, {/ K% g- V" \RM4136 TI 通用型四运放
- ^; W, n/ [3 mRV4136 TI 通用型四运放6 T9 p( _- C4 W; ^7 J; [8 e
SE5534 TI 低噪运放5 ~, ~1 K2 T- F$ q5 q& F
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SSM2164 ADI 低成本,电压控制四运放
9 h, P& J2 S, Y) ~" iTDA9203A ST IIC总线控制RGB前置运放, {7 }' S# h9 f4 ^7 G
TDA9206 ST IIC总线控制宽带音频前置运放" q& g% v$ g- D) y
TEB1033 ST 精密双运放* B. V" b8 R, d+ m! l
TEC1033 ST 精密双运放, K: Y0 z2 } r7 Z
TEF1033 ST 精密双运放
3 T! _# ~ G5 c, b% qTHS4001 TI 超快速低功耗运放- E5 b! S* s2 v( ^
TL022 TI 双组低功率通用型运放
) L" b! g l. ~: u& BTL031 TI 增强型JFET低功率精密运放
$ b" G% ]" f6 VTL032 TI 双组增强型JFET输入,低功耗,高精度运放
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TL052 TI 双组增强型JFET输入,高精度运放: ? R6 ^5 i) U+ }0 i4 A2 e( F: m
TL054 TI 四组增强型JFET输入,高精度运放
! U* x: Y6 D) \8 VTL061 TI 低功耗JFET输入运放' A" j" q; e/ Y6 v) ]
TL061A ST 低功耗JFET单运放; ^: F- D/ G/ z; E: A
TL061B ST 低功耗JFET单运放 Q" x7 B- V: r8 b1 k! v
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TL064A/B ST 低功耗JFET四运放1 |/ f, i; D8 Q9 Z. J
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TL074A/B ST 低噪声JFET四运放7 w4 h) \' F W7 u4 ^% b \
TL081 TI JFET输入运放
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TLC073 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源双运放" ]% I6 J) n# `5 P7 S! ?
TLC074 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源四运放
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TLC082 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源双运放! e* p6 p8 e: z5 H9 D( D, m
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, X! }1 e$ d r6 J1 \TLC085 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源四运放
& ]* K- q% ~1 T" t1 uTLC1078 TI 双组微功率高精度低压运放
+ y8 z4 F" F8 eTLC1079 TI 四组微功率高精度低压运放
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) v/ e( t/ c5 V- D2 D+ oTLC2202 TI 双组,低噪声,高精度满量程运放
% \! \8 U$ Z2 t: _) WTLC2252 TI 双路,满电源幅度,微功耗运放% p/ E& l2 }0 P9 z+ g' ]
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# S7 q e2 w3 D8 ?; pTLC2264 TI 四路先进的CMOS,满电源幅度运放0 x* C/ d- J3 ?- Y
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0 F U0 a$ b! K7 _7 \0 CTLC25L2 TI 双组,微功率低压运放
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TLC25M4 TI 四组,低功率低压运放
& S9 ]' w/ P" O6 _0 c2 WTLC2652 TI 先进的LINCMOS精密斩波稳定运放
: i& P3 `! k3 rTLC2654 TI 先进的LINCMOS低噪声斩波稳定运放% q/ E' b( j, b1 j/ r8 |2 H
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' z. D- e/ P. h$ |; v" kTLC279 TI 双组精密单电源运放* k7 s- z6 w% f
TLC27L2 TI 双组,单电源微功率精密运放
: f+ n ]% e& C* {5 c( E, t) y4 HTLC27L4 TI 四组。单电源微功率精密运放- @ J( ?6 j( J9 N5 \
TLC27L7 TI 双组,单电源微功率精密运放
$ h# N$ M% _9 a5 b4 l1 BTLC27L9 TI 四组,单电源微功率精密运放
1 i3 e. x1 }0 u0 O% j; }TLC27M2 TI 双组,单电源低功率精密运放
% y6 C$ ]& E1 f) p# HTLC27M4 TI 四组,单电源低功率精密运放
* |6 N- b! G; b/ d6 UTLC27M7 TI 双组,单电源低功率精密运放
' L$ R+ X- i9 e5 CTLC27M9 TI 四组,单电源低功率精密运放( @( h+ y" w+ J* {4 }
TLC2801 TI 先进的LinCMOS低噪声精密运放
# F3 i3 u( {% r# n9 MTLC2810Z TI 双路低噪声,单电源运放1 M4 E' a" i. B% E1 X" O
TLC2872 TI 双组。低噪声,高温运放) U( G/ Q$ |8 M
