TI参考设计中，电源部分的防反保护原理是什么?

muzitongxue · 发表于 2021-11-4 11:27

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TI的原理图中，电源部分的防反保护原理是什么?

guanshen · 发表于 2021-11-4 13:51

VCP是芯片产生的，且比VM高5V，这个是关键点

RNGxiaohu · 发表于 2021-11-4 13:22

首先，正向的时候，刚开始VBAT通过Q的寄生二极管供电，芯片起来后，VCP比VM高约5V，所以Q2正导通工作；
反过来，PGND是电源，Q2二极管反向导通不了，Q1导通，Q2栅极被拉低，所以Q2不导通，所以没有通路

xiananUZI · 发表于 2021-11-4 13:51

加个二极管也行，只不过损耗大

布衣 · 发表于 2021-11-5 09:53

二楼正解，学习了

永恒灿烂 · 发表于 2021-11-11 16:04

guanshen 发表于 2021-11-04 13:51:11
* D; o- `6 G8 I: wVCP是芯片产生的，且比VM高5V，这个是关键点

怎么知道vcp比vm高的？

155351394 · 发表于 2021-11-11 19:23

:hug::hug:学习学习

s471513142 · 发表于 2021-11-12 17:26

Q1管子感觉没毛用啊

21CASXY · 发表于 2021-11-19 09:40

学习

oneme1world · 发表于 2021-11-20 14:14

没看懂????

wzlu · 发表于 2021-11-29 10:25

wzlu · 发表于 2021-11-29 10:30

没有星星的夜空 · 发表于 2021-11-29 11:56

RNGxiaohu 发表于 2021-11-4 13:223 s3 d( O& n4 O3 \
首先，正向的时候，刚开始VBAT通过Q的寄生二极管供电，芯片起来后，VCP比VM高约5V，所以Q2正导通工作；
2 R+ l3 B: Y+ c9 s8 I, o反 ...

你好我想问一下Q1是怎么导通的？

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