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使用三极管设计电路需要注意的问题

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发表于 2021-10-14 13:26 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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按照现代的制造工艺来说,根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,由此就构成了一个晶体管
7 ]2 U6 e8 f( b  s) T. s- y
$ x" K7 W! e* \5 D
  [, N9 x7 _& v- A- i# f# r5 G* E( t% L; N  A
晶体管最大的优点就是能够放大信号,它是放大电路的核心元件,能够控制能量的转换,将输入的任何微小变化量不失真地进行放大输出。
- j( ]" J2 @9 b3 }. v2 \, ?7 S2 i) ?) u- c1 A! w
以下是我们在电路设计中使用三极管时需要注意的几个问题,还是老样子——“看图说话”:
' q: G, M& Z" c1 j5 N8 w: l
2 d  E2 W' g4 f4 d# R; A. i8 U(1)需注意旁路电容对电压增益的影响:. j, ^, G1 C2 g/ v% s: Z. `3 L

; U' L0 ?+ i1 u$ x) _; }1 g; l7 J+ {& _; G( d& a/ c( u
9 F$ ]# R3 n2 Z6 j. |8 _; Q0 z
3 O& L* F) h4 I) [( k
这个电路在国内各种模拟电路教材书上是司空见惯的了,也算比较经典的了。由于这个旁路电容的存在,在不同频率环境中会有不同的情况发生:/ P7 ^" d5 g: W* W+ C* ^

% P# I+ a& a; g. Qa、当输入信号频率足够高时,XC将接近于零,即射极对地短路,此时共射的电压增益为:        
7 f0 j0 p6 y0 [' A8 C, t: D
3 c0 l% L1 h3 F. S$ @+ Y
! F; p, f1 x! M' k1 H; G5 f% p2 q+ e' F

: ?' G+ q1 i+ Z' Y" F6 a' {% nb、当输入信号频率比较低时,XC将远大于零,即相当于开路,此时共射的电压增益为:        $ i% q" L4 n! S# L
7 k& L& Z3 Y$ X" A, L  h

( M! w( {/ Z: H2 }/ ?1 j/ X4 C: n$ l. Y
& \; Z4 e" i) C9 M* ~7 A$ i) z2 B6 O
由此可以看出,在使用三极管设计电路时需要掂量旁路电容对电压增益带来的影响。) k9 I# J; ~. J# R

9 u4 |/ l3 `* B1 B! V4 Q" @(2)需注意三极管内部的结电容的影响:
/ C7 y8 ^4 d9 G/ t. W, l% D$ \6 q9 w- V; b
由于半导体制造工艺的原因,三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在,当输入信号频率达到一定程度时,它们会使得三极管的放大作用“大打折扣”,更糟糕的是,它还会因此引起额外的相位差。
- S. F! e* @6 h4 Z# }
# [2 `. Z1 ]' l+ r2 U2 I; @% d3 |  ra、' G8 y2 p) O9 P5 h+ ?9 V

3 C4 h# v+ B0 t
8 j# i+ U6 A$ c5 Y; N3 [$ R5 q
- \! f1 Y3 ]5 {9 J7 M- ~/ _
( j' M: K5 y& f, [+ f3 v由于Cbe的存在,输入信号源的内阻RS和XCbe形成了一个鲜为人知的分压器,也可以看成是一个LPF,当输入信号的频率过高时,三极管基极的电位就会有所下降,此时电压增益就随之减小。
0 f( \9 P& T2 e
4 p) V+ W' B2 e' L- Ib、; [. |. x) Y$ M
2 S$ O$ m5 g- H# Q' y: w# e: J* W9 r
; j& H4 F/ i; z" Y7 l
5 O2 H# r- J4 U. @8 Z. d0 a

' A0 b4 o6 `2 r6 m, @$ f由于Cbc的存在,当输入信号的频率过高时,Vout的一部分会经过Cbc反馈到基极,又因为此反馈信号和输入信号有180°的相位差,所以,这样也会降低基极的电位,电压增益也由此下降。0 p/ w. K7 p+ Z+ H& e

+ X$ o- S6 m& k6 T8 F6 K% x4 B/ s1 t(3)需明确把握三极管的截止频率:
8 m, }) q1 V9 E- ^) i
7 ]& F7 ]' `; Y8 d9 i8 C
' L* X! p5 O- x; n' W7 U  M( a/ f/ }% v$ c1 x2 Q3 p/ n
5 O8 ], T& \2 E& v! C
这个电路图是一个等效过后的图,其中CL是集电极到发射极、集电极到基极之间的结电容以及负载电容的等效电容。当输入信号的频率达到
: u. j# T3 }& r% D8 P, c/ T( F: b" g% u$ P8 U' B

