电源芯片DC/DC和LDO该如何选择？

guanshen

这个取决于你的应用场合。比如用在升压场合，当然只能用DC/DC，因为LDO是压降型，不能升压。另外看下各自的主要特点：
DC/DC:效率高，噪声大；
8 \9 T5 A5 F6 W' s9 q+ tLDO:噪声低，静态电流小；
, z/ O& V& }0 o* t/ l所以如果是用在压降比较大的情况下，选择DC/DC，因为其效率高，而LDO会因为压降大而自身损耗很大部分效率；
如果压降比较小，选择LDO，因为其噪声低，电源干净，而且外围电路简单，成本低。
3 e. Q7 L: _; i# MLDO是low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了LDO类的电源转换芯片。

+ R! `3 f1 F3 W) L. @% O! CLDO线性降压芯片：原理相当于一个电阻分压来实现降压，能量损耗大，降下的电压转化成了热量，降压的压差和负载电流越大，芯片发热越明显。这类芯片的封装比较大，便于散热。
7 C4 @/ U2 A, a, V0 fLDO线性降压芯片如：2596，L78系列等。
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DC/DC降压芯片：在降压过程中能量损耗比较小，芯片发热不明显。芯片封装比较小，能实现PWM数字控制。
DC/DC降压芯片如：TPS5430/31，TPS75003，MAX1599/61,TPS61040/41
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  }. k! c: H" W! I7 c关于LDO电源

5 w6 W$ U- a- J9 ?4 g以前经常看见，说什么芯片是LDO的，以为是某一公司的名号。现在才知道，LDO是low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了LDO类的电源转换芯片。生产LDO芯片的公司很多，常见的有ALPHA, Linear(LT), Micrel, National semiconductor,TI等。
什么是 LDO（低压降）稳压器?
LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的
2 z* d' V: V& {" w+ Q" m/ l# WLDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。
更新的发展使用 CMOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 CMOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。
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LDO VS DCDC
$ j8 V0 F5 s9 H  r1 fDCDC的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换），只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器，
% G* E6 W6 j8 W包括LDO。但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫DCDC。
" u- o$ R) t' k- Q' i     LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降（LDO）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，
这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压
4 x  G( J, A( S& G6 J器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA，电压降只有100mV。LDO线性稳
压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线
6 p) a7 h4 O* N性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消
耗的电流；另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力
2 x; B7 z) d. w& Q+ F, [9 E% }2 R， 输入和输出之间的电压降不可以太低；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻
& ^# x3 L, v2 _/ I/ h/ }的乘积。由於MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。
, I7 q- g* g4 M& {" u/ {     如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率。所以，在把锂离子电
& F4 @# M! C" V- }池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用
2 ^1 I1 A! A4 N% Q  `/ {，LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较低。
     如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的DCDC了，应为从上面的原理可以知道，
LDO的输入电流基本上是等于输出电流的，如果压降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。
DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大
6 ^4 {2 |5 }4 U" c7 U" j  L2 e0 h电流、静态电流小。随著集成度的提高，许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容
器。但是，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。
     近几年来，随著半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的
( u0 a9 j) O! S6 d成本不断降低，体积越来越小。由於出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要
4 h* I" v* n& x( r# q/ ~) u: x外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次，对于
中小功率的应用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1MHz，还能够降低成本、
- P8 ^: X8 s2 s2 F可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能，如软启动、限流、PFM或者
PWM方式选择等。
; P# S, i3 K0 L& u% _     总的来说，升压是一定要选DCDC的，降压，是选择DCDC还是LDO，要在成本，效率，噪声和性能上
比较。
LDO体积小，干扰较小，当输入与输出电压差较大的化，转换效率低。
: Y8 d& |, u% `3 @/ {: QDC-DC好处就是转换效率高，可以大电流，但输出干扰较大，体积也相对较大。
. ~6 Y; B9 |6 x: tLDO一般是指线性的稳压器--Low Drop Out, 而DC/DC则是线性式和开关式稳压器的总称.
2 |, e6 W7 F' f3 i% \如果你的输出电流不是很大(如3A以内), 而且输入输出压差也不大(如3.3V转2.5V等)就可以使用LDO的稳压器(优点是输出电压的ripple很小). 否则最好用开关式的稳压器, 如果是升压, 也只能用开关式稳压器(如果ripple控制不好,容易影响系统工作).
, {  I9 t' @( F1 pLDO的选择
当所设计的电路对分路电源有以下要求：
. m- i4 H8 U5 u# N+ Y! q2 a7 `. d4 p1． 高的噪音和纹波抑制；
2． 占用PCB板面积小，如手机等手持电子产品；
3． 电路电源不允许使用电感器，如手机；
- h( r0 U2 D2 M) A' c! O4． 电源需要具有瞬时校准和输出状态自检功能；
5． 要求稳压器低压降，自身功耗低；
6． 要求线路成本低和方案简单；
, K% Y! I% o/ P& O' _& o+ m" [此时，选用LDO是最恰当的选择，同时满足产品设计的各种要求

kiygb

LDO线性降压芯片的原理是相当于一个电阻分压来实现降压

jspij1

如果压降比较小，选择LDO，因为其噪声低，电源干净，而且外围电路简单，成本低。

hunterccc

DC/DC降压芯片在降压过程中能量损耗比较小，芯片发热不明显