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本帖最后由 Heaven_1 于 2021-8-30 14:02 编辑
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% ?. Z" A+ J W: [6 }# @4 x我们都知道H桥功率驱动电路是可用于步进电机、直流电机及交流电机等的驱动。就是通过PWM信号控制MOS管的开与关;改变PWM的占空比,进而改变流过电机的有效电流,从而控制电机的转速。因此驱动电路在选择能够替换FQPF4N65C型号MOS管产品应用时,应该考虑综合场效应管参数。
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, Z+ d: `8 y# l' _5 [) Q. m4 t: z在国产化的发展进程中,我们更推荐使用优质的飞虹国产型号:FHP4N65型号参数来替代FQPF4N65C型号。
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不得不说,一款优质的MOS管是可以在整体设计中给予电子工程师最大限度的支持,通过合理的转换效率提升驱动电路电机的效率。而飞虹的这一款FHP4N65型号场效应管就能完美的匹配这一款FQPF4N65C场效应管参数的型号。
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9 |7 l& U# l5 P飞虹这款FHP4N65为N沟道增强型高压功率MOS场效应管,广泛应用于高压H桥PMW马达驱动、35W AC-DC开关电源、DC-DC电源转换器;在使用方面是匹配型号FQPF4N65C的国外场效应管。* K0 N" B# j, j$ H& v6 e$ `! k' R& O
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它具有650V、4A ,RDS(on) = 2.8Ω(max) @vgs = 10 V 低电荷、低反向传输电容开关速度快的特点。
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FHP4N65的主要封装形式是TO-220F,脚位排列位GDS。这款产品参数:Vgs(±V):30;VTH(V):3-5;ID(A):4A;BVdss(V):650V。3 f" b* v4 K F' ?) ^! L
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