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FP35R12W2T4问题咨询

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月色
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-4 15:05

    • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到
    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2021-10-8 17:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    IGBT型号：FP35R12W2T4  Ic=15A左右，Tvj=25到125度。
    $ r* J' @1 j/ t' p9 e' o: L咨询下Vgeth和Tvj的对应曲线关系。
    - G4 [  j- r( [8 M6 b
    ) z9 R6 }% M2 C! }" U3 y0 W, O2 h目前有一款产品，因为米勒效应，在下桥开通时，上桥Vge能达到6V左右。模块在Tvj≦115度时无问题，当Tvj＞115度，模块会炸机。
    9 {( w" x, ?  ?" u6 Y& c0 U3 i波形和原理图见附件，麻烦看下有什么地方需要调整的，谢谢！; |, v" L, Y5 x; @0 C& y  Q  X

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    2-VL 3-VH

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    startostar
  • TA的每日心情
    开心
    2021-2-25 15:13

    • 签到天数: 22 天

    [LV.4]偶尔看看III
    2#
    发表于 2021-10-9 09:42 | 只看该作者
    死区时间控制好，IGBT过热过流等保护必须有效

    点评

    月色
    死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。  详情 回复 发表于 2021-10-9 13:30

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    月色
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-4 15:05

    • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到
    3#
     楼主| 发表于 2021-10-9 13:30 | 只看该作者
    startostar 发表于 2021-10-9 09:426 {3 m) R9 s7 P2 X$ R
    死区时间控制好，IGBT过热过流等保护必须有效

    * f/ v1 y# V" ?死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。
    0 N2 D4 s5 Z& G/ F3 k% e2 O

    点评

    startostar
    设计没问题的话，要考虑IGBT使用功率，可以使用同封装大功率模块+加大散热，去尝试定位问题  详情 回复 发表于 2021-10-9 14:20

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    startostar
  • TA的每日心情
    开心
    2021-2-25 15:13

    • 签到天数: 22 天

    [LV.4]偶尔看看III
    4#
    发表于 2021-10-9 14:20 | 只看该作者
    月色 发表于 2021-10-9 13:30$ _- r+ h+ b6 p3 [  m* N' Z6 Y
    死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。

    2 G  z) H1 n' n* f6 n) Q- h8 ^设计没问题的话，要考虑IGBT使用功率，可以使用同封装大功率模块+加大散热，去尝试定位问题
    : n7 A) b, q5 E, [* n

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