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NMOS+PMOS控制电池电压输出

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发表于 2021-9-24 18:45 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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NMOS+PMOS控制电池电压输出
, b4 q: s$ l1 x1 O& N6 N& Y8 Y' w' @; l
. I6 P. B" x8 S9 R! S2 i( E
1.在mcu_CTL给高电平的时候,Q5、Q1导通,BAT_OUT输出电池电压3.7V,这个没问题4 s7 E! I# C) G% Y, j

: k  j) ~+ V9 B+ l3 c: Z7 g

# N4 m+ c' X) y9 \2.在MCU_CTL给低电平的时候,Q5、Q1截止了,为什么BAT_OUT输出还是有0.2V左右,是什么原因?如何改善这个bug5 E' O6 v0 K# P3 r

7 D7 ~0 e" H, T- U: X5 Y" L8 C. _
  I  Z$ @$ y7 S0 L/ f
3.按照PMOS体二极管的内部结构,由D→S,所以S接的是BAT,这个接法是正确的$ b8 L5 K4 g: y' I

9 i7 `9 }4 Z5 N. |" u. i  a9 k

NMOS+PMOS.png (15.56 KB, 下载次数: 0)

NMOS+PMOS.png

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发表于 2021-9-27 10:36 | 只看该作者
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    2022-4-18 15:50
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    这样试试看
    5 C. S9 m& M; k; u- N7 P  D& C3 r2 L& p7 B9 F

    4 P5 P) V2 ^: B) o

    微信图片_20210925161940.png (72.97 KB, 下载次数: 1)

    微信图片_20210925161940.png
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    发表于 2021-9-24 19:20 | 只看该作者
    R5用47K  在Q5的G极对地加一个20K电阻

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    5#
     楼主| 发表于 2021-9-26 18:12 | 只看该作者
    yjwfgihc 发表于 2021-9-24 19:20  k: r9 Y" ?( D/ ~' y2 Z0 n2 l
    R5用47K  在Q5的G极对地加一个20K电阻
    & P- U/ Q; ?& k- m. D* W
    为什么?说下原理& s. w7 I3 C) v! }! I2 f

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    6#
     楼主| 发表于 2021-9-26 18:13 | 只看该作者
    xan10101009 发表于 2021-9-25 16:44
    . ^1 r  f- E  t  Z这样试试看
    + s- J. k" M2 ?: u9 d' \
    你这样改的原理是?而且改小了电阻,耗电更严重, l: ^& [+ E7 E# @

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    7#
     楼主| 发表于 2021-9-26 19:13 | 只看该作者
    D和S之间漏电很小的MOS  大家有没有推荐

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    8#
    发表于 2021-9-26 22:22 | 只看该作者
    输出端加个电阻用来释放电荷就可以了

    “来自电巢APP”

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    10#
    发表于 2021-9-27 19:44 | 只看该作者
    gang_0187 发表于 2021-09-27 10:36:19+ O3 o5 p! Z) \$ a0 Z) D9 F
    PMOS会有一个小的漏电流到BATOUT,在BATOUT加一个电阻对地,电压就应该没有了。或者改用NMOS控制负极

    6 [. X7 J( _2 i
    1 X' T0 _4 y9 p- q" `2 _这个有可能是输出端的残留电荷导致的吧# N* T& i" ]" i2 w5 Q* D* z2 \! T1 `

    “来自电巢APP”

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    11#
     楼主| 发表于 2021-9-28 09:56 | 只看该作者
    HLiNaK001 发表于 2021-9-26 22:22; T+ V) ~3 T' q* N0 B: e/ L4 t; X
    输出端加个电阻用来释放电荷就可以了

    5 ?) T1 S  h* `# U6 f' f这样还是有消耗啊  目的是完全关断  低功耗

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    12#
    发表于 2021-10-19 19:25 | 只看该作者
    这个可能是Q1的体二极管漏电流导致的,可以看看手册。解决办法可以尝试在BAT_OUT端,对GND加一个1-10K的电阻,降低漏电流的影响。

    “来自电巢APP”

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    13#
    发表于 2021-10-19 20:45 | 只看该作者
    BAT_OUT 对地加个1K电阻,回来报告电压有变化没。
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