|
|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
CST粒子工作室可以实现电磁场、PTS、PIC之间的耦合;粒子面损耗与热求解器耦合。3 A/ b/ B- K4 k8 T- S
" `5 B9 N6 g# L Y3 s- {8 b _
电磁场耦合
. ]# q! T! y* L% V0 ?
3 h) Q8 k- I# @; G" l0 V6 U( Z' WCST粒子工作室是专门用来模拟带电粒子通过电磁场的轨迹的。计算轨迹采用以下三种技术中的一种(或多种):9 Z7 B# Z3 G2 i T" [! D/ U
5 N0 \ M' z; h
1.经典电磁场计算
$ D2 N0 z/ s" E
# a z9 F) c- _; M2 D+ oCST粒子工作室可以用EM的低频和高频求解器作为输入。
8 Q! K) E7 I7 h9 X1 i- G
" ]# ?- b/ Q' S( T# Q-Electrostatics Solver静电场低频求解器:一般电子枪中计算加速场、阴极射线管中束流导向单元的偏转静电场。% h3 K! |" E/ d, x4 r3 M
. ~9 ~; [9 v, @( D' r. a/ p-Magnetostatics Solver静磁场低频求解器:耦合磁体用,螺线管、多极磁体等。
) G+ ~: I4 ~+ u" a2 y4 w2 w) ~5 `4 t' Z+ @6 p2 m* ~
-Eigenmode Solver本征模高频求解器:计算腔内谐振场。
' F: y1 W* n% I, Q
; i: Y9 A; }8 O; ?. Y7 B4 c( S6 I5 Y-Time Domain Solver时域高频求解器:用3D场监视器追踪粒子。典型的应用是次级电子倍增分析。/ U# A0 Y2 @8 s
, f# [. v! x k- v2. 解析定义磁场: x( u" O/ Y: C+ O/ N
, { f! f* K/ r5 j直接定义静电解析H和B场分布。有如下几种方式:
! Z9 G" p- g$ _9 F. j- Q3 o7 [0 u) S, `
-直接定义整个求解域内H的恒定值# }2 X$ ?+ x3 m# d F1 ^
% l6 O) e S; F. \5 `# n-直接定义整个求解域内B的恒定值* Y$ i- S, l7 Z0 B- c' f0 M
U9 J0 R" ^# e1 u-旋转对称磁场,其特征是沿全局或局部坐标系的Z轴定义的一维切向磁化矢量。) m7 i5 z' V. Z. X% ~3 V. q! ~5 M
- ]9 K. l+ K& E沿着Z轴的B值直接定义: X* t" g' h$ A$ {* t1 [
6 R9 {$ q: G! F2 Z8 }特定一个Z轴位置的B平面云图,这样就很直观了:% b' z- f! S/ p3 E( M8 x0 e
# X. d' \$ r% Y
3. 导入- ASCll或从其他project中2 H& t& `/ o; C" ^7 P
2 o# V! Y9 V5 @3 u; H/ f0 }' J从ASCIl文件或从另一个CST project中导入。导入的多个场可以叠加。在Simulation- Sources and loads- Source field -Import External field中导入:9 W8 s5 |3 B9 A& A! q7 A1 t9 ~
9 Y G5 _) z) k+ _; A$ F \
可以导入本征模,E, H或B,网格可以不同。& e$ {/ d* t0 l5 ^
2 J7 v, |. n( h& ^! t/ B6 e7 H; LParticle InteRFaces粒子接口/ [4 m u i5 z& { Q
$ ^" X" U$ q( [# |0 l0 H/ g8 G粒子接口用于耦合PTS、PIC仿真project。有两种类型的接口可用:Export Interface和Import Interface。
( }% s7 K, z) N. V f1 g5 z) h5 n! K# c
, b4 N: e$ O0 j- q7 k假设有一个电子枪project,它必须通过使用粒子接口连接到后续的PIC或PTS项目,大致步骤如下:0 c* Z% |9 ^ u
: y% [. I+ r! H- w. N6 D! ^, D1.打开电子枪project) w% I6 ]7 @; G, H6 S
b$ q/ M ^7 |' y+ h y! P% m, s3 l
2.定义一个Exprot Interface' Z1 o' ]8 w- t% }& y: R
6 H/ u9 B" k v. O
3.运行电子枪project的计算,生成.pio粒子数据文件. c' }; X' {4 O4 m
8 a% ?3 H) o4 Y, B. O/ X4 S4.打开后续的PIC project3 u+ M% q$ `6 U* G
' h& _& U1 U& x: m% K' G" D+ C: ?: X/ }
5.定义Import Interface/ ^/ s' O: h c; G/ p% d; B
h* J1 \% b: b, ?& |8 \& H# P6.运算后续的PIC project
; N/ j1 a6 d/ h& G
. c. q6 a* U) D8 W/ F/ w导出粒子束面损耗
1 i7 t( U, _& ^7 r$ T4 p% T5 y2 W9 N) T7 W7 Q
粒子与物质面接触产生损耗。例如,对于医疗应用来说,这是一个非常关心的内容。设置这个也很简单,在求解器设置中打勾:2 P3 q) C0 `% n5 C0 ]
' `( |1 K3 t% T3 J6 L5 Q, M% Y7 q由于热耦合用到的是平均功率,因此必须定义时间周期。9 a7 i* M3 x5 Q3 ?* v
|
|