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200V MOS管,这种功率MOSFET是飞虹电子优质产品中的一个常见产品。这款FHP640场效应管具有低电荷、低反向传输电容、开关速度快的特点。- r; g$ [3 t/ {8 _, J4 b# E
7 t) X0 B# q& g0 s) [在实际应用中是比较多用于:DC-AC电源转换器,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动的场景电路中。
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) } ^9 L9 \' @* U q' x& w这一款200V 的飞虹电子FHP640 MOS管为什么值得电子工程师来使用呢?2 u( W2 i# v/ E4 c5 I
$ x0 I# o1 |: r4 y u* I三个原因回答您的疑问:$ o3 e# S( U. `( {8 o1 ^1 q& u9 z
1、飞虹电子专注MOS管制造19年,是国内优质的MOS管制造厂商
8 w4 J5 z0 d' S; ]: X7 r/ w2、拥有自身的核心专利技术,是国产化替代使用的好产品
4 x1 h% F; O3 m6 i& [3、在互联网各大平台均有对应推荐使用的文章: w/ t0 y0 G d3 x
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* K5 z4 s) T( s5 l【200V MOS管 FHP640场效应管参数:极限值 (TC=25℃)】/ l$ [3 t$ r) ?
漏-源电压:200V
& x0 L7 v, c8 P( Z. R4 D: P漏极直流电流:18A
( o+ v9 w2 i7 e7 Z漏极直流电流@TC=100℃:11.4A0 D! J# r4 n1 g/ B8 V- ]. b/ v: n
最大脉冲漏极电流:72A
( V# |! U+ n/ i- d1 y- Q栅-源电压:±30V
' O0 ]8 ]4 a" Q# ~/ w5 @耗散功率:139W5 ?8 k3 o7 o1 i( S# |
超过25℃时的降额因子:1.11W/℃8 O! ]- }% E; v+ q2 R
结温和存储温度:150,-55~150 ℃4 p$ j c% P1 _7 S8 z
最高焊接温度:300℃
$ u7 s& n8 A2 |单脉冲雪崩击穿能量:250mJ
% N+ a# }2 N/ \* o6 x4 @, B* P/ m" n重复脉冲雪崩击穿能量:13.9 mJ" ~8 \5 I1 B) T: W: m. A" c
雪崩电流: 18 A
- s- L; V* ^4 ^5 ~9 S二极管反向恢复峰值dv/dt:5.5 V/ns+ J" ?% h! E4 Z: M$ N& b1 |
9 W8 \2 @) F8 L2 Z' i/ A该200V MOS管使用的封装形式是TO-220,目前在使用上面可替代IR场效应管品牌型号:IRF640。& Q o% H! v8 W9 @
5 @( u# {% t2 T( C( L+ Q5 O" R! m# b+ |" i M4 ~
200V 18A的MOS管替换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域:如汽车电子、电瓶车、智能音响、家用电器、LED照明、充电器、电脑电源等行业,为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们,免费试样热线:400-831-6077。
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