pspice 中创建IGBT模型后，耐压不正确

lahhse · 发表于 2021-11-9 09:23

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我按照DATASHEET上的资料建了个Pspice模型，在整个模型建立中，有以下两个参数设置不正确：其中有一个Qgc参数不知道，就采用了系统中默认的。还有一个问题是设置下降时间Tf时，DATASHEET上的资料是55nS，但软件必须设置为200nS，否则提取参数会不成功。当我成功提取参数后发现，该模型的耐压值不正确，我本来设计的是1200V，150A的管子，漏电流才几百微安，但我仿真该模型的静态参数发现，耐压值才800V，1200V时，漏电流为几百兆安，我找不出问题出现在哪里？请问是与Qgc及Tf的设置有关吗？

cyberbot8 · 发表于 2021-11-9 10:31

Pspice里面的原器件模型其实并不准确，缺少很多参数

Blah · 发表于 2021-11-9 10:41

看一下别人怎么说的

芦根苏木 · 发表于 2021-11-9 10:49

同问，求结果

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