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200V MOS管,这种功率MOSFET是飞虹电子优质产品中的一个常见产品。这款FHP640场效应管具有低电荷、低反向传输电容、开关速度快的特点。# [9 \) V- B/ F) m; N
0 ^( F0 N9 y7 g( A7 Q. W在实际应用中是比较多用于:DC-AC电源转换器,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动的场景电路中。
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; I! k- L1 W0 `1 x$ U这一款200V 的飞虹电子FHP640 MOS管为什么值得电子工程师来使用呢?
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6 p9 O8 g+ ?6 C: P9 H! c三个原因回答您的疑问:/ b; H! E4 P+ \) \; ^5 Q: x
1、飞虹电子专注MOS管制造19年,是国内优质的MOS管制造厂商. \: U* D( a6 H+ r* c( g
2、拥有自身的核心专利技术,是国产化替代使用的好产品$ D6 ^8 C5 r% w7 J$ e
3、在互联网各大平台均有对应推荐使用的文章# ~0 X/ p1 @& x6 d9 E8 H8 z
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【200V MOS管 FHP640场效应管参数:极限值 (TC=25℃)】7 q6 Z0 ~% @) m8 W1 {9 c4 U
漏-源电压:200V
! O. A6 U& |! O$ W% c' k* d5 a漏极直流电流:18A
, H9 n( a5 f0 x$ [. i% y, W2 c漏极直流电流@TC=100℃:11.4A
* m% ]& J2 H: f$ R最大脉冲漏极电流:72A# J! f7 l, {5 ]% w9 p
栅-源电压:±30V8 E! G; U8 p/ v+ m& o- \
耗散功率:139W. n& b4 B" v' r& b# i
超过25℃时的降额因子:1.11W/℃& a1 u% e. K" I2 k$ V
结温和存储温度:150,-55~150 ℃
, e" k: z2 S- q最高焊接温度:300℃) M/ g' c2 s7 P$ u
单脉冲雪崩击穿能量:250mJ: S+ ? I2 O7 a; M, V t& d
重复脉冲雪崩击穿能量:13.9 mJ
2 Y( z9 w9 q( A) i& j& u' H雪崩电流: 18 A
% w1 u5 }. u+ y4 {6 V9 K( h% e二极管反向恢复峰值dv/dt:5.5 V/ns! K, E. q+ ?! N
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该200V MOS管使用的封装形式是TO-220,目前在使用上面可替代IR场效应管品牌型号:IRF640。9 w- ]0 c: X4 ]* W# R. g# B
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" t5 W) v" m2 D! |200V 18A的MOS管替换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域:如汽车电子、电瓶车、智能音响、家用电器、LED照明、充电器、电脑电源等行业,为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们,免费试样热线:400-831-6077。! m; P& ?& L0 J. g+ ^
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