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200V MOS管，这种功率MOSFET是飞虹电子优质产品中的一个常见产品。这款FHP640场效应管具有低电荷、低反向传输电容、开关速度快的特点。
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) o! v4 N z6 W$ \6 n在实际应用中是比较多用于：DC-AC电源转换器，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动的场景电路中。
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这一款200V 的飞虹电子FHP640 MOS管为什么值得电子工程师来使用呢？' e2 d+ ^7 T# f# n9 U: `+ |
; |1 ?- H7 ?* b三个原因回答您的疑问：
; q" ~" u v! o9 p1、飞虹电子专注MOS管制造19年，是国内优质的MOS管制造厂商# l7 \- n( S9 B$ y7 F/ x, L
2、拥有自身的核心专利技术，是国产化替代使用的好产品( Y$ v, v; ?. U, a; d% J& H; m0 d
3、在互联网各大平台均有对应推荐使用的文章
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【200V MOS管 FHP640场效应管参数：极限值 (TC=25℃)】, h7 V- t$ h& g
漏-源电压：200V9 B# {5 x$ n( T. n* o* r' {; Q: t
漏极直流电流：18A1 r) t3 f: y+ _; {7 W3 Y) R
漏极直流电流＠TC=100℃：11.4A
+ r5 e; M4 K/ |5 D9 B6 P1 K最大脉冲漏极电流：72A7 Q! t, ^ N" u `2 r' A7 ]
栅-源电压：±30V
! W* s- d% \; b! A3 Z7 y0 j2 x( C耗散功率：139W1 m: P3 S8 ^8 ~5 i
超过25℃时的降额因子：1.11W/℃
6 M2 c( D3 ^# d s8 n/ d结温和存储温度：150，-55~150 ℃
2 I7 {0 u$ r7 ^) r最高焊接温度：300℃' p3 r9 g d8 n' j: L% Q% T
单脉冲雪崩击穿能量：250mJ
, R# ?6 S7 O* [9 X4 b重复脉冲雪崩击穿能量：13.9 mJ$ t* ^- I0 l s/ R+ Z5 K7 s
雪崩电流： 18 A
1 e& [9 G; A+ N8 |二极管反向恢复峰值dv/dt：5.5 V/ns1 l2 \" P, J# a2 X) A
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该200V MOS管使用的封装形式是TO-220，目前在使用上面可替代IR场效应管品牌型号：IRF640。4 n1 L* S* b8 x. Y
7 i' g: t' d# E5 m3 z( q# [
1 c, ?/ O' H7 k: i( u# o2 d3 ?
200V 18A的MOS管替换使用，选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域：如汽车电子、电瓶车、智能音响、家用电器、LED照明、充电器、电脑电源等行业，为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。% l- r9 b; g; G5 x4 g7 e
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发表于 2021-9-17 15:01
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