L6385D013TR/ACPM-7081-TR1 原装现货

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L6385D013TR：
8 B' I* \( C+ w7 M; A& ?特征：
高达 600 V 的高压轨
! d, d+ [4 ~6 _# _% PdV/dt 抗扰度 +- 50 V/nsec 全温-性能范围
; B' I8 q; j1 n+ ]+ i, q驱动电流能力：400 mA 源，650 mA SINK
开关时间 50/30 ns 上升/下降带 1nF 负载
% _1 ~3 R  a! G# dCMOS/TTL施密特 扳机输入有滞后和下拉
低电压锁定和上驱动部分
- U; X3 \- L% n2 M8 m内部自举二极管
- b. n1 l4 e8 ?4 j" G4 A2 B输出与输入同相

# |7 f6 G! c. }/ W描述：
, t1 ?- c$ M+ \4 d+ g4 _0 ^, B9 PL6385 是一种高压设备，制造商采用 BCD“离线”技术。它有一个驱动程序结构，能够驱动inde-挂件参考 N 通道功率 MOS 或IGBT。上部（浮动）部分启用工作电压轨高达 600V。逻辑在-puts 是 CMOS/T

规格：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
# z  @: r1 M) z% F电压 - 供电：17V（最大）
+ z# m4 d) l' \  j0 @4 y逻辑电压 - VIL，VIH：1.5V，3.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：400mA，650mA
  W" O* j9 b6 E8 g7 e输入类型：反相
高压侧电压 - 最大值（自举）：600 V
上升/下降时间（典型值）：50ns，30ns
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

ACPM-7081-TR1：
3 p# n3 J9 B3 K$ t8 }9 M描述：
ACPM-9430 是一款完全匹配的 10 针表面贴装电源为 LTE Band30 开发的放大器模块。2 毫米 ×2.5 毫米外形封装是独立的，它包含 50 欧姆输入和输出匹配网络。
ACPM-9430 采用 CoolPAM 电路技术，支持两种功耗模式——低功耗和高功耗。CoolPAM 是一个增强 PAE 的级旁路技术（功率增加效率）在低功率范围内。功率放大器采用先进的 InGaP 制造HBT（异质结双极晶体管） MMIC（微波单片集成电路）技术，提供最先进的可靠性、温度稳定性和坚固性。

特征：
. Q2 I2 N; z2 z- \" X% t薄型封装（典型值为 0.82 mm）
小尺寸（2 毫米 × 2.5 毫米）
' z0 r8 [) f9 |) e2 k" B在包络跟踪模式下具有出色的线性度
峰值功率包络功率下的高效率
% W2 C$ {! G4 x3 ]. k1 I+ i4 E与 MIPI RFFE 兼容
1 S( e/ l0 F+ @$ D3 `6 U& z! h二模电源
用于高功率模式和低功率模式的静态电流控制电源模式
十针表面贴装封装
2 C4 f6 ^: R6 O/ c内部 50 欧姆匹配网络用于射频输入和输出
独立的驱动和输出 VCC 电源
, \; O4 K2 l1 P' C( ~- x低旁路电容
+ H5 d) R, X* A" ~7 R) r绿色 – 无铅且符合 RoHS 标准
3 ]( |7 ?8 V. g) p; J4 B  f/ U' p
3 d: j9 ]2 E; I$ Q8 \应用：
  y4 E0 n  X( |4 C3 M) o. kLTE 频段 3