L6385D013TR/ACPM-7081-TR1 原装现货

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+ n7 ]# o# J* l) w; x$ Q' w3 }1 e
9 v" d3 k# }( b7 T6 e0 ZL6385D013TR：
% \) N$ Z5 V) G- w' E! J/ }特征：
高达 600 V 的高压轨
% [0 X* q  S1 s8 R5 O9 }' q# }0 CdV/dt 抗扰度 +- 50 V/nsec 全温-性能范围
驱动电流能力：400 mA 源，650 mA SINK
6 N# T" }7 O3 U开关时间 50/30 ns 上升/下降带 1nF 负载
CMOS/TTL施密特 扳机输入有滞后和下拉
% `. M/ y4 T" V2 c1 A# D低电压锁定和上驱动部分
; z: ?' ~/ c# _内部自举二极管
输出与输入同相
% y' l& G# B$ D2 j" ^
描述：
L6385 是一种高压设备，制造商采用 BCD“离线”技术。它有一个驱动程序结构，能够驱动inde-挂件参考 N 通道功率 MOS 或IGBT。上部（浮动）部分启用工作电压轨高达 600V。逻辑在-puts 是 CMOS/T

. R6 E/ g% y; @) S5 S( z3 E规格：
驱动配置：半桥
+ Y! N( T6 e$ E3 V1 v9 W8 h通道类型：独立式
$ N! x) W) z/ G+ X/ B驱动器数：2
2 X4 R5 y) _. @; X栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
7 |3 X1 U8 i, E电压 - 供电：17V（最大）
逻辑电压 - VIL，VIH：1.5V，3.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：400mA，650mA
# F6 l/ z. s, k+ m输入类型：反相
高压侧电压 - 最大值（自举）：600 V
上升/下降时间（典型值）：50ns，30ns
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
7 @) U4 f: m5 L$ I1 s安装类型：表面贴装型
5 H- Y, ?" G' L封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
% g4 \: i2 w, j7 a/ y/ P- i- n# F
ACPM-7081-TR1：
描述：
ACPM-9430 是一款完全匹配的 10 针表面贴装电源为 LTE Band30 开发的放大器模块。2 毫米 ×2.5 毫米外形封装是独立的，它包含 50 欧姆输入和输出匹配网络。
ACPM-9430 采用 CoolPAM 电路技术，支持两种功耗模式——低功耗和高功耗。CoolPAM 是一个增强 PAE 的级旁路技术（功率增加效率）在低功率范围内。功率放大器采用先进的 InGaP 制造HBT（异质结双极晶体管） MMIC（微波单片集成电路）技术，提供最先进的可靠性、温度稳定性和坚固性。

' A; I" N- ~* N" e$ X特征：
  |0 J2 o7 ]' D/ F4 }) \7 }# e9 ^薄型封装（典型值为 0.82 mm）
5 R8 J' m9 Z. G: H2 o; N小尺寸（2 毫米 × 2.5 毫米）
. p1 @4 f* p/ O1 D7 M在包络跟踪模式下具有出色的线性度
  ?4 i8 ?7 b$ y8 ?0 i峰值功率包络功率下的高效率
与 MIPI RFFE 兼容
二模电源
% ~7 D: u/ X8 ^' O) I用于高功率模式和低功率模式的静态电流控制电源模式
+ E- d% W& t" h0 n" O, C2 h十针表面贴装封装
内部 50 欧姆匹配网络用于射频输入和输出
6 e8 c. ]0 c; t- L独立的驱动和输出 VCC 电源
  C4 b+ X2 z+ E/ m低旁路电容
绿色 – 无铅且符合 RoHS 标准
4 p' m/ _+ t+ X8 i! P
5 h9 Y' Y) h4 X) V4 A1 Y2 p/ d$ Z应用：
LTE 频段 3