% j  F/ B9 U7 ?
" u' \$ Q& l6 F5 c
+ ~0 Z7 E. h7 L. x8 W1 l时,三极管的增益开始迅速下降。为了很好地解决这个问题,就得花心思把CL尽量减小,由此,fH就可以更高一些。首先我们可以在设计电路时特意选择那种极间电容值较小的三极管,也就是通常所说的RF晶体管;我们也可以减小RL的取值,但是这样的话得付出代价:电压增益将下降。% X$ S0 [7 T: }! |. z2 M: U
& x3 s3 |/ a3 ^$ O3 ~" S
(4)三极管作为开关时需注意它的可靠性:6 X$ s; |1 o" ~1 G

/ F7 {  ?  i! J/ [" Y如同二极管那样,三极管的发射结也会有0.7V左右的开启电压,在三极管用作开关时,输入信号可能在低电平时(0.7V<Vin<2.4V)也会导致三极管导通,使得三极管的集电极输出为低电平,这样的情况在电路设计中是应该秒杀的。下图是解决这个问题的一个办法:
& K. p2 V/ f& @3 R& q4 g; ?
; g* E7 H: @& P. D+ H- q6 P" D* Y: D. d& t& X

4 D) }9 D" P* u. G) {( L$ y, Z4 {: H( \7 }/ L$ z
在这里,由于在基极人为接入了一个负电源VEE,这样即使输入信号的低电平稍稍大于零,也能够使得三极管的基极为负电位,从而使得三极管可靠地截止,集电极就将输出为我们所希望的高电平。
) g5 C% i3 m  A3 K# M
0 m# S2 f4 d) T& g9 O3 ^( ]; k  p$ r(5)需要接受一个事实:三极管的开关速度一般不尽人意。
! v& E+ @: W2 S, c1 B9 X7 o& p! Y9 C: p
由前所述得知,器件内部结电容的存在极大地限制了三极管的开关速度,但是我们还是可以想出一些办法有效地改善一下它的不足的,下图就提供了一个切实可行的方法:
" x0 m( I5 O) W8 v  E7 r/ k5 s  O+ k- z/ a3 h; k

, i, R2 @1 n3 c. G& s+ ~
) R/ r6 @8 X" ~, T5 c
1 _5 I4 l8 p+ v+ [" V- E从图中可以看出,当输入信号的上升时间很小(信号频率很高)时,即dV/dt很大,则ZC很小,结果Ib非常大,以致三极管可以迅速地饱和或者截止,这自然也就提高了三极管的开关速度。6 F# g) U8 [" G8 E

7 Y9 s! P: f% w6 r(6)应该明白射极跟随器的原理:
+ X9 v3 v( O6 T3 \0 G* A. ^
# `( \+ |2 l" R) ?: \/ g2 d$ D5 S% w

/ H  c$ c! K8 w+ Q- U7 ~( c& O5 X/ S- W  ?# h
射极跟随器的一个最大好处就是它的输入阻抗很高,因而带负载能力也就加强了。但是在运用过程中还是得明白它的原理才行,否则可能会造成意外的“问题源”。下面介绍一下它的原理,对于这个电路而言,有如下方程式:
1 [& W( t6 d4 i: b3 f3 A
& h6 a# C7 H: Y: _* H  u& k* s7 E+ O) A0 q. a- N

8 }4 W2 G8 Y" x5 z: B: N1 P8 l5 K' d/ J8 J1 w
由此可以看出,连接在发射极的负载阻抗在基极看起来就像一个非常大的阻抗值,负载也就容易被信号源所驱动了。
$ y; m! j' J7 S7 o! c3 @; F& u+ V# z1 K* u6 u* A3 u
这篇博文中主要是以共射电路为例来说明问题,以上所说的几个问题只能当是“管中窥豹”了,因为三极管的使用注意事项实在太多,并非一篇博文能够涵盖得了的, 况且要好好把握三极管这个器件也并非易事,但是如果我们在实践中有意识地不断去体会、不断去总结的话,三极管也将会为我们所熟用的。

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发表于 2021-10-14 13:48 | 只看该作者
晶体管最大的优点就是能够放大信号,它是放大电路的核心元件,能够控制能量的转换

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发表于 2021-10-14 13:49 | 只看该作者
在三极管用作开关时,输入信号可能在低电平时也会导致三极管导通,使得三极管的集电极输出为低电平,不利于电路设计
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