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[仿真讨论] 电源上磁珠到去耦电容到SINK IC

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1#
发表于 2021-11-3 16:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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一直有个疑惑,磁珠是过滤杂波用的,为了EMI传导性能要求用途,可是磁珠后面的去耦电容一般只COVER了10MHZ  20MHZ左右的电流低阻抗通路,低频部分电流需要VRM供应,可是低频电流被磁珠隔离了呀,虽然磁珠低频阻抗不大,但是也不小,那么这个PDN需求矛盾了,PDN要求低阻抗,可是仿真发现磁珠总是在100KHZ左右搞出一个高阻抗,请问这个要怎么理解。' v, J7 [' s$ l8 j

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2#
 楼主| 发表于 2021-11-3 16:25 | 只看该作者
是否需要加本地47UF级别的大电容?100uf?
  • TA的每日心情
    开心
    2021-11-9 15:20
  • 签到天数: 12 天

    [LV.3]偶尔看看II

    4#
    发表于 2021-11-9 15:44 | 只看该作者
    通常磁珠频率工作在十几兆~数百兆范围,通过热消耗的方式,吸收高频电流,对低频呈现较低阻抗;PDN要求低阻抗,是指电源层对GND层呈现低阻抗
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