电子化学品：迎风赶上 国产正当时

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电子化学品：迎风赶上 国产正当时

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电子化学品作为电子材料与精细化工相结合的高新技术产品，具有高级、精密、尖端等特点。随着时代发展和科技进步，电子化学品应用领域不断扩大，呈现出巨大的市场潜力和广阔的发展前景。
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半导体从硅单晶生产，到切片、掺杂、溅射、抛光、极紫外曝光、清洗、封装，以及运行时的热控等制造全过程，几乎都涉及电子化学品。
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0 Y* f+ R7 s6 L: Z9 ]就品类而言，半导体涉及的化学品主要有5大类：光刻胶、电子气体、湿化学品、抛光液/抛光垫和金属靶材，绝大部分市场份额为美日企业所垄断。国内新材料企业结合各自优势以重点单品为主攻，行业内错位竞争，呈现出百花齐放的局面。
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  b; E7 {" X4 I- t2 ?1 V& w9 e光刻胶
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4 W4 y5 k4 ~8 f6 q) y光刻胶，又称光致抗蚀剂，是微电子领域微细图形加工核心上游材料，电子化学品的高端材料之一。光刻胶品种多样分为紫外全谱（300~450nm、g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、EUV（13.5nm）、电子束，在半导体领域应用很广。
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" J  ?6 C2 {; o0 i# ~光刻胶存在极高的技术壁垒和市场壁垒，国产化率极低。半导体领域整体国产化率约为10%，其中，g线、i线、KrF光刻胶约10%，ArF光刻胶全部进口。平板显示领域整体国产化率约10%，其中，触摸屏光刻胶约35%，彩色和黑色光刻胶、TFT光刻胶几乎全部进口。目前低端PCB光刻胶国产替代最快，高端半导体光刻胶处于方兴未艾的阶段，上海新阳KrF厚膜、ArF干法光刻胶研发到达中试阶段，晶瑞股份完成KrF（248nm深紫外）光刻胶中试，南大光电研制的ArF(193nm)光刻胶样品处于客户测试阶段。

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电子特种气体

! }0 v1 ]( i, l0 h; N# v3 f6 w  C9 [电子气体作为集成电路、平面显示器件、化合物半导体器件、太阳能电池、光纤等电子工业生产中不可缺少的基础和支撑性材料之一，被广泛应用于薄膜、蚀刻、掺杂、气相沉积、扩散等工艺。随着集成电路制造技术的快速发展，芯片尺寸不断增大，工艺不断提高，特征尺寸线宽不断减小，要求IC制程用的各种电子气体纯度、特定技术指标不断提高，对关键杂质的要求更为苛刻。
2 E0 `7 e9 g) o* A) P2020年，中国电子气体市场规模约为176.6亿元，进口替代趋势明显，逐步向高端演进，预计未来3年增速超过14%。

1 C2 Y: ?& Z; J: b电子气体以纯度为核心指标，国内企业普遍做到5-6N，林德和法液空等海外领先企业技术可达6-9N。国内以华特气体、金宏气体和七一八所（非上市）为首，华特已具备清洗气、刻蚀气和掺杂气等技术，目前仍在继续扩大产能。

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湿电子化学品

湿电子化学品，又称超净高纯试剂，要求超净和高纯，为湿法工艺（包括湿法刻蚀、清洗）制程中使用的各种液体化工材料，主要应用在半导体、平板显示、太阳能光伏领域等微电子、光电子器件制造领域。湿电子化学品存在较高的技术壁垒和市场壁垒。国际上G1到G4级湿电子化学品的技术已趋于成熟，国内企业大都能够达到G2级，少数企业达到G3和G4级。

国内企业中，晶瑞股份超高纯净双氧水和超纯氨水已达G5标准，其他产品均达到G3或G4标准，上海新阳市的超纯电镀液及添加剂实现在90-28nm制程上的应用，江微化IPO项目落地后将具备G4/G5级产品生产能力。

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CMP抛光材料

. O: ~" F; ^6 @; B! R* VCMP抛光材料是应用于CMP工艺中的抛光材料，而CMP工艺是在半导体工业中使器件在各阶段实现全局平坦化的关键步骤。其原理是在一定压力和抛光液环境下，被抛光工件相对于抛光垫做相对运动，通过抛光液中固体粒子的研磨作用和氧化剂的腐蚀作用，使工件形成平坦光洁的表面。
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6 Q! }9 D: m% ECMP抛光材料市场占半导体材料7%。CMP是实现晶圆表面平坦化的关键工艺，核心材料主要为抛光液和抛光垫。全球抛光液和抛光垫市场被美、日企业垄断，国内抛光垫主要厂商为鼎龙股份，抛光液龙头安集科技国内市场占比22%