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功率MOS管4N65替代FQPF4N65C型号参数使用于驱动电路

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发表于 2021-8-28 12:13 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2021-8-30 14:02 编辑
% u3 \' R0 m% N7 Q4 F4 y5 w* x. \9 v/ ^% l+ z; e$ N9 v5 @. w5 x1 v
我们都知道H桥功率驱动电路是可用于步进电机、直流电机及交流电机等的驱动。就是通过PWM信号控制MOS管的开与关;改变PWM的占空比,进而改变流过电机的有效电流,从而控制电机的转速。因此驱动电路在选择能够替换FQPF4N65C型号MOS管产品应用时,应该考虑综合场效应管参数。
" u+ i4 X2 b" \) X, s6 _7 ~
' e5 c6 Z6 m4 M' [6 V9 L, F. k! {在国产化的发展进程中,我们更推荐使用优质的飞虹国产型号:FHP4N65型号参数来替代FQPF4N65C型号。- d$ Q  C. D$ F' H% }( R' {2 q
, K% W# J2 [; e5 ]! A2 n) j: F

& ~" P: k9 L: e  b# D1 g8 \3 H( R不得不说,一款优质的MOS管是可以在整体设计中给予电子工程师最大限度的支持,通过合理的转换效率提升驱动电路电机的效率。而飞虹的这一款FHP4N65型号场效应管就能完美的匹配这一款FQPF4N65C场效应管参数的型号。0 e8 V. q) }% D1 b9 P

7 s" b1 e8 _% `) {. a# g5 O

: \! ?9 E6 [' n飞虹这款FHP4N65为N沟道增强型高压功率MOS场效应管,广泛应用于高压H桥PMW马达驱动、35W AC-DC开关电源、DC-DC电源转换器;在使用方面是匹配型号FQPF4N65C的国外场效应管。3 d6 g# o( }- D" C6 {

* }% k* g* b% ]  z+ L+ N2 f' c4 H它具有650V、4A ,RDS(on) = 2.8Ω(max) @vgs = 10 V 低电荷、低反向传输电容开关速度快的特点。/ I4 X0 j4 B1 [' `2 s2 B/ f# t
0 D! ]4 s) _( N" A; |
FHP4N65的主要封装形式是TO-220F,脚位排列位GDS。这款产品参数:Vgs(±V):30;VTH(V):3-5;ID(A):4A;BVdss(V):650V。6 t2 C$ ^  b% D$ j) m8 v/ h
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" e9 b+ B; o8 F- M
; O. R- `4 {; l: S5 }$ w

, H1 y8 ^' f2 w% k+ _6 u: i

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2#
发表于 2021-8-30 14:03 | 只看该作者
漏电流可以到4A,这个参数厉害了2 q. m  N) E; H# A* p5 ]

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3#
发表于 2021-9-6 11:12 | 只看该作者
强烈支持,谢谢楼主分享
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