TLC4501 TI 先进LINEPIC。自校准精密运放
) B& ]+ ^1 k# wTLC4502 TI 先进LINEPIC,双组自校准精密运放
4 }( E8 S+ u* i$ STLE2021 TI 单路,快速,精密型,低功耗,单电源运放
. E8 h* J7 X/ \8 dTLE2022 TI 双路精密型,低功耗,单电源运放8 ~* g2 b; I! x5 H
TLE2024 TI 四路精密型,低功耗,单电源运放! L* y7 |; ?1 h z* H1 i
TLE2027 TI 增强型低噪声快速精密运放
P. h) t1 C, ~$ ?/ V/ dTLE2037 TI 增强型低噪声快速精密去补偿运放6 X' J: Q, G$ a: e
TLE2061 TI JFET输入。高输出驱动,微功耗运放/ V# q4 _* \+ j4 R
TLE2062 TI 双路JFET输入,高输出驱动,微功耗运放 `8 C8 T/ C4 T: D3 S
TLE2064 TI JFET输入,高输出驱动。微功耗运放
" L, e" m' u% Y- J' f$ NTLE2071 TI 低噪声,快速。JFET输入运放9 j+ m3 P) f9 O' E9 ?( w
TLE2072 TI 双路低噪声。快速,JFET输入运放9 h T! T7 W( c# L$ W$ M' C
TLE2074 TI 四路低噪声。快速,JFET输入运放
& o) I" }" v" hTLE2081 TI 单路快速。JFET输入运放
: X3 J, D6 ~! l7 ^TLE2082 TI 双路快速,JFET输入运放# F1 N3 i' y5 g1 F- W
TLE2084 TI 四路快速,JFET输入运放
4 C5 O6 k- C2 M2 ?; n eTLE2141 TI 增强型低噪声快速精密运放
$ i, f6 O1 E d% T! STLE2142 TI 双路低噪声,快速,精密型,单电源运放; P- P6 ^: c2 T" z
TLE2144 TI 四路低噪声,快速,精密型,单电源运放) a6 T4 z2 C* \7 t+ H0 ^" \
TLE2161 TI JFET输入,高输出驱动,低功耗去补偿运放
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TLE2237 TI 双路低噪声,快速,精密型去补偿运放3 B% P6 L9 {: m
TLE2301 TI 三态输出,宽带功率输出运放
; P" B# O9 e J9 T3 C& z1 u) tTLS21H62-3PW TI 5V,2通道低噪读写前置运放
{& u. c9 B" F% t! |6 k! N& ~TLV2221 TI 单路满电源幅度,5脚封装,微功耗运放
! |* `4 |& \5 q" w( XTLV2231 TI 单路满电源幅度,微功耗运放
' A) C! g O* V: M3 ZTLV2252 TI 双路满电源幅度,低压微功耗运放
' v* Q, K( i7 }TLV2254 TI 四路满电源幅度。低压微功耗运放
! F# Y8 Q' O% e! J6 X# STLV2262 TI 双路满电源幅度,低电压,低功耗运放
6 W% Q3 a% d+ w+ jTLV2264 TI 四路满电源幅度,低电压。低功耗运放
3 U2 f' \5 r, G8 b5 x; m( S) P/ Y3 ^TLV2322 TI 双路低压微功耗运放, o. C+ o, V8 T/ b v2 i
TLV2324 TI 四路低压微功耗运放
: | } `" e2 u0 m; x9 tTLV2332 TI 双路低压低功耗运放
8 a" F% v) r9 x: uTLV2334 TI 四路低压低功耗运放: N% K2 [! | k; |
TLV2341 TI 电源电流可编程。低电压运放
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TLV2344 TI 四路LICMOS。低电压。快速运放
, k n* b6 c3 I6 e1 M1 `TLV2361 TI 单路高性能,可编程低电压运放
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- Y& V& j0 W6 _9 v& UTLV2422 TI 先进的LINCMOS满量程输出,微功耗双路运放
$ ]. H1 | N4 X, x/ c5 _3 a; ITLV2432 TI 双路宽输入电压。低功耗,中速,高输出驱动运放
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TLV2453 TI 满幅度输入/输出双运放
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TLV2461 TI 低功耗,满幅度输入/输出单运放
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TLV2474 TI 高输出驱动能力,满幅度输入/输出四运放
, e2 W, ^/ [$ d" ~7 s% n! A* |TLV2475 TI 高输出驱动能力,满幅度输入/输出四运放
1 V3 v# ]. u( C+ Q3 m7 GTLV2711 TI 先进的LINCMOS满量程输出,微功耗单路运放. w& J% ]5 f$ t6 ?! z0 m
TLV2721 TI 先进的LINCMOS满量程输出,极低功耗单路运放
; a( N+ U4 `/ J$ QTLV2731 TI 先进的LINCMOS满量程输出,低功耗单路运放
) ]: A T2 a0 `% }" |$ GTLV2770 TI 2.7V高转换速率,满幅度输出带关断单运放& t4 b$ p4 n, t! W8 x
TLV2771 TI 2.7V高转换速率,满幅度输出带关断单运放
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7 A# F9 F+ B5 e' p5 r: ?! rTLV2773 TI 2.7V高转换速率,满幅度输出带关断双运放$ n! r8 e" t+ \* X% c3 z
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TLV2775 TI 2.7V高转换速率,满幅度输出带关断四运放* Z3 J4 v/ ~9 A
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